显示设备的制作方法

显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月31日提交的韩国专利申请no.10-2020-0189671的权益，通过引用将该专利申请并入本文，如同在本文完全阐述一样。
技术领域
3.本发明涉及一种显示设备。


背景技术：

4.随着信息社会的发展，对于显示图像的显示设备的需求以各种形式增加。因此，近来采用了诸如液晶显示器(lcd)、等离子体显示面板(pdp)以及有机发光显示器(oled)之类的各种显示设备。
5.在显示设备之中，有机发光显示设备是自发光型显示设备，其相比lcd具有卓越的视角和对比度，由于不需要单独的背光而具有轻重量和薄外形，并且在功耗方面具有优势。此外，有机发光显示设备可利用低dc电压来驱动，具有快速响应速度，并且制造成本较低。
6.同时，在相关技术的有机发光显示器的多个像素中，在相邻像素之间可流动侧向漏电流(llc)，从而使显示质量劣化。


技术实现要素：

7.因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的显示设备。
8.本发明的一个方面旨在提供一种显示设备，其在防止侧向漏电流出现的同时稳定地包括封装层。
9.在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分在研究以下内容之后对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实践领会到。本发明的这些目的和其他优点可通过说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
10.为了实现这些和其他优点并根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，提供了一种显示设备，包括：基板，所述基板包括多个子像素以及设置在所述多个子像素的每一个的一侧上的多个接触部；设置在所述基板上的绝缘层；第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上并且设置在所述多个子像素的每一个中以及所述多个接触部的每一个中；设置在所述第一电极上的围栏部；设置在所述绝缘层、所述围栏部和所述第一电极上的发光层；设置在所述发光层上的第二电极；设置在所述第二电极上的填充层；以及设置在所述围栏部和所述绝缘层中的沟槽，其中所述沟槽包括设置在彼此相邻的接触部之间的第一沟槽以及设置在彼此相邻的子像素之间的第二沟槽，所述发光层包括位于所述第二沟槽中的空隙，所述空隙被填充与构成所述填充层的材料相同的填充物。
11.根据本发明的另一方面，提供一种显示设备，包括：包括多个子像素的基板；第一
电极，所述第一电极设置在位于所述基板上的多个子像素的每一个中；设置在所述第一电极上的发光层；设置在所述发光层上的第二电极；设置在所述第二电极上的填充层；以及设置在所述多个子像素之间的沟槽，其中所述沟槽包括具有第一宽度的第一沟槽和具有小于所述第一宽度的第二宽度的第二沟槽，其中所述发光层的一部分在所述第一沟槽中是连续的并且在所述第二沟槽中是断开的。
12.应当理解，本发明前面的概括描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，旨在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
13.给本发明提供进一步理解并且并入本技术组成本技术一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
14.图1是图解根据本发明实施方式的显示设备的示例的示意性平面图。
15.图2是图解图1的区域i-i’的示例的显示设备的示意性剖视图。
16.图3是图解图1的区域ii-ii’的示例的显示设备的示意性剖视图。
17.图4是图解图1的区域iii-iii’的示例的显示设备的示意性剖视图。
