本发明涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种mems(微机电系统)传感器经常用到的mems电极形成方法。
背景技术:
非晶硅是硅的同素异形体形式,能够以薄膜形式沉积在各种基板上,为各种电子应用提供某些独特的功能。非晶硅被用在大规模生产的微机电系统(mems)和纳米机电系统(nems)、太阳能电池、微晶硅和微非晶硅、甚至对于各种基板上的滚压工艺技术都是有用的。
技术实现要素:
本发明要解决的技术问题是提供一种mems电极微桥形成方法,能够完整的形成mems电极微桥结构。
为解决上述技术问题,本发明的mems电极微桥形成方法,包括如下步骤:
步骤1、准备一硅基板,该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜,在该非晶硅薄膜上覆盖二氧化硅(sio2);
步骤2、在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜;
步骤3、在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层tin及表面sio2,并图形化;
步骤4、刻蚀步骤3形成的表面sio2,露出电极层tin;
步骤5、湿法刻蚀电极层tin,形成图形。
采用本发明能够完整的形成mems电极微桥结构,尤其在电极刻蚀形成桥结构的三明治结构上。本发明的方法能够防止光刻胶在刻蚀tin薄膜过程中的剥胶效应,以及在微桥结构释放时可以有效缓解因结构应力所造成的微桥塌陷。
本发明适用于mems产品。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1是所示mems电极微桥形成方法一实施例流程图;
图2是现有的mems电极微桥形成方法与本发明的mems电极微桥形成工艺方法对比流程示意图。
具体实施方式
参见图1、并结合图2(d)~(h)所示,所述mems电极微桥形成方法,是在sio2基板上形成mems电极微桥结构,包括如下步骤:
步骤1、结合图2(d)所示(带有tin薄膜的硅片),准备一硅基板,该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜,在该非晶硅薄膜上覆盖二氧化硅(sio2);所述带牺牲层非晶硅薄膜采用为cvd(化学气相淀积)成膜方法形成。
步骤2、结合图2(e)所示(成膜sio2的硅片),在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜。
步骤3、结合图2(f)所示(涂抹光刻胶曝光后的硅片),在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层tin及表面sio2,并图形化;所述电极层tin采用pvd(物理气相沉积)或者cvd成膜方法形成,sio2采用cvd成膜方法形成。
步骤4、结合图2(g)所示(sio2干法刻蚀后得到的图形),刻蚀步骤3形成的表面sio2,露出电极层tin;刻蚀表面sio2时,主要采用干法刻蚀,刻蚀出电极层tin即停止刻蚀。
步骤5、结合图2(h)所示(tin湿法刻蚀后得到的图形),湿法刻蚀电极层tin,形成图形。刻蚀电极层tin,主要采用湿法刻蚀,将sio2刻蚀后的硅片做去除光刻胶处置,将不带胶的硅片放入湿法槽内处理。
图2中,2为sio2(二氧化硅),3为tin(氮化钛),4为非晶硅,6表示光刻胶。图2(a)~(c)是现有的mems电极微桥形成方法流程示意图,其中,图2(a)表示带有tin薄膜的硅片,图2(b)表示涂抹光刻胶曝光后的硅片,图2(c)表示tin湿法刻蚀后得到的图形。
以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明,但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下,本领域的技术人员还可做出许多变形和改进,这些也应视为本发明的保护范围。