发光装置和包括其的电子设备的制作方法

文档序号:30623332发布日期:2022-07-02 05:22阅读:132来源:国知局
发光装置和包括其的电子设备的制作方法
发光装置和包括其的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0186771号的权益和优先权,其公开内容通过引用以其整体并入本文。


背景技术:

3.一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。
技术领域
4.对包括具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异显示特性的发光装置的自发射装置有着强烈的需求。
5.在发光装置中,第一电极位于基板上,并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次位于第一电极上。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动,并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。空穴和电子在发射层复合以产生激子。当激子从激发态跃迁到基态时,从发光装置中发射光。


技术实现要素:

6.提供了具有高发光效率和长寿命的发光装置和包括发光装置的电子设备。
7.另外的方面将部分地在以下的描述中阐述,并且部分地将从描述中显而易见,或可以由普通技术人员通过实践本公开所呈现的实施方式来了解。
8.根据一方面,提供了发光装置,包括:
9.第一电极和第二电极,各自具有与另一个相对的表面,以及
10.设置在第一电极和第二电极之间的夹层,
11.夹层包括发射层和空穴传输区,空穴传输区设置在第一电极和发射层之间,
12.其中发射层包括第一发射层和第二发射层,第一发射层设置在空穴传输区和第二发射层之间,
13.其中第一发射层包括第一主体和第一发光材料,并且第二发射层包括第二主体和第二发光材料,
14.其中第二主体为取代的蒽化合物,并且第一主体和第二主体彼此不同,
15.其中第二主体的最低未占分子轨道(lumo)能级小于第一主体的lumo能级,并且
16.第一主体的lumo能级和第二主体的lumo能级中的每一个都具有通过使用密度泛函理论(dft)方法确定的负值。
17.根据另一方面,提供了包括发光装置的电子设备。
附图说明
18.本公开的某些实施方式的上述和其他方面、特征和优势将从结合所附附图的下述描述中更显而易见,在附图中:
19.图1为根据实施方式的发光装置的结构的示意图;
20.图2为根据另一实施方式的发光装置的结构的示意图;
21.图3为根据实施方式的电子俘获(electron scavenger)材料、第一主体、第二主体和空穴阻挡材料的最高占据分子轨道(homo)能级和最低未占分子轨道(lumo)能级的图;
22.图4为根据另一实施方式的电子俘获材料、第一主体、第二主体和空穴阻挡材料的最高占据分子轨道(homo)能级和最低未占分子轨道(lumo)能级的图;
23.图5为根据另一实施方式的电子俘获层、第一发射层、第二发射层和空穴阻挡层的homo能级和lumo能级的图;
24.图6为根据实施方式的电子设备的结构的示意图;
25.图7为根据另一实施方式的电子设备的结构的示意图;并且
26.图8为实施例1的有机发光装置和比较例1的有机发光装置中的每一个的亮度-发光效率图。
具体实施方式
27.现将详细地参考实施方式,其示例阐释在所附附图中,其中相同的附图标记遍及本文指相同的元件。就此而言,本实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于本文阐述的描述。相反,提供这些实施方式以便本公开将是透彻的和完整的,并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。
28.因此,以下通过参考图仅描述实施方式,以解释本描述的各方面。如本文使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开,表达“a、b和c中的至少一个”指示仅a,仅b,仅c,a和b二者,a和c二者,b和c二者,所有的a、b和c,或其变化。
29.应理解,当元件被称为在另一个元件“上”时,它可以直接在另一个元件上,或者它们之间可以存在居间元件。相反,当元件被称为“直接”在另一个元件“上”时,不存在居间元件。
30.将理解,尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文用于描述各种元件、组件、区、层和/或部分,但这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区、层或部分与另一个元件、组件、区、层或部分。因此,在不脱离本文教导的情况下,以下讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可被称为第二元件、第二组件、第二区、第二元层或第二部分。
31.如本文使用的,单数形式“一个(a)”、“一种(an)”和“所述”旨在包括复数形式,包括“至少一个”,除非上下文另外清楚地指示。“至少一个”不应被解释为限制“一个”或“一种”。“或”意指“和/或”。将进一步理解,术语“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”或“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时,指定所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在,但不排除一个或多个其他特征、区、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
32.如本文使用的“约”或“近似”包括陈述值并且意指在如本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内。例如,“约”可以意指在陈述值的一个或多个标准偏差内,或在陈述值的
±
10%内。
33.除非另外限定,否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。将进一步理解,术语,比如常用词典中限定的那些,应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的语境中的含义一致的含义,并且将不以理想化或过于正式的意义来解释,除非本文明确如此限定。
34.参考作为理想化的实施方式的示意性图示的截面图示,本文描述了示例性实施方式。这样,应预期由例如制造技术和/或公差造成的图示的形状的变化。因此,本文描述的实施方式不应解释为限于本文图示的区的特定形状,而是包括由于例如制造造成的形状的偏差。例如,图示或描述为平坦的区通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外,图示的尖角可以是圆的。因此,图中图示出的区本质上是示意性的,并且它们的形状不旨在图示出区的精确形状,并且不旨在限制本权利要求的范围。
35.功函数(费米能)、homo能级或lumo能级的值表示为真空水平的绝对值。另外,当功函数(费米能)、homo能级或lumo能级被称为“深”、“高”或“大”时,基于真空水平的“0ev”,绝对值大,而当功函数(费米能)、homo能级或lumo能级被称为“浅”、“低”或“小”时,基于真空水平的“0ev”,绝对值小。因此,具有较大负值(或较大绝对值)的所陈述的能级a的能量低于具有较小负值(或较小绝对值)的相应所陈述的能级b的能量。图1的发光装置10可包括第一电极110和第二电极150(各自具有与另一个相对的表面),以及设置在第一电极110和第二电极150之间的夹层130。以下描述第一电极110和第二电极150。
36.夹层130可包括发射层133和空穴传输区131。空穴传输区131设置在第一电极110和发射层133之间。发射层133包括第一发射层133-1和第二发射层133-2。第一发射层133-1设置在空穴传输区131和第二发射层133-2之间。
37.第一发射层133-1包括第一主体和第一发光材料,并且第二发射层133-2包括第二主体和第二发光材料。
38.第二主体为取代的蒽化合物。第二主体与以下描述的相同。取代的蒽化合物指其中蒽的至少一个氢被预定取代基(例如a2基团)取代的蒽化合物。
39.第一主体和第二主体可彼此不同。第二主体的最低未占分子轨道(lumo)能级可小于第一主体的lumo能级。
40.如上所述,i)第二主体为取代的蒽化合物,ii)第一主体和第二主体彼此不同,并且iii)第二主体的lumo能级小于第一主体的lumo能级。因此,电子可更有效地注入到第一发射层133-1和第二发射层133-2中的每一个中。由于第一发射层133-1和第二发射层133-2中的每一个的三重态激子密度增加,所以三重态激子之间碰撞的概率增加,并且因此三重态-三重态融合(ttf)效率也可增加。因此,在第一发射层133-1和第二发射层133-2两者中,相对大量的三重态激子被转换成单重态激子,从而有助于光发射。结果,可改善发光装置10的发光效率和寿命。
41.在本说明书中,最高占据分子轨道(homo)能级和lumo能级中的每一个具有负值,并且使用密度泛函理论(dft)方法来确定。在实施方式中,homo能级和lumo能级中的每一个可具有负值,并且可使用dft方法使用高斯09程序(例如,使用基于b3lyp/6-311g(d,p)的dft方法的高斯09程序)来评估。
42.在实施方式中,第二主体的lumo能级和第一主体的lumo能级之间的差的绝对值可
为约0.3电子伏特(ev)或更小,即,大于约0ev且小于或等于约0.3ev。
43.在一个或多个实施方式中,第二主体的lumo能级和第一主体的lumo能级之间的差的绝对值可为约0.001ev至约0.3ev,约0.01ev至约0.3ev,约0.05ev至约0.3ev,约0.1ev至约0.3ev,约0.001ev至约0.25ev,约0.01ev至约0.25ev,约0.05ev至约0.25ev,或约0.1ev至约0.25ev。
44.在一个或多个实施方式中,第一主体的lumo能级可为约-2.00ev至约-1.70ev,例如,约-1.96ev至约-1.87ev。
45.在一个或多个实施方式中,第二主体的lumo能级可为约-2.30ev至约-2.01ev,例如,约-2.16ev至约-2.10ev。
46.第一主体可为取代的蒽化合物。取代的蒽化合物指其中蒽的至少一个氢被预定取代基(例如a1基团)取代的蒽化合物。
47.在实施方式中,第一主体可为包括至少一个a1基团的取代的蒽化合物。
48.在一个或多个实施方式中,第一主体可为包括至少一个a1基团的取代的蒽化合物,并且至少一个a1基团可独立地为:
49.i)包括至少一个第一基团、至少一个第二基团和至少一个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(a1-i),(例如,苯并呋喃并喹啉基、苯并呋喃并异喹啉基等),
50.ii)包括至少一个第一基团和至少一个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(a1-ii),(例如,二苯并呋喃基、茚并二苯并呋喃基、萘并苯并呋喃基等),
51.iii)包括两个或更多个(例如,三个或更多个)第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(a1-iii),(例如,萘基、菲基、苝基等),或
52.iv)第三基团,
53.其中第一基团可为呋喃基、噻吩基或环戊二烯基,
54.第二基团可为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或三嗪基,并且
55.第三基团可为苯基。
56.在一个或多个实施方式中,至少一个a1基团可为稠环基团(a1-i),例如,苯并呋喃并喹啉基、苯并呋喃并异喹啉基等。
57.在一个或多个实施方式中,至少一个a1基团可为稠环基团(a1-ii),例如,二苯并呋喃基、茚并二苯并呋喃基、萘并苯并呋喃基等。
58.在一个或多个实施方式中,至少一个a1基团可为稠环基团(a1-iii),例如,萘基、菲基、苝基等。
59.在一个或多个实施方式中,至少一个a1基团可为苯。
60.在一个或多个实施方式中,至少一个a1基团可为苯并呋喃并喹啉基、苯并呋喃并异喹啉基、二苯并呋喃基、茚并二苯并呋喃基、萘并苯并呋喃基、萘基、菲基、芘基、1,2-苯并菲基或苝基。
61.在一个或多个实施方式中,第一主体的电子迁移率/空穴迁移率的值可为1或更大。测量电子迁移率和空穴迁移率的方法可以例如与本说明书的表2中描述的相同。在实施方式中,第一主体的电子迁移率/空穴迁移率的值可为3至20或5至10。因为第一主体具有如上所述的电子迁移率/空穴迁移率的值,所以电子可以有效地注入到第一发射层133-1中。
62.在实施方式中,第二主体可为包括至少一个a2基团的取代的蒽化合物。
63.在一个或多个实施方式中,第二主体可为包括至少一个a2基团的取代的蒽化合物,并且至少一个a2基团可独立地为:
64.i)包括至少一个第一基团和至少一个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(a2-i),例如,萘并苯并呋喃基等,
65.ii)第四基团,
66.iii)包括至少一个第三基团和至少一个第四基团的稠合环状基团作为稠环基团(a2-iii),例如,喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基等,或
67.iv)包括至少一个第三基团和至少一个第五基团的稠合环状基团作为稠环基团(a2-iv),例如,咔唑基等,
68.其中第一基团可为呋喃基、噻吩基或环戊二烯基,
69.第三基团可为苯基,
70.第四基团可为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、咪唑基或噻唑基,并且
71.第五基团可为1h-吡咯基或二氢-1h吡咯基。
72.在一个或多个实施方式中,至少一个a2基团可为稠环基团(a2-i),例如,萘并苯并呋喃基等。
73.在一个或多个实施方式中,至少一个a2基团可为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、咪唑基或噻唑基。
74.在一个或多个实施方式中,至少一个a2基团可为稠环基团(a2-iii),例如,喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基等。
75.在一个或多个实施方式中,至少一个a2基团可为稠环基团(a1-iv),例如,咔唑基等。
76.在一个或多个实施方式中,至少一个a2基团可为萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、咪唑基、噻唑基、喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基或咔唑基。
77.a1基团和a2基团可各自独立地未被取代或被至少一个以下本说明书中描述的r
1a
取代。
78.在实施方式中,第一主体可为由式1-1或式1-2表示的化合物,和/或第二主体可为由式2-1或式2-2表示的化合物:
79.式1-1
[0080][0081]
式1-2
[0082][0083]
式2-1
[0084][0085]
式2-2
[0086][0087]
其中,在式1-1、式1-2、式2-1和式2-2中,
[0088]
l
11
、l
12
、l
13
和l
21
、l
22
、l
23
可各自独立地为单键、未取代的或被至少一个r
1a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
1a
取代的c
1-c
60
杂环基,
[0089]
a11、a12、a13、a21、a22和a23可各自独立地为选自1至5的整数,
[0090]
ar
11
、ar
12
、ar
13
、ar
21
、ar
22
和ar
23
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
1a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
1a
取代的c
1-c
60
杂环基,
[0091]
式1-1中的ar
11
和ar
12
中的至少一个可为a1基团,式1-2中的ar
11
、ar
12
和ar
13
中的至少一个基团(例如,ar
13
)可为a1基团,式2-1中的ar
21
和ar
22
中的至少一个可为a2基团,并且式2-2中的ar
21
、ar
22
和ar
23
中的至少一个(例如,ar
23
)可为a2基团,
[0092]
a1基团中的每一个可独立地为:
[0093]
i)包括至少一个第一基团、至少一个第二基团和至少一个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(a1-i),例如,苯并呋喃并喹啉基、苯并呋喃并异喹啉基等,
[0094]
ii)包括至少一个第一基团和至少一个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(a1-ii),例如,二苯并呋喃基、茚并二苯并呋喃基、萘并苯并呋喃基等,
[0095]
iii)包括两个或更多个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(a1-iii),例如,萘基、菲基、苝基等,或
[0096]
iv)第三基团,
[0097]
a2基团中的每一个可独立地为:
[0098]
i)包括至少一个第一基团和至少一个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(a2-i),例如,萘并苯并呋喃基等,
[0099]
ii)第四基团,
[0100]
iii)包括至少一个第三基团和至少一个第四基团的稠合环状基团作为稠环基团(a2-iii),例如,喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基等,或
[0101]
iv)包括至少一个第三基团和至少一个第五基团的稠合环状基团作为稠环基团(a2-iv),例如,咔唑基等,
[0102]
其中第一基团可为呋喃基、噻吩基或环戊二烯基,
[0103]
第二基团可为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或三嗪基,并且
[0104]
第三基团可为苯基,
[0105]
第四基团可为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、咪唑基或噻唑基,并且
[0106]
第五基团可为1h-吡咯基或二氢-1h吡咯基,并且
[0107]
a1基团和a2基团可各自独立地未被取代或被至少一个r
1a
取代,其中r
1a
与结合r
11
描述的相同。
[0108]r11
、r
12
、r
13
、r
21
、r
22
和r
23
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(=o)(q1)、-s(=o)2(q1)或-p(=o)(q1)(q2),
[0109]
b11、b12、b21和b22可各自独立地为选自0至4的整数,
[0110]
b13和b23可各自独立地为选自0至3的整数,
[0111]r10a
可为:
[0112]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基;
[0113]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基:氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(=o)(q
11
)、-s(=o)2(q
11
)、-p(=o)(q
11
)(q
12
)或其任何组合;
[0114]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基:氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(=o)(q
21
)、-s(=o)2(q
21
)、-p(=o)(q
21
)(q
22
)或其任何组合;或
[0115]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(=o)(q
31
)、-s(=o)2(q
31
)或-p(=o)(q
31
)(q
32
),并且
[0116]
q1、q2、q3、q
11
、q
12
、q
13
、q
21
、q
22
、q
23
、q
31
、q
32
和q
33
可各自独立地为:氢;氘;-f;-cl;-br;-i;羟基;氰基;硝基;c
1-c
60
烷基;c
2-c
60
烯基;c
2-c
60
炔基;c
1-c
60
烷氧基;各自未被取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基;c
7-c
60
芳基烷基;或c
2-c
60
杂芳基烷基。
[0117]
在实施方式中,式1-1、式1-2、式2-1和式2-2中的l
11
、l
12
、l
13
、l
21
、l
22
和l
23
可各自独立地为:
[0118]
单键;或
[0119]
各自未被取代或被至少一个r
1a
取代的苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、环戊二烯基、噻咯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、茚基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、芴基、二苯并噻咯基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、苯并咔唑基、苯并芴基、萘并苯并噻咯基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二苯并咔唑基、二苯并芴基、二萘并噻咯基、氮杂苯并呋喃基、氮杂苯并噻吩基、氮杂吲哚基、氮杂茚基、氮杂苯并噻咯基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂萘并苯并呋喃基、氮杂萘并苯并噻吩基、氮杂苯并咔唑基、氮杂苯并芴基、氮杂萘并苯苯并噻咯基、氮杂二萘并呋喃基、氮杂二萘并噻吩基、氮杂二苯并咔唑基、氮杂二苯并芴基、氮杂二萘并噻咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、二苯并氧杂硅杂环己二烯基、二苯并硫杂硅杂环己二烯基、二苯并二氢氮杂硅杂环己二烯基、二苯并二氢二氢二硅杂环己二烯基、二苯并二氢硅杂环己二烯基、二苯并二氧杂环己二烯基、二苯并氧硫杂环己二烯基、二苯并噁嗪基、二苯并吡喃基、二苯并二硫杂环己二烯基、二苯并噻嗪基、二苯并噻喃基、二苯并环己二烯基、二苯并二氢吡啶基或二苯并二氢吡嗪基。
[0120]
在一个或多个实施方式中,式1-1、式1-2、式2-1和式2-2中的l
11
、l
12
、l
13
、l
21
、l
22
和l
23
可各自独立地为:
[0121]
单键;或
[0122]
由式3-1至式3-15中的一个表示的基团:
[0123][0124]
其中,在式3-1至式3-15中,
[0125]r1a
与本说明书中描述的相同,
[0126]
c4为选自0至4的整数,
[0127]
c6为选自0至6的整数,
[0128]
c8为选自0至8的整数,并且
[0129]
*和*'各自指示与相邻原子的连接位点。
[0130]
在实施方式中,式1-2和式2-2中的l
11
、l
12
、l
21
和l
22
可各自为单键。
[0131]
式1-1、式1-2、式2-1和式2-2中的a11、a12、a13和a21、a22、a23可分别指示l
11
、l
12
、l
13
的数量和l
21
、l
22
、l
23
的数量,并且可各自独立地为选自1至5的整数(例如,1、2或3)。当a11为2或更大时,两个或更多个l
11
可彼此相同或不同,当a12为2或更大时,两个或更多个l
12
可彼此相同或不同,当a13为2或更大时,两个或更多个l
13
可彼此相同或不同,当a21为2或更大时,两个或更多个l
21
可彼此相同或不同,当a22为2或更大时,两个或更多个l
22
可彼此相同或不同,并且当a23为2或更大时,两个或更多个l
23
可彼此相同或不同。
[0132]
在实施方式中,式1-1、式1-2、式2-1和式2-2中的ar
11
、a
12
、ar
13
、ar
21
、a
22
和ar
23
可各自独立地为苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、环戊二烯基、噻咯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、茚基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、芴基、二苯并噻咯基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、苯并咔唑基、苯并芴基、萘并苯并噻咯基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二苯并咔唑基、二苯并芴基、二萘并噻咯基、氮杂苯并呋喃基、氮杂苯并噻吩基、氮杂吲哚基、氮杂茚基、氮杂苯并噻咯基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、
氮杂萘并苯并呋喃基、氮杂萘并苯并噻吩基、氮杂苯并咔唑基、氮杂苯并芴基、氮杂萘并苯苯并噻咯基、氮杂二萘并呋喃基、氮杂二萘并噻吩基、氮杂二苯并咔唑基、氮杂二苯并芴基、氮杂二萘并噻咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、二苯并氧杂硅杂环己二烯基、二苯并硫杂硅杂环己二烯基、二苯并二氢氮杂硅杂环己二烯基、二苯并二氢二氢二硅杂环己二烯基、二苯并二氢硅杂环己二烯基、二苯并二氧杂环己二烯基、二苯并氧硫杂环己二烯基、二苯并噁嗪基、二苯并吡喃基、二苯并二硫杂环己二烯(二硫杂蒽)基、二苯并噻嗪基、二苯并噻喃基、二苯并环己二烯基、二苯并二氢吡啶基或二苯并二氢吡嗪基。