18.图5a至图5d是图解用于形成根据本发明的显示设备的工艺的剖视图。
19.图6是图解根据本发明的显示设备的另一示例的剖视图。
20.图7a和7b是图解根据本发明的显示设备的像素结构的另一示例的平面图。
21.图8a至8c关于根据本发明另一实施方式的显示设备，其涉及头戴式显示器(hmd)设备。
具体实施方式
22.现在将详细参考本发明的示例性实施方式进行描述，附图中图解了这些实施方式的一些例子。尽可能地将在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部分。
23.将通过参照附图描述的以下实施方式阐明本发明的优点和特征以及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此列出的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本发明的公开内容全面和完整，并将本发明的范围充分地传递给所属领域技术人员。另外，本发明仅由权利要求书的范围限定。
24.为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、大小、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图解的细节。相似的参考标记通篇指代相似的要素。在下面的描述中，当确定对相关已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。在本技术中使用“包括”、“具有”和“包含”进行描述的情况下，可添加其他部分，除非使用了“仅”。
25.在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包含误差范围。
26.在描述位置关系时，例如，当两部分之间的位置关系被描述为“在
……
上”、“在
……
上方”、“在
……
下方”和“在
……
之后”时，可在这两部分之间设置一个或多个其他部分，除非使用了“正好”或“直接”。
27.在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在
……
之后”、“随后”、“接下来”和“在
……
之前”时，可包括不连续的情况，除非使用了“正好”或“直接”。
28.将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但这些要素不应受这些术语限制。这些术语仅仅是用来将一要素与另一要素区分开。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一要素可能称为第二要素，类似地，第二要素可能称为第一要素。
29.在描述本发明的要素时，可使用诸如第一、第二、a、b、(a)、(b)等之类的术语。这些术语仅用于将相应要素与其他要素区分开，这些术语不限制相应要素的本质、次序或优先顺序。将理解到，当称一要素或层在另一要素或层“上”或“连接至”另一要素或层时，该要素或层可直接位于另一要素或层上或者直接连接至另一要素或层，或者可存在中间要素或层。此外，应当理解到，当一要素设置在另一要素上方或下方时，其可表示这些要素设置成彼此直接接触的情况，但也可表示这些要素彼此不直接接触地设置。
30.术语“至少一个”应当理解为包括相关所列要素中的一个或多个的任意一个和所有组合。例如，“第一要素、第二要素和第三要素中的至少一个”的含义表示选自第一要素、第二要素和第三要素中的两个或更多个要素的所有要素的组合以及第一要素、第二要素或第三要素。
31.如所属领域技术人员能够充分理解的，本发明各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立实施，或者可以相互依赖的关系一起实施。
32.下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式。
33.图1是图解根据本发明实施方式的显示设备的示例的示意性平面图。
