NANDFLASH的CG分组方法和CG分组装置与流程

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种nandflash的cg分组方法和一种nandflash的cg分组装置。

背景技术：

在电路设计中，通常采用全局的走线将对应所有wl(wordline，字线)的电压布局到每一个blk(block，块)的wldrv(字线驱动)上，通过地址选择不同的blk，将各电压分配到相应的wl上，而用于分配这些电压的走线，命名为cg线，cg线的根数和每个blk中wl的根数一致。

现有技术中，对nandflash进行读写擦各种操作时，需要在wl上施加各种hv(highvoltage，高电压)，且在不同的操作下选择不同的hv时，每根wl对应的电压很可能都不一样，即每根cg线需要覆盖所有可选高压。

在选择传输hv时，需要高压的电压转换电路(levelshift)控制传输管的gate(栅极)电压。如果简单的对应一根cg线覆盖所有的可选高压，假设有x种高压，一个blk有m根wl，那么就有m根cg走线，另外，在nandflash的设计上为了译码方便，在blk地址的译码上采取奇偶对应设计，即奇数的blk对应一套cg的走线，偶数的blk对应一套走线，所以总共需要m*x*2个高压的电压转换电路。例如，如果一个blk共有64根wl，有五种高压需要加到wl上，那么现有技术共需要64*5*2＝640个电压转换电路。在电路版图中，由于电压转换电路由高压管组成，大量的电压转换电路会占用很大面积，导致现有技术整体芯片面积很大，成本也很高。

技术实现要素：

鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种nandflash的cg分组方法和一种nandflash的cg分组装置，以解决现有技术中每根cg线需要覆盖所有可选高压，导致整体芯片面积大和成本高的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种nandflash的cg分组方法，包括以下步骤：

确定所述nandflash中待操作的存储块和选中字线；

将所述选中字线和所述存储块中与所述选中字线邻近的上下第一预设数量根字线分配到第一数量个第一字线组中，每个所述第一字线组中字线的根数相同；

配置所述第一数量个第一字线组中每根字线对应一cg线，以及配置所述存储块中除所述第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一cg线，各所述cg线可输出对所述nandflash进行操作所需的所有可选高压。

可选地，所述第一数量和所述第一字线组中字线的根数根据以下公式确定：

(n-1)*m>＝2*r

其中，n为所述第一数量，m为所述第一字线组中字线的根数，r为所述第一预设数量。

可选地，nandflash的cg分组方法还包括：

调整所述第一数量和所述第一字线组中字线的根数，以使所述存储块所需的电压转换电路个数最少。

可选地，所述配置所述第一数量个第一字线组中每根字线对应一cg线，以及配置所述存储块中除所述第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一cg线，各所述cg线可输出对所述nandflash进行操作所需的所有可选高压，包括以下步骤：

将各所述cg线可输出对所述nandflash进行操作所需的所有可选高压，一一配置至各所述cg线。

为了解决上述问题，本发明实施例还公开了一种nandflash的cg分组装置，包括：

确定模块，用于确定所述nandflash中待操作的存储块和选中字线；

分配模块，用于将所述选中字线和所述存储块中与所述选中字线邻近的上下第一预设数量根字线分配到第一数量个第一字线组中，每个所述第一字线组中字线的根数相同；

配置模块，用于配置所述第一数量个第一字线组中每根字线对应一cg线，以及配置所述存储块中除所述第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一cg线，各所述cg线可输出对所述nandflash进行操作所需的所有可选高压。

可选地，所述第一数量和所述第一字线组中字线的根数根据以下公式确定：

(n-1)*m>＝2*r

其中，n为所述第一数量，m为所述第一字线组中字线的根数，r为所述第一预设数量。

可选地，nandflash的cg分组装置还包括：

调整模块，用于调整所述第一数量和所述第一字线组中字线的根数，以使所述存储块所需的电压转换电路个数最少。

可选地，所述配置模块包括：

高压配置单元，用于将各所述cg线可输出对所述nandflash进行操作所需的所有可选高压，一一配置至各所述cg线。

本发明实施例包括以下优点：在对nandflash进行操作时，由于一般只有选中字线邻近的上下若干根字线需要施加特殊高压，而其他字线只需根据操作的类型(例如读操作、写操作、擦除操作)施加同一种电压即可，因此，本发明先确定nandflash中待操作的存储块和选中字线，进而将选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下第一预设数量根字线分配到第一数量个第一字线组中，设置每个第一字线组中字线的根数相同，并配置第一数量个第一字线组中每根字线对应一cg线，以及配置存储块中除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一cg线，各cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压。这样，通过将包括选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下第一预设数量根字线的第一数量个第一字线组作为特殊字线组，使该特殊字线组对应的每根cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压，以及将存储块中其他字线作为普通字线组，使该普通字线组对应的同一cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压，从而极大减少了存储块所需的电压转换电路个数，有效减小了整体芯片面积和减小了成本。