[0133]
在一个或多个实施方式中,a1基团可为由式4-1至式4-12中的一个表示的基团:
[0134][0135][0136]
其中,在式4-1至式4-12中,
[0137]
x1至x9可各自独立地为ch或n,其中x1至x9中的至少一个可为n,
[0138]
x
11
可为o或s,并且
[0139]
*指示与相邻原子的连接位点。
[0140]
由式4-1至式4-12表示的基团可未被取代或被至少一个在本说明书中描述的r
1a
取代描述。
[0141]
在实施方式中,式4-1至式4-12中的x1至x9中的至少一个可为n,且其他基团可各自为ch。
[0142]
在实施方式中,a1基团可为由式4-1、式4-2、式4-3和式4-4中的一个表示的基团,其中x1至x7和x9可各自为ch,且x8可为n。
[0143]
在实施方式中,a1基团可为由式4-5、式4-6、式4-7和式4-8中的一个表示的基团,其中x1至x3和x5至x9可各自为ch,且x4可为n。
[0144]
在实施方式中,a2基团可为由式5-1至式5-41中的一个表示的基团:
[0145][0146][0147]
其中式5-1至式5-41中的*指示与相邻原子的连接位点。
[0148]
由式5-1至式5-41表示的基团可未被取代或被至少一个在本说明书中描述的r
1a
取代。
[0149]
在实施方式中,第一主体可为由式1-1表示的化合物。
[0150]
在实施方式中,式1-1中的ar
11
和ar
12
可彼此不同。
[0151]
在实施方式中,在式1-1中,由*-(l
11
)
a11-ar
11
表示的基团和由*-(l
12
)
a12-ar
12
表示
的基团可彼此不同。
[0152]
在实施方式中,在式1-1中,ar
11
可为如上所述的a1基团,且ar
12
可为由式6-1至式6-6中的一个表示的基团:
[0153][0154]
在式6-1至式6-6中,
[0155]r1a
与以上描述的相同,
[0156]
d5为选自0至5的整数,
[0157]
d7为选自0至7的整数,
[0158]
d9为选自0至9的整数,并且
[0159]
*指示与相邻原子的连接位点。
[0160]
在实施方式中,第二主体可为由式2-1表示的化合物。
[0161]
在实施方式中,式2-1中的ar
21
和ar
22
可彼此相同。
[0162]
在实施方式中,在式2-1中,由*-(l
21
)
a21-ar
21
表示的基团和由*-(l
22
)
a22-ar
22
表示的基团可彼此相同。
[0163]
在实施方式中,在式2-1中,ar
21
和ar
22
可各自为如上所述的a2基团。
[0164]
在实施方式中,r
1a
、r
11
、r
12
、r
13
、r
21
、r
22
和r
23
可各自独立地为:
[0165]
氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基或c
1-c
20
烷氧基;
[0166]
各自被以下取代的c
1-c
20
烷基或c
1-c
20
烷氧基:氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羟基、氰基、硝基、c
1-c
10
烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基或其任何组合;
[0167]
各自未被取代或被以下取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、c
1-c
10
烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂芴基或氮杂二苯并噻咯基:氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、c
1-c
10
烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、
异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(=o)(q
31
)、-s(=o)2(q
31
)、-p(=o)(q
31
)(q
32
)或其任何组合;或
[0168]-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(=o)(q1)、-s(=o)2(q1)或-p(=o)(q1)(q2),并且
[0169]
q1、q2、q3、q
31
、q
32
和q
33
可各自独立地为:
[0170]-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h或-cd2cdh2;或
[0171]
各自未被取代或被以下取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基:氘、c
1-c
10
烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合。
[0172]
在实施方式中,r
1a
、r
11
、r
12
、r
13
、r
21
、r
22
和r
23
可各自独立地为:
[0173]
氢、氘、-f、氰基、c
1-c
20
烷基或c
1-c
20
烷氧基;
[0174]
各自被以下取代的c
1-c
20
烷基或c
1-c
20
烷氧基:氘、-f、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、氰基或其任何组合;或
[0175]
各自未被取代或被以下取代的苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基或1,2-苯并菲基:氘、-f、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、氰基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、c
1-c
10
烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基或其任何组合;
[0176]
b11、b12、b21和b22可分别指示r
11
、r
12
、r
21
和r
22
的数量,并且可各自独立地为选自0至4的整数(例如,0或1)。当b11为2或更大时,两个或更多个r
11
可彼此相同或不同,当b12为2或更大时,两个或更多个r
12
可彼此相同或不同,当b21为2或更大时,两个或更多个r
21
可彼此相同或不同,并且当b22为2或更大时,两个或更多个r
22
可彼此相同或不同。
[0177]
指数b13和b23可分别指示r
13
和r
23
的数量,并且可各自独立地为选自0至3的整数(例如,0或1)。当b13为2或更大时,两个或更多个r
13
可彼此相同或不同,并且当b23为2或更大时,两个或更多个r
23
可彼此相同或不同。
[0178]
在实施方式中,由式1-1或式1-2表示的化合物可为化合物a1(1)至a1(44)中的一个:
[0179]
[0180]
[0181][0182]
在实施方式中,由式2-1或式2-2表示的化合物可为化合物a2(1)至a2(15)中的一种:
[0183]
[0184][0185]
第一发光材料和第二发光材料可各自为蓝色发光材料。
[0186]
在实施方式中,第一发光材料和第二发光材料可各自为荧光材料(例如,快速荧光材料和/或延迟荧光材料)。
[0187]
在实施方式中,第一发光材料和第二发光材料可各自不包括铱。
[0188]
在实施方式中,第一发光材料和第二发光材料可各自不包括过渡金属。
[0189]
在实施方式中,第一发光材料和第二发光材料可彼此相同。
[0190]
在实施方式中,第一发光材料和第二发光材料可各自为含胺基化合物。
[0191]
第一发光材料和第二发光材料的详细结构式与以下描述的相同。
[0192]
在实施方式中,蓝光可从发射层133发射。在实施方式中,蓝光可从第一发射层133-1和第二发射层133-2发射。蓝光可为具有约390纳米(nm)至约500nm,约410nm至约490nm,约430nm至约480nm,约440nm至约475nm,或约455nm至约470nm的范围内的最大发射波长的蓝光。在实施方式中,蓝光可为具有约0.03至约0.07,例如,约0.04至约0.06的范围内的cie y坐标(cie_y)的蓝光。
[0193]
空穴传输区131可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层、电子俘获层或其任何组合。
[0194]
在实施方式中,空穴传输区131可包括电子俘获层,并且电子俘获层可直接接触第一发射层133-1。
[0195]
电子俘获层可包括电子俘获化合物。
[0196]
电子俘获层中的电子俘获化合物可防止注入到第一发射层133-1和第二发射层133-2中的一些电子泄漏到空穴传输区131。因此,注入到第一发射层133-1和第二发射层133-2中的大部分电子可用于ttf现象,并且由于电子泄露到空穴传输区131而导致的劣化可最小化,并且因此可改善发光装置10的发光效率和寿命。
[0197]
第一主体的lumo能级可小于电子俘获化合物的lumo能级。
[0198]
电子俘获化合物的lumo能级具有负值,并且使用dft方法评估。
[0199]
在实施方式中,电子俘获化合物的lumo能级可为约-1.80ev至约-1.50ev,例如,约-1.75ev至约-1.65ev。
[0200]
电子俘获化合物可为取代的蒽化合物。因为取代的蒽化合物用作电子俘获化合物,所以电子俘获化合物可有助于形成额外的激子,并因此可改善发光装置10的发光效率和寿命。
[0201]
电子俘获化合物和第一主体可彼此不同。
[0202]
在实施方式中,电子俘获化合物可选自由式1-1、式1-2、式2-1和式2-2表示的化合物。
[0203]
在实施方式中,电子俘获化合物可为化合物a1(6)。在实施方式中,电子俘获材料可为化合物a3(1)至a3(13)中的一种:
[0204]
[0205][0206]
电子俘获层可进一步包括空穴传输材料。在实施方式中,电子俘获层可通过共沉积空穴传输材料和电子俘获化合物而形成。以下描述空穴传输材料。
[0207]
基于100重量份的电子俘获层,电子俘获层中的电子俘获化合物的重量为约0.1重量份至约10重量份。在实施方式中,电子俘获层的厚度可为约2nm至约20nm,例如,约3nm至约10nm。当电子俘获化合物的重量和电子俘获层的厚度在上述这些范围内时,可以有效地最小化或防止电子从发射层133的泄漏,而不会劣化空穴传输区131的空穴传输能力。
[0208]
在图2的发光装置20中,与图1的发光装置10不同,电子传输区135另外位于发射层133和第二电极150之间。
[0209]
电子传输区135可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。
[0210]
在实施方式中,电子传输区135可进一步包括空穴阻挡层。
[0211]
空穴阻挡层可直接接触第二发射层133-2。
[0212]
空穴阻挡层可包括空穴阻挡材料。
[0213]
空穴阻挡材料的lumo能级和第二主体的lumo能级之间的差的绝对值可为约0.15ev或更小。因此,进一步有效地进行电子向发射层133的注入,并因此可改善发光装置20的发光效率和寿命。
[0214]
空穴阻挡材料的lumo能级可具有负值并且可使用dft方法评估。
[0215]
在实施方式中,空穴阻挡材料的lumo能级可大于第二主体的lumo能级。
[0216]
在实施方式中,空穴阻挡材料的lumo能级可小于第二主体的lumo能级。
[0217]
在实施方式中,空穴阻挡材料的lumo能级可为约-2.30ev至约-2.01ev,例如,约-2.16ev至约-2.10ev。
[0218]
空穴阻挡材料可选自满足如上所述的lumo能级关系的任何化合物。
[0219]
图3为根据实施方式的电子俘获材料、第一主体、第二主体和空穴阻挡材料的homo能级和lumo能级的图。第二主体的lumo能级(lumo(h2))可小于第一主体的lumo能级(lumo(h1))。
[0220]
第二主体的lumo能级(lumo(h2))和第一主体的lumo能级(lumo(h1))之间的差的绝对值(

l1)可为约0.3ev或更小,约0.001ev至约0.3ev,约0.01ev至约0.3ev,约0.05ev至约0.3ev,约0.1ev至约0.3ev,约0.001ev至约0.25ev,约0.01ev至约0.25ev,约0.05ev至约0.25ev,或约0.1ev至约0.25ev。
[0221]
第一主体的lumo能级(lumo(h1))可小于电子俘获化合物的lumo能级(lumo(es))。
[0222]
第二主体的lumo能级(lumo(h2))可小于空穴阻挡材料的lumo能级(lumo(hb))。空穴阻挡材料的lumo能级(lumo(hb))和第二主体的lumo能级(lumo(h2))之间的差的绝对值(

l2)可为约0.15ev或更小。
[0223]
根据图3,可满足电子俘获化合物的lumo能级(lumo(es))》第一主体的lumo能级(lumo(h1))》空穴阻挡材料的lumo能级(lumo(hb))》第二主体的lumo能级(lumo(h2))的关系。