34.参照图1，显示设备可包括：发光的第一子像素p1、第二子像素p2和第三子像素p3；设置在第一子像素p1、第二子像素p2和第三子像素p3的每一个的一侧上的第一接触部c1、第二接触部c2和第三接触部c3；以及位于每个子像素p1、p2、p3之间的边界区域。第一子像素p1可发射第一颜色的光，第二子像素p2可发射第二颜色的光，第三子像素p3可发射第三颜色的光，但本发明不限于此。第一接触部c1是第一子像素p1中的第一电极(例如阳极)连接至驱动薄膜晶体管(tft)的源极或漏极的部分，第二接触部c2是第二子像素p2中的第一电极(例如阳极)连接至驱动tft的源极或漏极的部分，第三接触部c2是第三子像素p3中的第一电极(例如阳极)连接至驱动tft的源极或漏极的部分。此外，沟槽t可设置在两个相邻的接触部c1至c3之间以及在两个相邻的子像素p1至p3之间。在这种情形下，设置在两个相邻的接触部c1至c3之间的沟槽t的宽度可大于设置在两个相邻的子像素p1至p3之间的沟槽t的宽度。
35.图2是图解图1的区域i-i’的示例的显示设备的示意性剖视图，其示出了第一接触部c1、第二接触部c2以及位于第一接触部c1和第二接触部c2之间的边界区域。
36.如从图2能够看出的，根据本发明实施方式的显示设备包括基板100、电路元件层200、绝缘层300、围栏部(fence)f、第一电极410、发光层420、第二电极430和填充层500。
37.基板100可由玻璃或塑料形成，但不限于此，其可由诸如硅晶片之类的半导体材料形成。
38.根据本发明实施方式的显示设备可形成为所谓的顶部发光模式，其中发出的光被向上发射。因此，作为基板100的材料，不仅可使用透明材料，而且可使用不透明材料。
39.电路元件层200形成在基板100上。
40.在电路元件层200中，设置有包括各种信号线、薄膜晶体管(tft)和电容器的电路
元件。信号线可包括栅极线、数据线、电源线和基准线，tft可包括开关tft、驱动tft和感测tft。
41.开关tft根据提供给栅极线的栅极信号进行切换，并且用于将从数据线提供的数据电压提供给驱动tft。
42.驱动tft根据从开关tft提供的数据电压进行切换，以根据从电源线提供的电源来产生数据电流并将产生的数据电流提供给第一电极410。
43.感测tft用于感测会导致图像质量退化的驱动tft的阈值电压偏差，并且响应于从栅极线或单独的感测线提供的感测控制信号，感测tft将来自驱动tft的电流提供给基准线。
44.电容器用于将提供给驱动tft的数据电压保持一帧，并连接至驱动tft的栅极端子和源极端子。
45.绝缘层300设置在电路元件层200上。绝缘层300可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等之类的有机膜形成。可选地，绝缘层300可由诸如硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物之类的无机层形成。
46.在两个接触部c1和c2之间的边界区域中，第一沟槽t1设置在绝缘层300中。第一沟槽t1可穿透围栏部f并且可在不穿透绝缘层300的条件下延伸至位于绝缘层300内部的确定区域。但是，本发明不必限于此，第一沟槽t1可穿透围栏部f和绝缘层300，并且可延伸至位于其下方的电路元件层200内部的确定区域。
47.第一电极410设置在绝缘层300上。第一电极410针对每个子像素被图案化并且延伸至接触部c1和c2，如图所示。尽管未具体示出，但是第一电极410连接至在每个接触部c1、c2中的电路元件层200中设置的驱动tft的源极或漏极。第一电极410可用作显示设备的阳极。
48.第一电极410由金属材料形成，或者可被配置为由铝(al)、银(ag)、铜(cu)、镁(mg)、钼(mo)和钛(ti)之中的金属材料或其合金形成的单层或多层。
49.围栏部f形成在第一电极410上，并且具体地，形成为覆盖第一电极410的一端以防止电流集中在第一电极410的一端上。围栏部f包括第一沟槽t1并且形成在接触部c1和c2中以及在彼此相邻的接触部c1和c2之间的边界区域的一部分中。
