本发明涉及一种，具体涉及半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法。
背景技术：
晶元是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之ic产品。
在晶元生产过程中，需要对各部件进行再生处理。晶元铝件结构一般较为简单，多为板状，但是不宜采用冲洗的方法进行再生。因此，需要一种半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的物理再生方法。
技术实现要素：
为解决上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法。其利用铝热膨胀系数较大的特性，通过热胀冷缩的方法进行铝件再生，一方面降低采用高洁净度洗液所带来的成本提高，另一方面可以有效防止洗液残留造成的铝件二次污染，具有广泛的适用性。
为达到上述目的，本发明的技术方案是：
半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）将铝件升温至200℃后，采用温度-30℃压强5mpa氮气吹过铝件表面，后再将铝件升温至100摄氏度；该过程通过热胀冷缩对铝件进行预处理。
2）将铝件表面均匀喷涂粘性涂层，并将铝件表面贴付上pe塑料膜，待铝件冷却至50摄氏度粘性涂层硬化；
3）将步骤2）所得到的铝件快速冷冻至-50℃以下，再升温到-25℃至-30℃；2）-3）过程铝件升温后伸长，喷涂淀粉稀释液并附pe塑料膜再低温后，铝件缩短，但pe所料膜附着淀粉硬化层缩短变量低，从而使污染后附着于淀粉硬化层并与铝件表面分离。该过程中，pe塑料膜与淀粉硬化层在低温下变硬变脆，从而碎裂。
4）在铝件各表面上方3-5mm处设置吸附层，再采用50mpa-55mpa气柱在铝件各表面上方对撞，气柱对撞角度小于120°；该过程继续将未完全脱落的pe塑料膜与淀粉硬化层吹落。吸附层可采用黏性吸附层，从而避免二次污染。
5）重复步骤3）至4）2-5次，将铝件置于20℃干燥室内自然升温至温度不再提高，完成再生过程。
作为上述方案的进一步改进，所述步骤3）采用液氮冷冻。该设置，冷冻速度快，冷却效率高。
作为上述方案的进一步改进，步骤4）中所述气柱采用-30℃至-40℃氮气气柱。该设置可以避免其体内其他杂志污染。
作为上述方案的进一步改进，所述步骤2）中气柱对撞处在铝件各表面上方0.2-0.5mm处对撞。该设置可利用气流对撞产生的局部湍流与真空将pe塑料膜与淀粉硬化层吹落。
作为上述方案的进一步改进，所述气柱对撞过程中气柱在铝件个表面上方0.2-0.5mm范围内上下移动。该设置更利于再生，且能更好的松动深层污染物。
作为上述方案的进一步改进，所述步骤4）过程中铝件不断自转并变换与气柱的角度。该设置可以高效吹落，避免淀粉硬化层残留。
作为上述方案的进一步改进，所述粘性涂层采用淀粉稀释液制成。该设置成本低，且无腐蚀性，具有良好的再生效果。
具体实施方式
以下将结合实施方式对本发明创造的构思、具体结构及产生的具体效果进行清楚、完整的描述，以充分的理解本发明创造的目的、特征和效果。本发明创造的各项技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）将铝件升温至200℃后，采用温度-30℃压强5mpa氮气吹过铝件表面，后再将铝件升温至100摄氏度；
2）将铝件表面均匀喷涂淀粉稀释液，并将铝件表面贴付上pe塑料膜，待铝件冷却至50摄氏度淀粉稀释液硬化；
3）将步骤2）所得到的铝件采用液氮快速冷冻至-50℃以下，再升温到-25℃至-30℃；
4）在铝件各表面上方3-5mm处设置吸附层，再采用压强53mpa温度-35℃氮气气柱在铝件各表面上方0.3mm处对撞，气柱对撞角度小于120°，气柱对撞过程中气柱在铝件个表面上方0.2-0.5mm范围内上下移动，铝件不断自转并变换与气柱的角度；
5）重复步骤3）至4）2-5次，将铝件置于20℃干燥室内自然升温至温度不再提高，完成再生过程。
上述过程中范围区间较小，在范围内波动不影响总体效果，因此在范围内仅取一代表值。
需要说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。