[0224]
另外,根据图3,可满足电子俘获化合物的homo能级(homo(es))》第一主体的homo能级(homo(h1))》第二主体的homo能级(homo(h2))》空穴阻挡材料的homo能级(homo(hb))的关系。
[0225]
图4的图与图3的图相同,不同的是空穴阻挡材料的lumo能级(lumo(hb))小于第二主体的lumo能级(lumo(h2))。
[0226]
因此,根据图4,可满足电子俘获化合物的lumo能级(lumo(es))》第一主体的lumo能级(lumo(h1))》第二主体的lumo能级(lumo(h2))》空穴阻挡材料的lumo能级(lumo(hb))的关系。
[0227]
a)包括空穴传输材料和电子俘获化合物的电子俘获层,b)包括第一主体和第一发光材料的第一发射层133-1,c)包括第二主体和第二发光材料的第二发射层133-2,和d)包括空穴阻挡材料的空穴阻挡层(这些与图1至图4中描述的相同)的homo能级和lumo能级的关系的实施方式与图5中所示的相同。
[0228]
根据图5,可满足电子俘获层的lumo能级(lumo(esl))》第一发射层133-1的lumo能级(lumo(eml1))》第二发射层133-2的lumo能级(lumo(eml2))》空穴阻挡层的lumo能级(lumo(hbl))的关系。
[0229]
另外,可满足电子俘获层的homo能级(homo(esl))》第一发射层133-1的homo能级(homo(eml1))》第二发射层133-2的homo能级(homo(eml2))》空穴阻挡层的homo能级(homo(hbl))的关系。
[0230]
发光装置10或20可包括位于第一电极110外侧或第二电极150外侧的封盖层(图1和图2中未示出)。
[0231]
在实施方式中,发光装置10或20可进一步包括位于第一电极110外侧的第一封盖层和位于第二电极150外侧的第二封盖层中的至少一个。关于第一封盖层和/或第二封盖层的更多细节在本说明书中描述。
[0232]
如本文使用的术语“夹层130”可指单个层和/或多个层,夹层130设置在发光装置
10或20的第一电极110和第二电极150之间。
[0233]
根据另一方面,提供了包括如上所述的发光装置10或20的电子设备。电子设备可进一步包括薄膜晶体管。在实施方式中,电子设备可进一步包括包含源电极和漏电极的薄膜晶体管,并且发光装置10或20的第一电极110可电连接到源电极或漏电极。在实施方式中,电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。关于电子设备的更多细节与本说明书中描述的相同。
[0234]
第一电极110
[0235]
在图1和图2中,基板可另外位于第一电极110下方或第二电极150上方。作为基板,可使用玻璃基板或塑料基板。在实施方式中,基板可为柔性基板,并且可包括具有优异的耐热性和耐久性的塑料,比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任何组合。
[0236]
第一电极110可通过,例如,在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110为阳极时,用于形成第一电极110的材料可为利于注入空穴的高功函数材料。
[0237]
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时,用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任何组合。在一个或多个实施方式中,当第一电极110为半透射电极或反射电极时,镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任何组合可用作用于形成第一电极110的材料。
[0238]
第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如,第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
[0239]
夹层130中的空穴传输区131
[0240]
图1和图2的空穴传输区131可具有多层结构,例如,空穴注入层/空穴传输层结构,空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构,空穴注入层/发射辅助层结构,空穴传输层/发射辅助层结构,或空穴注入层/空穴传输层/电子俘获层结构,其中,在各个结构中,各层从第一电极110依次堆叠。在实施方式中,如上所述,空穴传输区131可包括直接接触第一发射层133-1的电子俘获层。
[0241]
空穴传输区131可包括空穴传输材料,比如由式201表示的化合物,由式202表示的化合物,或其任何组合:
[0242]
式201
[0243][0244]
式202
[0245][0246]
其中,在式201和式202中,
[0247]
l
201
、l
202
、l
203
和l
204
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基,
[0248]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基,
[0249]
xa1、xa2、xa3和xa4可各自独立地为选自0至5的整数,
[0250]
xa5可为选自1至10的整数,
[0251]r201
、r
202
、r
203
、r
204
和q
201
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基,
[0252]r201
和r
202
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接,以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如,咔唑基等)(例如,化合物ht16),
[0253]r203
和r
204
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接,以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团,并且
[0254]
na1可为选自1至4的整数。
[0255]
在实施方式中,式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个:
[0256][0257]
式cy201至式cy217中的r
10b
和r
10c
与结合r
10a
描述的相同,并且环cy
201
、环cy
202
、环cy
203
和环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基,并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被如上所述的r
10a
取代。
[0258]
在实施方式中,式cy201至式cy217中的环cy
201
、环cy
202
、环cy
203
和环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
[0259]
在实施方式中,式201和式202中的每一个可包括由式cy201、式cy202和式cy203表示的至少一个基团。
[0260]
在实施方式中,式201可包括由式cy201、式cy202和式cy203表示的基团中的至少一个,和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0261]
在实施方式中,式201中的xa1可为1,r
201
可为由式cy201、式cy202和式cy203中的一个表示的基团,xa2可为0,并且r
202
可为由式cy204、式cy205、式cy206和式cy207中的一个表示的基团。
[0262]
在实施方式中,式201和式202中的每一个可不包括由式cy201、式cy202或式cy203表示的基团。
[0263]
在实施方式中,式201和式202中的每一个可不包括由式cy201、式cy202或式cy203表示的基团,并且可包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0264]
在实施方式中,式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy217表示的基团。
[0265]
在实施方式中,空穴传输区131可包括化合物ht1至ht46中的一种,m-mtdata,tdata,2-tnata,npb(npd),β-npb,tpd,螺-tpd,螺-npb,甲基化的npb,tapc,hmtpd,4,4’,4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta),4p-npd,tnpa,聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa),聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss),聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa),聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss),或其任何组合:
[0266]
[0267]
[0268]
[0269]
[0270][0271]
空穴传输区的厚度131可在约至约例如,约至约的范围内。当空穴传输区131包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时,空穴注入层的厚度可在约至约例如,约至约的范围内,并且空穴传输层的厚度可在约至约例如,约至约的范围内。当空穴传输区131、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时,可在驱动电压无显著增加的情况下获得令人满意的空穴传输特性。
[0272]
发射辅助层可以通过根据由发射层133发射的光的波长补偿光学共振距离来改善
光发射效率。
[0273]
p-掺杂剂
[0274]
除了这些材料之外,空穴传输区131可进一步包括用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可均匀或非均匀分散在空穴传输区131中(例如,以由电荷产生材料组成的单个层形式)。
[0275]
电荷产生材料可为,例如,p-掺杂剂。
[0276]
在实施方式中,p-掺杂剂的lumo能级可为约-3.5ev或更小。
[0277]
在实施方式中,p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含有元素el1和元素el2的化合物,或其任何组合。
[0278]
醌衍生物的实例可包括tcnq和f4tcnq(或,f4-tcnq)等。
[0279]
含氰基化合物的实例可包括hat-cn和由下式221表示的化合物等。
[0280][0281]
式221
[0282][0283]
在式221中,
[0284]r221
、r
222
和r
223
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基,
[0285]r221
、r
222
和r
223
中的至少一个可各自独立地为:各自被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基:氰基;-f;-cl;-br;-i;被氰基、-f、-cl、-br、-i或其任何组合取代的c
1-c
20
烷基;或其任何组合。
[0286]
在含有元素el1和元素el2的化合物中,元素el1可为金属、准金属或其组合,且元素el2可为非金属、准金属或其组合。
[0287]
金属的实例可包括:碱金属(例如,锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等);碱土金属(例如,铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等);过渡金属(例如,钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等);后过渡金属(例如,锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等);和镧系金属(例如,镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥
(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0288]
准金属的实例可包括硅(si)、锑(sb)或碲(te)。
[0289]
非金属的实例可包括氧(o)和卤素(例如,f、cl、br、i等)。
[0290]