50.发光层420形成在绝缘层300和围栏部f上。也就是说，发光层420形成在两个接触部c1和c2中以及在两个接触部c1和c2之间的边界区域中。
51.发光层420可设置成发射白色w光。为此，发光层420可包括发射不同颜色光的多个叠层。具体地，发光层420可包括第一叠层421、第二叠层423以及设置在第一叠层421和第二叠层423之间的电荷生成层cgl 422。
52.第一叠层421可包括依次堆叠的空穴注入层、第一空穴传输层、第一有机发光层和第一电子传输层，第二叠层423可包括依次堆叠的第二空穴传输层、第二有机发光层、第二电子传输层和电子注入层，电荷生成层422可包括用于向第一叠层421提供电子的n型电荷生成层以及用于向第二叠层423提供空穴的p型电荷生成层。
53.发光层420形成在第一沟槽t1的下表面和侧表面上。当发光层420形成在第一沟槽t1中时，第一叠层421、电荷生成层422和第二叠层423的每一个可形成为连续的。但是，在与
第一沟槽t1交叠的区域中发光层420的厚度可小于在不与第一沟槽t1交叠的区域中发光层420的厚度。在与第一沟槽t1交叠的区域中，发光层420可沿着第一沟槽t1的内部形成为连续的，并且可具有凹形。
54.第二电极430设置在发光层420上。第二电极430可用作显示设备的阴极。如同发光层420那样，在两个接触部c1和c2中以及在位于两个接触部c1和c2之间的边界区域中形成第二电极430。此外，由于第二电极430形成在第一沟槽t1中的发光层420的上表面上，所以第二电极430可沿着第一沟槽t1的内部形成为连续的，并且可在与第一沟槽t1交叠的区域中形成为具有凹形。
55.由于根据本发明实施方式的显示设备被形成为顶部发光模式，所以第二电极430可由诸如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)之类的透明金属材料形成，从而使得从发光层420发出的光可向上透射。此外，第二电极430可由单层或多层形成。
56.填充层500设置在第二电极430上。由于根据本发明实施方式的显示设备具有顶部发光型，所以填充层500可由透明材料形成以允许从发光层420发出的光向上透射。例如，填充层500可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂之类的有机材料形成。
57.此外，填充层500被形成为填充第一沟槽t1的内部空间。即，填充层500被形成为填充第二电极430的凹部区域的至少一部分。因此，在与第一沟槽t1交叠的填充层500的区域和不与第一沟槽t1交叠的填充层500的区域之间的台阶差的尺寸可小于在与第一沟槽t1交叠的第二电极430的区域和不与第一沟槽t1交叠的第二电极430的区域之间的台阶差的尺寸。
58.图3是图解图1的区域ii-ii’的示例的显示设备的示意性剖视图，其中第一子像素p1、第二子像素p2以及位于第一子像素p1和第二子像素p2之间的边界区域被示出。
59.由于图3所示的基板100和电路元件层200具有与根据上述图2所示的显示设备的基板100和电路元件层200相同的结构，所以省略其描述。
60.第二沟槽t2设置在位于第一子像素p1和第二子像素p2之间的边界区域中的绝缘层300中。第二沟槽t2可穿透围栏部f并且可在不穿透绝缘层300的条件下延伸至位于绝缘层300内部的预定区域。但是，本发明不限于此，第二沟槽t2可穿透围栏部f和绝缘层300，并且可延伸至位于其下方的电路元件层200内部的预定区域。此外，第二沟槽t2的宽度w2可小于图2的第一沟槽t1的宽度w1。
61.围栏部f可在两个子像素p1和p2之间的边界区域中形成为矩阵结构，并且覆盖设置在子像素p1和p2的每一个中的第一电极410的两端。因此，未被围栏部f覆盖的第一电极410的暴露区域是发光区域。
62.此外，由于围栏部f被形成为覆盖第一电极410的一部分上表面以及第一电极410的端部的侧表面，所以可防止电流集中在第一电极410的一端上以降低发光效率的问题。此外，围栏部f可由无机绝缘膜形成，但不必限于此，其可由有机绝缘膜形成。