附图说明

图1是本发明的一种nandflash的cg分组方法实施例的步骤流程图；

图2是本发明的一种nandflash的cg分组方法具体实施例的步骤流程图；

图3是本发明的一种nandflash的cg分组装置实施例的结构框图；

图4是本发明的一种nandflash的cg分组装置具体实施例的结构框图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

参照图1，示出了本发明的一种nandflash的cg分组方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：

步骤s10，确定nandflash中待操作的存储块和选中字线。

其中，步骤s10可以根据nandflash接收的操作指令确定nandflash中待操作的存储块和选中字线，选中字线为该待操作的存储块中的一根字线。具体地，操作类型可以为读操作、写操作、擦除操作中的任一种操作。

步骤s20，将选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下第一预设数量根字线分配到第一数量个第一字线组中，每个第一字线组中字线的根数相同。

具体地，第一预设数量可以经过多次试验确定。

可选地，在本发明的一个实施例中，第一数量和第一字线组中字线的根数可以根据以下公式确定：

(n-1)*m>＝2*r

其中，n为第一数量，m为第一字线组中字线的根数，r为第一预设数量。

例如，如果r＝8，存储块中有64根字线，当n＝2时，由于(2-1)m>＝16，所以m>＝16，此时，选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下8根字线在2个第一字线组中，每个第一字线组中字线的根数大于或者等于16根；当n＝3时，由于(3-1)m>＝16，所以m>＝8，此时，选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下8根字线在3个第一字线组中，每个第一字线组中字线的根数大于或者等于8根；当n＝4时，由于(4-1)m>＝16，所以m>＝6，此时，选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下8根字线在4个第一字线组中，每个第一字线组中字线的根数大于或者等于6根；当n＝5时，由于(5-1)m>＝16，所以m>＝4，此时，选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下8根字线在5个第一字线组中，每个第一字线组中字线的根数大于或者等于4根。

步骤s30，配置第一数量个第一字线组中每根字线对应一cg线，以及配置存储块中除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一cg线，各cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压。

例如，假设对nandflash进行操作所需的所有可选高压为5种，则各cg线(包括第一数量个第一字线组中每根字线对应的cg线，和存储块中除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应的同一cg线)，分别可输出5种可选高压。

可选地，参照图2，在本发明的一个具体实施例中，步骤s30配置第一数量个第一字线组中每根字线对应一cg线，以及配置存储块中除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一cg线，各cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压，可以包括以下步骤：

步骤s31，将各cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压，一一配置至各cg线。

具体地，步骤s31可以通过第二数量个高压选择电路将各cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压，一一配置至各cg线。

其中，第二数量的个数由待操作的存储块中字线的总数和第一字线组对应cg线的根数(等于第一字线组中字线的根数)之比确定。

例如，若存储块中有64根字线，当每个第一字线组中字线的根数等于16根，则第一字线组对应cg线的根数为16根，第二数量为64/16＝4；当每个第一字线组中字线的根数等于8根，则第一字线组对应cg线的根数为8根，第二数量为64/8＝8；当每个第一字线组中字线的根数等于6根，则第一字线组对应cg线的根数为6根，第二数量为64/6≈11；当设置每个第一字线组中字线的根数等于4根，则第一字线组对应cg线的根数为4根，第二数量为64/4＝16。

具体地，每个高压选择电路可以包括两个高压开关管，每个高压开关管需要一高压的电压转换电路控制栅极电压，以使相应的高压开关管导通。其中，两个高压开关管中一个高压开关管与第一数量个第一字线组中每根字线对应的cg线相连，当该高压开关管导通时，第一数量个第一字线组中每根字线对应的cg线可输出高压；两个高压开关管中另一个高压开关管与除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应的同一cg线相连，当该高压开关管导通时，除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应的同一cg线可输出高压。

可选地，参照图2，在本发明的一个具体实施例中，nandflash的cg分组方法还可以包括：

步骤s40，调整第一数量和第一字线组中字线的根数，以使存储块所需的电压转换电路个数最少。

例如，如果r＝8，存储块中有64根字线，n＝2/3/4/5，m＝16/8/6/16，第二数量＝4/8/11/16，对nandflash进行操作所需的所有可选高压为5种，在blk地址的译码上采取奇偶对应设计，即奇数的blk对应一套cg的走线，偶数的blk对应一套走线。