在实施方式中,含有元素el1和元素el2的化合物的实例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如,金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如,准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。
[0291]
金属氧化物的实例可包括钨氧化物(例如,wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如,vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)和铼氧化物(例如,reo3等)。
[0292]
金属卤化物的实例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0293]
碱金属卤化物的实例可包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。
[0294]
碱土金属卤化物的实例可包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0295]
过渡金属卤化物的实例可包括钛卤化物(例如,tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如,zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如,hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如,vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如,nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如,taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如,crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如,mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如、wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如,mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如,tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如,ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如,fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如,ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如,osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如,cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如,rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如,irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如,nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如,pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如,ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如,cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如,agf、agcl、agbr、agi等)和金卤化物(例如,auf、aucl、aubr、aui等)。
[0296]
后过渡金属卤化物的实例可包括锌卤化物(例如,znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如,ini3等)和锡卤化物(例如,sni2等)。
[0297]
镧系金属卤化物的实例可包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。
[0298]
准金属卤化物的实例可包括锑卤化物(例如,sbcl5等)。
[0299]
金属碲化物的实例可包括碱金属碲化物(例如,li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如,bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如,tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如,znte等)和镧系金属碲化物(例如,late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)。
[0300]
夹层130中的发射层133
[0301]
基于100重量份的第一主体,第一发射层133-1中的第一发光材料的重量可为约0.01重量份至约15重量份,并且基于100重量份的第二主体,第二发射层133-2中的第二发光材料的重量可为约0.01重量份至约15重量份。
[0302]
第一发射层133-1和第二发射层133-2中的每一个的厚度可为约至约至约例如,约至约当第一发射层133-1和第二发射层133-2中的每一个的厚度在上述范围内时,可在驱动电压无显著增加的情况下表现出优异的发光特性。
[0303]
发射层133中的第一主体和第二主体
[0304]
第一发射层133-1中的第一主体和第二发射层133-2中的第二主体与本说明书中描述的相同。
[0305]
发射层133中的第一发光材料和第二发光材料
[0306]
第一发光材料和第二发光材料可各自包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。
[0307]
在实施方式中,第一发光材料和第二发光材料可各自包括由式501表示的化合物:
[0308]
式501
[0309][0310]
其中,在式501中,
[0311]
ar
501
、l
501
、l
502
、l
503
、r
501
和r
502
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基,
[0312]
xd1、xd2和xd3可各自独立地为0、1、2或3,并且
[0313]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0314]
在实施方式中,式501中的ar
501
可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如,蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。
[0315]
在实施方式中,式501中的xd4可为2。
[0316]
在实施方式中,第一发光材料和第二发光材料可各自包括化合物fd1至fd36中的一种,dpvbi,dpavbi,dfdpa,或其任何组合:
[0317]
[0318]
[0319]
[0320][0321]
在实施方式中,第一发光材料和第二发光材料可各自包括延迟荧光材料。
[0322]
在本说明书中,延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。
[0323]
在实施方式中,延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可大于或等于约0ev且小于或等于约0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足上述范围时,可有效发生从延迟荧光材料的三重态到单重态的上转换,并因此,可改善发光装置10或20的发光效率。
[0324]
在实施方式中,延迟荧光材料可包括i)包括至少一种电子供体(例如,富π电子的c
3-c
60
环状基团,比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如,亚砜基、氰基或缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团)的材料,和ii)包括c
8-c
60
多环基团的材料,其中两个或更多个环状基团在共用硼(b)的同时稠合。
[0325]
延迟荧光材料的实例可包括下述化合物df1至df9中的至少一种:
[0326]
[0327][0328]
夹层130中的电子传输区135
[0329]
电子传输区135可具有:i)由单个层组成的单层结构,该单个层由单种材料组成,ii)由单个层组成的单层结构,该单个层由多种不同材料组成,或iii)包括多个层的多层结构,该多个层包括不同材料的相邻层。
[0330]
电子传输区135可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。
[0331]
在实施方式中,电子传输区135可具有如下结构,比如电子传输层/电子注入层结构,空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构,电子控制层/电子传输层/电子注入层结构,或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构,其中,在各个结构中,各层从发射层133依次堆叠。
[0332]
电子传输区135(例如,电子传输区135中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物,该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团。
[0333]
在实施方式中,电子传输区135可包括由式601表示的化合物。
[0334]
式601
[0335]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0336]
在式601中,
[0337]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基,
[0338]
xe11可为1、2或3,
[0339]
xe1可为0、1、2、3、4或5,
[0340]r601
可为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(=o)(q
601
)、-s(=o)2(q
601
)或-p(=o)(q
601
)(q
602
),
[0341]q601
、q
602
和q
603
如结合q1所描述,
[0342]
xe21可为1、2、3、4或5,并且
[0343]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团。
[0344]
在实施方式中,当式601中的xe11为2或更大时,两个或更多个ar
601
可经由单键连接。
[0345]
在实施方式中,式601中的ar
601
为取代的或未取代的蒽基。
[0346]
在实施方式中,电子传输区135可包括由式601-1表示的化合物:
[0347]
式601-1
[0348][0349]
其中,在式601-1中,
[0350]
x
614
可为n或c(r
614
),x
615
可为n或c(r
615
),x
616
可为n或c(r
616
),x
614
、x
615
和x
616
中的至少一个可为n,
[0351]
l
611
、l
612
和l
613
各自如结合l
601
所描述,
[0352]
xe611、xe612和xe613各自如结合xe1所描述,
[0353]r611
、r
612
和r
613
各自如结合r
601
所描述,并且
[0354]r614
、r
615
和r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0355]
在实施方式中,式601和式601-1中的xe1、xe611、xe612和xe613可各自独立地为0、1或2。
[0356]
电子传输区135可包括化合物et1至et45中的一种,2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp),4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen),alq3,balq,taz,ntaz,tnpt,b3pyptz,或其任何组合:
[0357]
[0358]
[0359][0360]
