用于具有侧面源极线和机械支撑的三维NAND非易失性存储器装置的方法和设备与流程

技术特征：

技术总结
提供了一种制造单片三维存储器结构的方法。该方法包含在衬底(510)之上形成交替的字线(WLL)和电介质层(DL)的堆叠体，在衬底之上形成源极线(514)，形成延伸穿过交替的字线层和电介质层以及源极线的存储器孔，并且在与存储器孔相邻的衬底上形成机械支撑元件(516a‑c)。

技术研发人员：J.刘;C.葛;J.阿尔斯梅尔
受保护的技术使用者：桑迪士克科技有限责任公司
技术研发日：2016.09.12
技术公布日：2018.05.18