63.发光层420形成在绝缘层300、围栏部f和第一电极410上。也就是说，发光层420形成在子像素p1和p2中以及位于两个子像素p1和p2之间的边界区域中。
64.如上所述，发光层420可包括第一叠层421、电荷生成层422和第二叠层423。
65.发光层420形成在第二沟槽t2的内部和上部。当发光层420形成在第二沟槽t2中
时，发光层420的至少一部分断开，由此防止在相邻的子像素p1和p2之间出现漏电流。
66.第一叠层421可形成在第二沟槽t2的内侧表面和下表面上。在这种情形下，第一叠层421的至少一部分可以不是连续的，可在第二沟槽t2中断开。例如，构成第一叠层421的空穴注入层、第一空穴传输层、第一有机发光层和第一电子传输层的至少之一可在第二沟槽t2中断开。第一叠层421的一部分在第二沟槽t2中可以是连续的。例如，构成第一叠层421的空穴注入层、第一空穴传输层、第一有机发光层和第一电子传输层的一些可形成为在第二沟槽t2的侧表面和下表面上是连续的。
67.电荷生成层422设置在第一叠层421上。在这种情形下，电荷生成层422在第二沟槽t2内部或者在与第二沟槽t2交叠的区域内部可以是断开的。因此，电荷不会经由位于彼此相邻设置的子像素p1和p2之间且其间插置有第二沟槽t2的电荷生成层422移动。
68.第二叠层423可形成在电荷生成层422上。在这种情形下，第二叠层423的至少一部分可以不是连续的，可在彼此相邻设置的子像素p1和p2(其间插置有第二沟槽t2)之间断开。例如，构成第二叠层423的第二空穴传输层、第二有机发光层和第二电子传输层的至少之一可在电荷生成层422上断开。此外，第二叠层的一部分在彼此相邻设置的子像素p1和p2(其间插置有第二沟槽t2)之间可以是连续的。例如，构成第二叠层423的第二空穴传输层、第二有机发光层和第二电子传输层的一些可形成为在电荷生成层422上是连续的。因此，电荷可经由位于彼此相邻设置的子像素p1和p2之间且其间插置有第二沟槽t2的第二叠层423移动。
69.在这种情形下，与第二沟槽t2区域交叠的第二叠层423的厚度可小于不与第二沟槽t2区域交叠的第二叠层423的厚度。具体地，由于第二叠层423在彼此分隔且其间插置有第二沟槽t2的左和右电荷生成层422的上表面上彼此分隔的同时沉积和接触，所以第二叠层423的一部分下表面可在第二沟槽t2上方断开。例如，构成第二叠层423的第二空穴传输层、第二有机发光层和第二电子传输层的至少之一可在与第二沟槽t2交叠的区域中断开。
70.填充层填充在发光层420的空隙g中。具体地，空隙g和填充层可设置在第二沟槽t2内部，并且可从第二沟槽t2向上延伸。此时，空隙g和填充层的一端可形成在比电荷生成层422高的位置处，从而电荷生成层422可由于空隙g和填充层而在第二沟槽t2上断开。
71.第二电极430设置在第二叠层423上，填充层500设置在第二电极430上。此外，设置在第二电极430上的填充层500由与填充空隙g的填充层相同的材料形成。
72.图4是图解图1的区域iii-iii’的示例的显示设备的示意性剖视图，其中位于相邻接触部c2和c3之间的区域以及位于相邻子像素p2和p3之间的沟槽区域t1和t2被示出。
73.由于图4所示的基板100和电路元件层200具有与根据上述图2所示的显示设备的基板100和电路元件层200相同的结构，所以省略其描述。
74.绝缘层300设置在电路元件层200上，并且在图4中，示出了形成第一沟槽t1和第二沟槽t2的下表面的绝缘层300。因此，图4的绝缘层300的厚度被显示为相对小于上述图2和图3的绝缘层300的厚度。第一沟槽t1和第二沟槽t2连接，开口550设置在第一沟槽t1区域中，开口550不设置在第二沟槽t2区域中。
75.第一叠层421、电荷生成层422、第二叠层423和第二电极430可设置在第一沟槽t1的下表面上。这对应于上述图2中的第一沟槽t1的中心部分的剖面。
76.填充层500设置在位于第二沟槽t2内部的空隙g中，第一叠层421设置在第二沟槽
