1.一种将金属电沉积到具有多个贯穿掩模的凹陷特征的半导体衬底上同时防止或减少金属在电镀装置的唇形密封件上的沉积的方法，该方法包括：
(a)使用第一唇形密封件在第一电镀槽中将第一金属电沉积到所述半导体衬底的所述贯穿掩模的凹陷特征中；以及
(b)在(a)之后，使用内径大于所述第一唇形密封件的第二唇形密封件在第二电镀槽中将第二金属电沉积到所述贯穿掩模的凹陷特征中，其中所述半导体衬底包括通过第一唇形密封件而不是通过第二唇形密封件屏蔽以免暴露于电解液的选定区域，使得所述第一金属不被电沉积在所述选定区域中并且使得所述第二金属被允许电沉积在所述选定区域中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在(b)中的所述选定区域中电沉积所述第二金属不会导致在所述掩模的平面上方电沉积。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在(b)中的所述选定区域中电沉积所述第二金属不会导致电沉积的所述第二金属与所述第二唇形密封件接触。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，(b)导致在所述选定区域之外的所述掩模的平面上方电沉积所述第二金属。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，(b)导致在所述选定区域之外的所述掩模的平面上方电沉积所述第二金属，以及在所述选定区域中的所述掩模的所述平面下方电沉积。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属是铜，而所述第二金属是锡和银的组合。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属是锡和银的组合，并且所述第二金属是锡和银的组合。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选定区域的宽度介于约0.05-1mm之间。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选定区域的宽度为约0.25mm。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩模是光致抗蚀剂，并且所述第二唇形密封件在电镀过程中与所述光致抗蚀剂直接接触。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述贯穿掩模的凹陷特征具有介于约10-50μm之间的宽度。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩模具有介于约10-100μm之间的厚度。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二唇形密封件由弹性体材料制成，其中所述选定区域的宽度等于所述第二唇形密封件的内半径与所述第一唇形密封件的内半径之间的差，并且其中所述选定区域具有环形形状。
14.一种用于将金属电镀到半导体衬底上的系统，该系统包括：
(a)第一电镀装置，其被配置为用于将第一金属电沉积到所述半导体衬底上，所述第一电镀装置包括具有第一唇形密封件的衬底保持器；以及
(b)第二电镀装置，其被配置为用于将第二金属电沉积到所述半导体衬底上，所述第二电镀装置包括具有第二唇形密封件的衬底保持器，其中所述第二唇形密封件具有比所述第一唇形密封件大的内径。
15.根据权利要求14所述的系统，其中，所述第二唇形密封件的内半径与所述第一唇形密封件的内半径之间的差小于约1mm。
16.根据权利要求14所述的系统，其中，所述第二唇形密封件的内半径与所述第一唇形密封件的内半径之间的差介于约0.05-1mm之间。
17.根据权利要求14所述的系统，其中，所述第二唇形密封件的内半径与所述第一唇形密封件的内半径之间的差为约0.25mm。
18.根据权利要求14所述的系统，其中，所述第一唇形密封件和所述第二唇形密封件包括弹性体材料。
19.根据权利要求14所述的系统，其中所述第一金属和第二金属是不同的，且其中所述第一电镀装置包括铜阳极，且所述第二电镀装置包括锡阳极。
20.根据权利要求14所述的系统，其中所述第一金属和所述第二金属都是锡和银的组合，并且其中所述第一电镀装置和所述第二电镀装置都包括锡阳极。
21.根据权利要求14所述的系统，其还包括被配置用于将所述半导体衬底从所述第一电镀装置传送到所述第二电镀装置的机构。
22.根据权利要求14所述的系统，其中所述第一电镀装置和所述第二电镀装置中的至少一者被配置用于电沉积锡和银的组合，并且包括分隔阳极室和阴极室的膜，其中所述膜基本上防止银离子穿过膜。
23.根据权利要求22所述的系统，其中，所述第一电镀装置被配置用于电沉积铜，并且所述第二装置被配置用于电沉积锡和银的组合。
24.根据权利要求14所述的系统，其还包括控制器，该控制器包括程序指令，所述程序指令用于引起：
(i)在所述第一电镀装置中电镀第一金属以部分地填充所述半导体衬底上的贯穿掩模的凹陷特征；
(ii)将所述半导体衬底传送到所述第二电镀装置；以及
(iii)在所述第二电镀装置中在所述第一金属上电镀第二金属，使得所述第二唇形密封件在电镀过程中不与电镀的所述第二金属接触，并且使得所述贯穿掩模的凹陷特征中的至少一些被填充在所述掩模的平面上方。
25.一种将金属电沉积到半导体衬底上同时防止或减少所述金属在电镀装置的唇形密封件上的沉积的方法，该方法包括：
(a)将半导体衬底提供到所述电镀装置的衬底保持器中，其中所述衬底保持器包括唇形密封件，所述唇形密封件定位成使得所述唇形密封件的至少一部分在电镀期间接触电解液；以及
(b)将所述金属电镀到半导体衬底上，同时防止或减少流向所述唇形密封件的离子电流。
26.一种将金属电沉积到具有多个贯穿掩模的凹陷特征的半导体衬底上同时防止或减少金属在电镀装置的唇形密封件上的沉积的方法，该方法包括：
(a)在电镀槽中将金属电沉积到所述半导体衬底的所述贯穿掩模的凹陷特征中，同时屏蔽靠近唇形密封件的选定区域，使得不允许金属沉积在所述掩模的平面上方和接触所述唇形密封件。
27.一种将金属电沉积到具有多个贯穿掩模的凹陷特征的半导体衬底上同时防止或减少金属在电镀装置的唇形密封件上的沉积的方法，该方法包括：
(a)使用柔性唇形密封件在电镀槽中将金属电沉积到所述半导体衬底的所述贯穿掩模的凹陷特征中，其中所述柔性唇形密封件被配置在第一位置，使得所述金属不被电沉积在由所述第一位置的所述密封件屏蔽的选定区域中，其中所述选定区域位于所述衬底的外围；以及
(b)在(a)之后将所述柔性唇形密封件配置到第二位置以去除对所述选定区域的所述屏蔽，并且在所述唇形密封件处于所述第二位置的同时，将所述金属电沉积到所述贯穿掩模的凹陷特征中，其中在所述选定区域的所述电沉积不会导致在所述掩模的平面上方的电沉积并且不会导致电沉积的所述金属与所述唇形密封件的接触，而在所述半导体衬底上的其他位置的电沉积导致在所述掩模的所述平面上方的电沉积。
28.一种用于将金属沉积到半导体衬底上的电镀装置，其包括：
(a)被配置为容纳电解液和阳极的镀敷容器；和
(b)衬底保持器，其被配置为在电镀期间保持和阴极偏置半导体衬底，其中所述电镀装置还包括环形屏蔽件，该环形屏蔽件具有靠近所述衬底保持器的唇形密封件定位的小于约1mm的宽度。
29.一种用于将金属沉积到半导体衬底上的电镀装置，其包括：
(a)被配置为容纳电解液和阳极的镀敷容器；以及
(b)衬底保持器，其被配置为在电镀期间保持和阴极偏置半导体衬底，其中所述衬底保持器包括被配置为在第一位置和第二位置之间改变形状的柔性唇形密封件，其中所述第一位置和所述第二位置不同地屏蔽所述半导体衬底的所述表面。