电子传输区135的厚度可为约至约例如,约至约当电子传输区135包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任何组合时,缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可各自独立地为约至约例如,约至约并且电子传输层的厚度可为约至约例如,约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层的厚度在如上所述的这些范围内时,可在驱动电压无显著增加的情况下获得令人满意的电子传输特性。
[0361]
除了上述材料之外,电子传输区135(例如,电子传输区135中的电子传输层)可进一步包括含金属元素材料。
[0362]
含金属元素材料可包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碱金属络合物的金属离子可为li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子,并且碱土金属络合物的金属离子可为be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。
[0363]
在实施方式中,含金属元素材料可包括li络合物。li络合物可包括,例如,化合物
et-d1(liq)或et-d2:
[0364][0365]
电子传输区135可包括利于从第二电极150注入电子的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。
[0366]
电子注入层可具有:i)由单种材料组成的单层结构,ii)由多种不同材料组成的单层结构,或iii)包括多个层的多层结构,该多个层包括不同材料的相邻层。
[0367]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。
[0368]
碱金属可包括li、na、k、rb、cs或其任何组合。碱土金属可包括mg、ca、sr、ba或其任何组合。稀土金属可包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任何组合。
[0369]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如,氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物,或其任何组合。
[0370]
含碱金属化合物可包括碱金属氧化物(比如li2o、cs2o或k2o)、碱金属卤化物(比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki)或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物,比如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)或ba
x
ca
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任何组合。在实施方式中,含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0371]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种,和ii)作为键合到金属离子的配体,例如,羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。
[0372]
电子注入层可由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合组成。在实施方式中,电子注入层可进一步包括有机材料(例如,由式601表示的化合物)。
[0373]
在实施方式中,电子注入层可由下述组成:i)含碱金属化合物(例如,碱金属卤化物);ii)a)含碱金属化合物(例如,碱金属卤化物),和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。在实施方式中,电子注入层可为ki:yb共沉积层或rbi:yb共沉积层等。
[0374]
当电子注入层进一步包括有机材料时,碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。
[0375]
电子注入层的厚度可在约至约例如,约至约的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时,可在驱动电压无显著增加的情况下获得令人满意的电子注入特性。
[0376]
第二电极150
[0377]
第二电极150可位于具有此类结构的夹层130上。第二电极150可为阴极(其为电子注入电极),并且作为用于第二电极150的材料,可使用各自具有低功函数的金属、合金、电导性化合物或其任何组合。
[0378]
在实施方式中,第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0379]
第二电极150可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
[0380]
封盖层
[0381]
第一封盖层可位于第一电极110外侧,和/或第二封盖层可位于第二电极150外侧。详细地,发光装置10或20可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以该陈述的顺序依次堆叠的结构,其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该陈述的顺序依次堆叠的结构,或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该陈述的顺序依次堆叠的结构。
[0382]
在发光装置10或20的夹层130的发射层133中产生的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)以及第一封盖层被导向发光装置10或20的外侧表面;或在发光装置10或20的夹层130的发射层133中产生的光可通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)以及第二封盖层被导向发光装置10或20的外侧表面。
[0383]
根据相长干涉的原理,第一封盖层和第二封盖层可增加外部发射效率。因此,发光装置10或20的光提取效率增加,以便可改善发光装置10或20的发光效率。
[0384]
第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括具有1.6或更大的折射率(在589nm处)的材料。
[0385]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层,包括无机材料的无机封盖层,或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。
[0386]
第一封盖层或第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任何组合的取代基取代。
[0387]
在实施方式中,第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
[0388]
在实施方式中,第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物,由式202表示的化合物,或其任何组合。
[0389]
在实施方式中,第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物
ht28至ht33中的一个,化合物cp1至cp6中的一个,β-npb,或其任何组合:
[0390][0391][0392]
电子设备
[0393]
发光装置10或20可包括在各种电子设备中。在实施方式中,包括发光装置10或20的电子设备可为发光设备或认证设备等。
[0394]
除了发光装置10或20之外,电子设备(例如,发光设备)可进一步包括:i)滤色器,ii)颜色转换层,或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于从发光装置10或20发射的光的至少一个传播方向上。在实施方式中,从发光装置10或20发射的光可为蓝光。发光装置10或20可与以上描述的相同。在实施方式中,颜色转换层可包括量子点。
[0395]
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域,滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域,并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
[0396]
像素限定层可位于多个子像素区域之间以限定多个子像素区域中的每一个。
[0397]
滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的遮光图案,并且颜色转换层可包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的遮光图案。
[0398]
滤色器区域(或颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域,发射第二颜色光的第二区域,和/或发射第三颜色光的第三区域,并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在实施方式中,第一颜色光可为红光,第二颜色光可为绿光,且第三颜色光可为蓝光。在实施方式中,滤色器区域(或颜色转换区域)可包括量
子点。详细地,第一区域可包括红色量子点,第二区域可包括绿色量子点,并且第三区域可不包括量子点。量子点与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体。
[0399]
在实施方式中,发光装置10或20可发射源光,第一颜色区域可吸收源光以发射第一颜色光,第二颜色区域可吸收源光以发射第二颜色光,并且第三颜色区域可吸收源光以发射第三颜色光。就此而言,第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可具有不同的最大发射波长。详细地,源光可为蓝光,第一颜色光可为红光,第二颜色光可为绿光,且第三颜色光可为蓝光。
[0400]
除了如上所述的发光装置10或20之外,电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层,其中源电极和漏电极中的任一个可电连接到发光装置10或20的第一电极110和第二电极150中的任一个。
[0401]
薄膜晶体管可进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
[0402]
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。
[0403]
电子设备可进一步包括用于密封发光装置10或20的密封部分。密封部分可位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置10或20之间。密封部分允许来自发光装置10或20的光被提取到外侧,同时同步地防止环境空气和水分渗透到发光装置10或20中。密封部分可为包括透明玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时,电子设备可为柔性的。
[0404]
除了滤色器和/或颜色转换层之外,根据电子设备的用途,各种功能层可另外位于密封部分上。功能层可包括触摸屏层和偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为,例如,通过使用活体(例如,指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个人的生物测定认证设备。
[0405]
除了发光装置10或20之外,认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
[0406]
电子设备可应用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如,移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如,电子体温计、血压计、血糖计、脉冲测量装置、脉冲波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如,用于车辆、飞机和船只的仪表)和投影仪等。
[0407]
图6为发光设备的截面图,其为根据本公开的实施方式的电子设备的示例。
[0408]
图6的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。
[0409]
基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可形成在基板100上。缓冲层210可防止杂质从基板100渗透并且可在基板100上提供平坦的表面。
[0410]