t2内部的下表面上，具体地，位于空隙g中的填充层500下方，第二叠层423可设置在空隙g中的填充层500上方，并且由于电荷生成层422通过空隙g和填充层500断开，电荷生成层422未显示在图4中。这对应于上述图3中的第二沟槽t2的中心部分的剖面。
77.由于第一沟槽t1的宽度w1大于第二沟槽t2的宽度w2，第一叠层421材料在沉积第一叠层421的工艺中更容易沉积在第一沟槽t1的内部，由此设置在第一沟槽t1的下表面上的第一叠层421的厚度可大于设置在第二沟槽t2的下表面上的第一叠层421的厚度。
78.通过开口550引入的填充层500填充第一沟槽t1的整个内部区域，并且基于第二沟槽t2扩展到空隙g以填充第二沟槽t2的内部空间。此时，引入填充层500的空隙g的容积可大于在形成填充层500之前空隙g的容积。也就是说，随着引入填充层500，可增大空隙g的尺寸。
79.设置在第一沟槽t1中的填充层500可接触第一叠层421和第二叠层422(其接触与第二沟槽t2交叠的区域)，并且填充空隙g的填充材料(填充物)可接触设置在第一沟槽t1中的第一叠层421、电荷生成层422和第二叠层423。
80.尽管未示出，但是可在第二电极430上设置封装层和滤色器。
81.结果，在本发明中，通过在彼此相邻的接触部c1至c3之间设置具有相对较大宽度的第一沟槽t1、并且在彼此相邻的子像素p1至p3之间设置具有相对较小宽度的第二沟槽t2，开口550可形成在第一沟槽t1区域中并且空隙g形成在第二沟槽t2区域中。作为一个示例，第二沟槽t2可设置在第一子像素p1的第一电极和第二子像素p2的第一电极之间，并且第一沟槽t1可设置在位于第一子像素p1的一侧上的第一接触部c1和位于第二子像素p2的一侧上的第二接触部c2之间。在此，填充层500经由第一沟槽t1区域的开口550引入，并且引入的填充层500在填充第二沟槽t2区域的空隙g的内部空间的同时增大了空隙g的容积以使电荷生成层422断开，由此稳定地防止流入到相邻子像素p1至p3之间的边界区域中的漏电流的出现。具体地，电荷生成层422具有高于第一叠层421和第二叠层423的导电率。尤其是，由于构成电荷生成层422的n型电荷生成层可包括金属材料，所以其导电率高于第一叠层421和第二叠层423的导电率。也就是说，在彼此相邻设置的子像素p1和p2之间的电荷可主要经由电荷生成层422传输，并且经由第二叠层423传输的电荷量不明显。因此，通过将电荷生成层422形成为在第二沟槽t2内部断开，在彼此相邻设置的子像素p1至p3之间的电荷传输可减少，由此防止了漏电流的出现。此外，由于空隙g的扩大，在第二电极430的上表面和与第二沟槽t2交叠的区域的发光层420之间的台阶差可减小，由此稳定地将封装层沉积在第二电极430上。
82.图5a至图5d是图解用于形成根据本发明的显示设备的工艺的剖视图。
83.参照图5a，电路元件层200形成在基板100上，绝缘层300形成在电路元件层200上，第一电极410形成在绝缘层300上，围栏部f形成在第一电极410上，第一沟槽t1和第二沟槽t2形成在围栏部f和绝缘层300中。通过在第一接触部c1和第二接触部c2之间的区域中蚀刻围栏部f和绝缘层300，形成第一沟槽t1，并且通过在第一子像素p1和第二子像素p2之间的区域中蚀刻围栏部f和绝缘层300，形成第二沟槽t2。此处，如上所述，第一沟槽t1的宽度w1大于第二沟槽t2的宽度w2。
84.参照图5b，发光层420形成在绝缘层300、围栏部f和第一电极410上。也就是说，第一叠层421、电荷生成层422和第二叠层423可依次沉积在绝缘层300、围栏部f和第一电极
410上以形成发光层420。此外，第二电极430形成在发光层420上。
85.此时，发光层420可被形成为覆盖第一沟槽t1内部的侧表面和下表面，并且与第一沟槽t1交叠的发光层420的区域可具有凹形，可提供开口550。此外，第一叠层421、电荷生成层422和第三叠层423可连续地形成在第一沟槽t1中，即在第一沟槽t1中彼此连接。