对于n＝2，m＝16，第二数量＝4的情况，第一数量个第一字线组对应的各cg线需要2*16*5*2＝320个电压转换电路，除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应的同一cg线需要2*5＝10个电压转换电路，第二数量个高压选择电路需要4*2*2＝16个电压转换电路，存储块共计需要346个电压转换电路。对于n＝3，m＝8，第二数量＝8的情况，第一数量个第一字线组对应的各cg线需要3*8*5*2＝240个电压转换电路，除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应的同一cg线需要2*5＝10个电压转换电路，第二数量个高压选择电路需要8*2*2＝32个电压转换电路，存储块共计需要282个电压转换电路。对于n＝4，m＝6，第二数量＝11的情况，第一数量个第一字线组对应的各cg线需要4*6*5*2＝240个电压转换电路，除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应的同一cg线需要2*5＝10个电压转换电路，第二数量个高压选择电路需要11*2*2＝44个电压转换电路，存储块共计需要294个电压转换电路。对于n＝5，m＝16，第二数量＝16的情况，第一数量个第一字线组对应的各cg线需要5*16*5*2＝800个电压转换电路，除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应的同一cg线需要2*5＝10个电压转换电路，第二数量个高压选择电路需要16*2*2＝64个电压转换电路，存储块共计需要874个电压转换电路。由上可知，对于n＝3，m＝8，第二数量＝8的情况，存储块所需的电压转换电路个数最少。

本发明实施例的方法包括以下优点：在对nandflash进行操作时，由于一般只有选中字线邻近的上下若干根字线需要施加特殊高压，而其他字线只需根据操作的类型施加同一种电压即可，因此，本发明先确定nandflash中待操作的存储块和选中字线，进而将选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下第一预设数量根字线分配到第一数量个第一字线组中，设置每个第一字线组中字线的根数相同，并配置第一数量个第一字线组中每根字线对应一cg线，以及配置存储块中除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一cg线，各cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压。这样，通过将包括选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下第一预设数量根字线的第一数量个第一字线组作为特殊字线组，使该特殊字线组对应的每根cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压，以及将存储块中其他字线作为普通字线组，使该普通字线组对应的同一cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压，从而极大减少了存储块所需的电压转换电路个数，有效减小了整体芯片面积和减小了成本。

需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。

参照图3，示出了本发明的一种nandflash的cg分组装置实施例的结构框图，具体可以包括如下模块：

确定模块10，用于确定nandflash中待操作的存储块和选中字线。

分配模块20，用于将选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下第一预设数量根字线分配到第一数量个第一字线组中，每个第一字线组中字线的根数相同。

可选地，第一数量和第一字线组中字线的根数可以根据以下公式确定：

(n-1)*m>＝2*r

其中，n为第一数量，m为第一字线组中字线的根数，r为第一预设数量。

配置模块30，用于配置第一数量个第一字线组中每根字线对应一cg线，以及配置存储块中除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一cg线，各cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压。

可选地，参照图4，在本发明的一个具体实施例中，配置模块30可以包括：

高压配置单元301，用于将各cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压，一一配置至各cg线。

具体地，高压配置单元301可以包括第二数量个高压选择电路，高压配置单元301可以通过第二数量个高压选择电路将各cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压，一一配置至各cg线。

可选地，参照图4，在本发明的一个具体实施例中，nandflash的cg分组装置还可以包括：

调整模块40，用于调整第一数量和第一字线组中字线的根数，以使存储块所需的电压转换电路个数最少。

本发明实施例的装置包括以下优点：在对nandflash进行操作时，由于一般只有选中字线邻近的上下若干根字线需要施加特殊高压，而其他字线只需根据操作的类型施加同一种电压即可，因此，本发明先确定nandflash中待操作的存储块和选中字线，进而将选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下第一预设数量根字线分配到第一数量个第一字线组中，设置每个第一字线组中字线的根数相同，并配置第一数量个第一字线组中每根字线对应一cg线，以及配置存储块中除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一cg线，各cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压。这样，通过将包括选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下第一预设数量根字线的第一数量个第一字线组作为特殊字线组，使该特殊字线组对应的每根cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压，以及将存储块中其他字线作为普通字线组，使该普通字线组对应的同一cg线可输出对nandflash进行操作所需的所有可选高压，从而极大减少了存储块所需的电压转换电路个数，有效减小了整体芯片面积和减小了成本。

对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种nandflash的cg分组方法和一种nandflash的cg分组装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。