tft可位于缓冲层210上。tft可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0411]
有源层220可包括无机半导体(比如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体,并且可包括源区、漏区或沟道区。
[0412]
用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以位于有源层220上,并且栅电极240可以位于栅绝缘膜230上。
[0413]
夹层绝缘膜250位于栅电极240上。夹层绝缘膜250可置于栅电极240和源电极260
之间以将栅电极240与源电极260绝缘,并且置于栅电极240和漏电极270之间以将栅电极240与漏电极270绝缘。
[0414]
源电极260和漏电极270可位于夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区,并且源电极260和漏电极270可与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
[0415]
tft电连接到发光装置以驱动发光装置,并且被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0416]
第一电极110可形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并暴露漏电极270的一部分,并且第一电极110连接到漏电极270的暴露部分。
[0417]
含有绝缘材料的像素限定层290可位于第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区,并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管图6中未示出,但是夹层130的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部分,从而以公共层的形式放置。
[0418]
第二电极150可位于夹层130上,并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。
[0419]
封装部分300可位于封盖层170上。封装部分300可位于发光装置上以保护发光装置免受水分或氧气的影响。封装部分300可包括:无机膜,该无机膜包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任何组合;有机膜,该有机膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如,聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如,脂族缩水甘油醚(age)等)或其组合;或无机膜和有机膜的组合。
[0420]
图7为发光设备的截面图,其为根据本公开的另一实施方式的电子设备的示例。
[0421]
图7的发光设备与图6的发光设备相同,不同的是遮光图案500和功能区400另外位于封装部分300上。功能区400可为:i)滤色器区域,ii)颜色转换区域,或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。
[0422]
制造方法
[0423]
包括在空穴传输区131中的各个层、发射层133和包括在电子传输区135中的各个层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇注、朗缪尔-布罗基特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一个或多个适当的方法形成在特定区中。
[0424]
当构成空穴传输区131的层、发射层133和构成电子传输区135的层通过真空沉积形成时,根据要包括在要形成的层中的材料和要形成的层的结构,可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度下进行沉积。
[0425]
术语的定义
[0426]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基”指仅由碳作为成环原子组成且具有3至60个碳原子的环状基团,并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基”指具有1至60个碳原子并且除了碳之外进一步具有杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如,c
1-c
60
杂环基具
有3至61个成环原子。
[0427]
如本文使用的“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基。
[0428]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”指具有3至60个碳原子且不包括*-n=*'作为成环部分的环状基团,并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团”指具有1至60个碳原子且包括*-n=*'作为成环部分的杂环基。
[0429]
在实施方式中,c
3-c
60
碳环基可为i)基团t1或ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠合环状基团(例如,环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基),
[0430]c1-c
60
杂环基可为i)基团t2,ii)其中两个或更多个基团t2彼此稠合的稠合环状基团,或iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合的稠合环状基团(例如,吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等),
[0431]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可为i)基团t1,ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠合环状基团,iii)基团t3,iv)其中两个或更多个基团t3彼此稠合的稠合环状基团,或v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合的稠合环状基团(例如,c
3-c
60
碳环基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等),
[0432]
缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团可为i)基团t4,ii)其中两个或更多个基团t4彼此稠合的稠合环状基团,iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此稠合的稠合环状基团,iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此稠合的稠合环状基团,或v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此稠合的稠合环状基团(例如,吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉
基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等),
[0433]
基团t1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基,
[0434]
基团t2可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基,
[0435]
基团t3可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基,并且
[0436]
基团t4可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0437]
如本文使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基”、“c
1-c
60
杂环基”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”或“缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团”指根据使用术语所结合的式的结构,与环状基团或多价基团(例如,二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团。在实施方式中,“苯基”可为苯并基、苯基或亚苯基等,这可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构来容易地理解。
[0438]
单价c
3-c
60
碳环基和单价c
1-c
60
杂环基的实例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团,且二价c
3-c
60
碳环基和二价c
1-c
60
杂环基的实例可包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。
[0439]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团,并且其实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”指与c
1-c
60
烷基具有相同的结构的二价基团。
[0440]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基,并且其实例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”指与c
2-c
60
烯基具有相同的结构的二价基团。
[0441]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基,并且其实例包括乙炔基和丙炔基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”指与c
2-c
60
炔基具有相同的结构的二价基团。
[0442]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
(其中a
101
为c
1-c
60
烷基)表示的单价
基团,并且其实例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0443]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环状基团,并且其实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”指与c
3-c
10
环烷基具有相同的结构的二价基团。
[0444]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子且具有1至10个碳原子的单价环状基团,并且其实例为1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指与c
1-c
10
杂环烷基具有相同的结构的二价基团。
[0445]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且无芳香性的单价单环基团,并且其实例为环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”指与c
3-c
10
环烯基具有相同的结构的二价基团。
[0446]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”指在其环结构中除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子、1至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”指与c
1-c
10
杂环烯基具有相同的结构的二价基团。
[0447]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基”指具有碳环芳族系统(具有6至60个碳原子)的单价基团,且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有碳环芳族系统(具有6至60个碳原子)的二价基团。c
6-c
60
芳基的实例为苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自包括两个或更多个环时,这些环可彼此稠合。
