本申请涉及存储器内计算架构(compute-in-memory)，并且更具体地涉及一种混合存储器内计算架构。、数据的数字处理通常使用冯·诺依曼(von neumann)架构，其中从存储器检索数据以在算术和逻辑单元(alu)中处理。在诸如机器学习的计算密集型应用中，来自和去往存储器的数据流可...

本发明涉及isp图像信号处理缓存，尤其涉及一种基于sram接口带宽拓展的缓存方法、系统及装置。、随着coms技术的发展，图像分辨率越来越高、单个像素所占的比特数目也越来越多。如今的cmos图像分辨率涵盖了从百万像素到千万像素甚至上亿像素，单个像素所占的比特数从比特到比特甚到比特，因此缓存多...

本发明涉及半导体，尤其涉及一种存储芯片、存储设备和电子设备。、随着数据存储技术的迅猛发展，用户对存储性价比的要求也越来越高。存储芯片是计算机中数据存放的主要介质，存储容量是存储芯片性能的关键指标之一。、存储芯片的容量提升一般是通过优化操作方式或对存储阵列架构进行优化来实现的。目前的存储芯片...

本发明涉及存储器，尤其涉及一种非易失性存储器及其块擦除方法。、non-volatile(非易失性)存储器常涉及erase(擦除)操作，目前存储器的擦除操作一般通过fowler-nordheim tunneling(福勒-诺德海姆隧道)效应实现：通过在存储器的存储单元的gate(栅极)施加负...

本公开涉及但不限定于一种控制电路。、在存储器中，当存储单元中某一行地址对应的字线被频繁开启时，可能引发相邻地址的电容器的漏电速率高于自然漏电速率，进而导致相邻地址的电容器在刷新信号到来之前因丢失过多电荷而发生数据丢失，这种情况一般称之为“行锤效应”。、为抑制行锤效应，需要对行锤地址进行及时...

本发明涉及一种存储器控制技术，尤其涉及一种解码参数更新方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。、移动电话与笔记本计算机等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memor...

本公开涉及非易失性存储器领域，尤其涉及一种nor flash(一种非易失性存储器)及其擦除方法、擦除系统。、存储器的存储阵列是由多个wl(字线)(比如字线或者字线甚至字线)和多个bl(位线)(比如位线或者位线甚至位线)组成。对于低成本的存储器产品而言，为了减小外部x和y方向译码电路的尺寸而...

本发明涉及存储器故障诊断，具体涉及一种存储器故障注入与诊断电路及诊断方法。、存储器内建自测试（memory build-in-self test，mbist）是目前大容量存储器测试的主流技术，该技术利用芯片内部专门设计的bist电路进行自动化测试，能够对嵌入式存储器这种具有复杂电路结构的嵌...

本发明涉及固态硬盘，特别是涉及一种基于nand失效下的重读实现方法、装置、计算机设备和存储介质。、ssd(solid state drive，固态硬盘)作为一种新型存储介质，其采用nand颗粒作为数据存储，已经广泛应用于pc，笔记本，服务器等各个领域并逐渐取代hdd(hard diskdr...

本发明涉及集成电路，尤其涉及一种新型抗辐照加固sram单元电路。、随着集成电路技术和航空航天行业的迅猛发展，对于具有高可靠性和高性能的抗辐射集成电路的需求日益增长。在这个领域中，静态随机存储器(sram)因其卓越的性能特性，已成为集成电路的关键组成部分，且在芯片总面积中占有显著比例。、然而...

本申请涉及半导体的，且更特定来说涉及多模态存储器设备及系统。、半导体存储器被用于许多电子系统中以存储可稍后检索的数据。半导体存储器通常通过向所述存储器提供命令信号、地址信号及时钟信号来控制。例如，各种信号可由存储器控制器来提供。命令信号可控制半导体存储器执行各种存储器操作，例如，用以从存储...

在一些方面，本公开涉及磁记录介质以及与磁记录介质一起使用的磁记录装置。更具体地，但非唯一地，本公开涉及被配置用于与热辅助磁记录(hamr)一起使用的带有软垫层(sul)的磁记录介质。、诸如硬盘驱动器(hdd)之类的磁存储系统用于静止和移动计算环境中的多种设备中。结合磁存储系统的设备的示例包...

本公开提供了改善单端感测放大器性能的电路结构及相关方法。、典型的存储器器件架构包括用于读取存储在位基元(bit cell)中的数据的感测放大器，例如，通过放大位基元中的电压电平并将其与参考电压进行比较，以将数据表征(characterize)为逻辑低(例如“”)或逻辑高(例如“”)。在诸如...

各种实施方式涉及包括存储器装置的储存装置。、储存装置可以被配置为响应于来自外部装置的写入请求而在其中存储从外部装置提供的数据。此外，储存装置可以被配置为响应于来自外部装置的读取请求而向外部装置提供所存储的数据。外部装置是能够处理数据的电子装置，并且可以包括计算机、数码相机、移动电话等。储存...

各种示例实施例总体涉及半导体存储器装置，更具体地，涉及制造和/或测试非易失性存储器装置的方法和/或非易失性存储器装置。、用于存储数据的半导体存储器装置可被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(dram)和/或静态随机存取存储器(sram)装...

本公开涉及装置，且特定来说，涉及在存储器内置自测试(mbist)操作期间具有基于温度的错误屏蔽的半导体存储器装置。、设备(例如，处理器、存储器系统及/或其它电子设备)可包含经配置以存储及/或处理信息的一或多个半导体电路。例如，所述设备可包含存储器装置，例如易失性存储器装置、非易失性存储器装...

本公开关于一种半导体装置的操作方法，特别有关于一种用于处理存储器装置的数据保存错误的数据恢复方法。、欲储存期望的数据于存储器装置时，对于存储单元施加编程电压以使存储单元累积电子，据以调整存储单元的阈值电压vt，使阈值电压vt达到期望的阈值电压状态。不同的阈值电压状态对应于不同内容的数据。以...

本申请涉及存储器技术，尤其涉及一种电源控制电路及存储器。、伴随存储器技术的发展，存储器被广泛应用在多种领域，比如，动态随机存取存储器(dynamic random access memory，简称dram)的使用非常广泛。、实际应用中，存储器内部包含多个电路模块，电路模块在工作时需要电源信...

本申请涉及存储器技术，尤其涉及一种电源控制电路及存储器。、伴随存储器技术的发展，存储器被广泛应用在多种领域，比如，动态随机存取存储器(dynamic random access memory，简称dram)的使用非常广泛。、实际应用中，存储器内部包含多个电路模块，电路模块在工作时需要电源信...

本公开涉及但不限于一种行地址译码电路和存储器。、为了提高存储器的性能，需要对存储单元进行更快速的读写。存储单元的行地址译码电路是存储器电路中所必需的，用来进行行地址(row address)的译码和选通。行地址译码电路会直接影响存储器的读取速度以及电荷泵的负载。技术实现思路、有鉴于此，本公...