[0448]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团,该杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子,并具有1至60个碳原子。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团,该杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子,并具有1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的实例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环时,这些环可彼此稠合。
[0449]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有彼此稠合的两个或更多个环、仅碳原子(例如,具有8至60个碳原子)作为成环原子,且当作为整体考虑时在其整个分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的实例为茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指与单价非芳族稠合多环基团具有相同的结构的二价基团。
[0450]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有彼此稠合的两个或更多个环、除碳原子(例如,具有1至60个碳原子)之外还具有至少一个杂原子作为成环原子,且当作为整体考虑时在其整个分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳族稠合杂多环基团的实例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并
噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指与单价非芳族稠合杂多环基团具有相同的结构的二价基团。
[0451]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指示-oa
102
(其中a
102
为c
6-c
60
芳基),并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指示-sa
103
(其中a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0452]
如本文使用的术语“c
7-c
60
芳基烷基”指-a
104a105
(其中a
104
可为c
1-c
54
亚烷基,且a
105
可为c
6-c
59
芳基),并且如本文使用的术语“c
2-c
60
杂芳基烷基”指-a
106a107
(其中a
106
可为c
1-c
59
亚烷基,且a
107
可为c
1-c
59
杂芳基)。
[0453]r10a
可为:
[0454]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基;
[0455]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基:氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(=o)(q
11
)、-s(=o)2(q
11
)、-p(=o)(q
11
)(q
12
)或其任何组合;
[0456]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基:氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(=o)(q
21
)、-s(=o)2(q
21
)、-p(=o)(q
21
)(q
22
)或其任何组合;或
[0457]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(=o)(q
31
)、-s(=o)2(q
31
)或-p(=o)(q
31
)(q
32
)。
[0458]
本文使用的q1、q2、q3、q
11
、q
12
、q
13
、q
21
、q
22
、q
23
、q
31
、q
32
和q
33
可各自独立地为:氢;氘;-f;-cl;-br;-i;羟基;氰基;硝基;c
1-c
60
烷基;c
2-c
60
烯基;c
2-c
60
炔基;c
1-c
60
烷氧基;各自未被取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基;c
7-c
60
芳基烷基;或c
2-c
60
杂芳基烷基。
[0459]
如本文使用的术语“杂原子”指除碳原子之外的任何原子。杂原子的实例为o、s、n、p、si、b、ge、se及其任何组合。
[0460]
如本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)和金(au)等。
[0461]
如本文使用的术语“ph”指苯基,如本文使用的术语“me”指甲基,如本文使用的术语“et”指乙基,如本文使用的术语“tert-bu”或“bu
t”指叔丁基,且如本文使用的术语“ome”指甲氧基。
[0462]
如本文使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说,“联苯基”为具有c6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0463]
如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。例如,“三联苯基”可为具有被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0464]
除非另外定义,否则如本文使用的*和*'各自指与在对应的式或部分中的相邻原子的结合位点。
[0465]
下文,将参考合成例和实施例详细地描述根据实施方式的化合物和根据实施方式的发光装置。在描述合成例中使用的短语“用b代替a”指用相等的摩尔当量的b代替a。
[0466]
评估例1
[0467]
npa、sbff、化合物a1(1)、a1(2)、a1(3)、a1(4)和a1(5)、化合物a2(1)、a2(2)、a2(3)和a2(4)以及化合物a3(1)中的每一个的homo能级和lumo能级使用基于b3lyp/6-311g(d,p)的dft方法使用高斯09程序来评估,并且结果示于表1中。同时,npa、sbff、化合物a1(1)、a1(2)、a1(3)、a1(4)和a1(5),化合物a2(1)、a2(2)、a2(3)、a2(4)以及化合物a3(1)中的每一个的空穴迁移率和电子迁移率根据表2中描述的方法来评估,并且结果示于表1中。
[0468]
表1
[0469][0470]
[0471][0472][0473]
表2
[0474][0475]
根据表1可确认,化合物a1(1)、a1(2)、a1(3)、a1(4)和a1(5)各自具有相对高的μe/μh的值。
[0476]
评估例2
[0477]
由npa和化合物a1(1)中的每一个的瞬态el光谱评估每种化合物的ttf率,并且使用传感层实验和动力学蒙特卡罗(kmc)模拟评估npa和化合物a1(1)中的每一个的漏电率。其结果在表3中示出。
[0478]
表3
[0479] npaa1(1)ttf率(%)8.319.7漏电率(%)0.200.83
[0480]
实施例1
[0481]
将包括15ω/cm2(120nm)的ito电极(阳极)的玻璃基板(康宁公司的产品)切成50mm x 50mm x 0.7mm的尺寸,用异丙醇超声处理一次,并用纯水超声处理一次,每次5分钟,然后通过用紫外线照射并暴露于臭氧30分钟来清洁。然后,将玻璃基板引入真空沉积设备中。
[0482]
将f4tcnq和4p-npd以3∶97的重量比共沉积在ito电极上,以形成厚度为10nm的空穴注入层,将4p-npd沉积在空穴注入层上以形成厚度为120nm的空穴传输层,并且将tnpa和化合物a3(1)以95∶5的重量比共沉积在空穴传输层上,以形成厚度为5nm的电子俘获层,从而完成空穴传输区的形成。
[0483]
将化合物a1(1)和dfdpa以97∶3的重量比共沉积在空穴传输区上,以形成厚度为10nm的第一发射层,并且将化合物a2(1)和dfdpa以97∶3的重量比共沉积在第一发射层上,以形成厚度为10nm的第二发射层,从而完成发射层的形成。
[0484]
将tnpt沉积在发射层上以形成厚度为5nm的空穴阻挡层,将b3pyptz沉积在空穴阻挡层上以形成厚度为30nm的电子传输层,并且将liq沉积在电子传输层上以形成厚度为15nm的电子注入层,从而完成电子传输区的形成。
[0485]
将al沉积在电子传输区上以形成厚度为10nm的阴极,从而完成有机发光装置的制
造,该有机发光装置具有ito(120nm)/f4tcnq(3wt%)+4p-npd(10nm)/4p-npd(120nm)/tnpa+a3(1)(5wt%)(5nm)/a1(1)+dfdpa(3wt%)(10nm)/a2(1)+dfdpa(3wt%)(10nm)/tnpt(5nm)/b3pyptz(30nm)/liq(15nm)/al(10nm)的结构。
[0486][0487]
实施例2
[0488]
以与实施例1中相同的方式制造具有ito(120nm)/f4tcnq(3wt%)+4p-npd(10nm)/4p-npd(120nm)/tnpa(5nm)/a1(1)+dfdpa(3wt%)(10nm)/a2(1)+dfdpa(3wt%)(10nm)/
tnpt(5nm)/b3pyptz(30nm)/liq(15nm)/al(10nm)的结构的有机发光装置,不同的是将tnpa沉积在空穴传输层上以形成厚度为5nm的电子俘获层。
[0489]
比较例1
[0490]
以与实施例1中相同的方式制造具有ito(120nm)/f4tcnq(3wt%)+4p-npd(10nm)/4p-npd(120nm)/tnpa(5nm)/npa+dfdpa(3wt%)(20nm)/tnpt(5nm)/b3pyptz(30nm)/liq(15nm)/al(10nm)的结构的有机发光装置,不同的是:1)将tnpa沉积在空穴传输层上以形成厚度为5nm的电子俘获层,和2)代替第一发射层和第二发射层,将npa和dfdpa以97:3的重量比共沉积在空穴传输区上以形成厚度为20nm的发射层。
[0491][0492]
比较例2
[0493]
以与实施例1中相同的方式制造具有ito(120nm)/f4tcnq(3wt%)+4p-npd(10nm)/4p-npd(120nm)/tnpa(5nm)/npa+dfdpa(3wt%)(10nm)/sbff+dfdpa(3wt%)(10nm)/tnpt(5nm)/b3pyptz(30nm)/liq(15nm)/al(10nm)的结构的有机发光装置,不同的是:1)将tnpa沉积在空穴传输层上以形成厚度为5nm的电子俘获层,2)将npa和dfdpa以97:3的重量比共沉积在空穴传输区上以形成厚度为10nm的第一发射层,和3)将sbff和dfdpa以97:3的重量比共沉积在第一发射层上以形成厚度为10nm的第二发射层。
[0494][0495]
评估例3
[0496]
实施例1和2以及比较例1和2中使用的化合物中的化合物的homo能级和lumo能级使用基于b3lyp/6-311g(d,p)的dft方法使用高斯09程序来评估,并且其结果示于表4中。
[0497]
表4
[0498][0499]
评估例4
[0500]
对于实施例1和2以及比较例1和2中制造的有机发光装置,使用keithley mu 236和亮度计pr650分别测量1000cd/m2下的驱动电压、发光效率、y色坐标(cie_y)和寿命(t
97
),并且结果示于表6中。作为参考,在实施例1和2以及比较例1和2中制造的有机发光装置中的每一个的电子俘获层和发射层的配置总结在表5中。在表6中,寿命(t
97
)为当亮度达到初始亮度的97%时所用的时间(小时)的量度。同时,在实施例1和比较例1中制造的有机发光装置中的每一个的亮度-发光效率图示于图8中。
[0501]
表5
[0502]
[0503][0504]
表6
[0505][0506]
根据表6和图8可确认,与比较例1和2的有机发光装置相比,实施例1和2的有机发光装置具有改善的驱动电压、改善的发光效率、改善的颜色纯度和改善的寿命特性。
[0507]
发光装置具有高发光效率和长寿命,因此,可用于制造高质量电子设备。
[0508]
应理解,本文描述的实施方式应仅以描述意义考虑,而不是为了限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参考图描述了一个或多个实施方式,但是本领域普通技术人员将理解,在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下,可以在其中进行形式和细节上的各种改变。
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