86.发光层420可被形成为覆盖第二沟槽t2内部的侧表面和下表面。由于第二沟槽t2的宽度w2小于第一沟槽t1的宽度w1，所以第一叠层421未均匀地沉积在第二沟槽t2中，从而第一叠层421的至少一部分可以不是连续的，而是可以在第二沟槽t2中断开，并且在一些情形下，第一叠层421的一部分在第二沟槽t2中可以是连续的。此外，电荷生成层422可以不是连续的，并且可在第二沟槽t2的内部或者在第二沟槽t2上断开。此外，第二叠层423在第二沟槽t2上方可以是连续的，但是第二叠层423的一部分在第二沟槽t2的上方可以是断开的。因此，空隙g形成在与第二沟槽t2交叠的区域中的发光层420中。也就是说，在本发明中，发光层420的一部分在第一沟槽t1中可以是连续的并且在第二沟槽t2中可以是断开的。
87.参照图5c，填充层500形成在第二电极430上。具体地，由于在沉积腔室中的气压差或者由于毛细管(capillary)现象，经由开口550引入的填充材料可填充第一沟槽t1的内部，并且移动到第二沟槽t2以填充空隙g的内部空间。当第一沟槽t1和第二沟槽t2的内部空间被填充材料填充时，填充材料也设置在第二电极430上，填充层500被形成为覆盖第二电极430。此外，在与第一沟槽t1和第二沟槽t2交叠的区域中的填充层500可具有凹形，并且由于第二沟槽t2的宽度w2小于第一沟槽t1的宽度w1，所以第二沟槽t2的凹形的宽度可变窄。
88.参照图5d，由于空隙g内部和外部之间的气压差或者由于发光层420和填充层500之间根据固化工艺而产生的密度差，填充空隙g的内部空间的填充层500的容积增大。由于空隙g被第二沟槽t2的侧表面包围，所以空隙g的高度可通过在垂直方向而不是水平方向上进一步扩展而增大。因此，空隙g的一端形成在高于电荷生成层422的位置处，由此将第二沟槽t2上的电荷生成层422完全短路。此外，第二叠层423的下表面的一部分可短路。例如，构成第二叠层423的第二空穴传输层、第二有机发光层和第二电子传输层的至少之一可在与第二沟槽t2交叠的区域中断开。此外，空隙g可扩展以在垂直方向上推动形成在空隙g上的第二叠层423、第二电极430和填充层500，由此补偿在与第二沟槽t2交叠的区域中填充层500的台阶差。
89.图6是图解根据本发明的显示设备的另一示例的剖视图。
90.根据本发明另一示例的显示设备示出第一至第三子像素p1、p2和p3以及在相邻子像素之间的边界区域。
91.绝缘层300可包括第一至第四绝缘层310、320、330和340。第一反射电极610可设置在第一子像素p1区域中的第一绝缘层310的上表面上，第二反射电极620可设置在第二子像素p2区域中的第二绝缘层320的上表面上，第三反射电极630可设置在第三子像素p3区域中的第三绝缘层330的上表面上。此外，第四绝缘层340可被形成为覆盖第三反射电极630。
92.第一至第三反射电极610、620和630由银(ag)或包含银(ag)的金属形成，并且在朝向第二电极430的方向上发射从发光层420发出的光。
93.此外，在第一反射电极610和第二电极430之间的距离可大于在第二反射电极620和第二电极430之间的距离，并且在第二反射电极620和第二电极430之间的距离可大于在第三反射电极630和第二电极430之间的距离。如上所述，通过在第一至第三反射电极610、
620和630与第二电极430之间形成不同的距离，可使用微腔特性来提取不同颜色的光。
94.具体地，随着第一至第三反射电极610、620和630与第二电极430之间的距离的增大，可提高长波长光提取效率，从而可提高来自第一反射电极610和第二电极430的红色光的提取效率；此外，随着第一至第三反射电极610、620和630与第二电极430的距离的减小，可提高短波长光提取效率，从而可提高在第三反射电极630和第二电极430之间的蓝色光的光提取效率。此外，由于在第二反射电极620和第二电极430之间的距离短于在第一反射电极610和第二电极430之间的距离并且长于在第三反射电极630和第二电极430之间的距离，所以可提高绿色光的光提取效率。
95.因此，红色光的光提取效率提高以在第一子像素p1中发射红色光，绿色光的光提取效率提高以在第二子像素p2中发射绿色光，并且蓝色光的光提取效率提高以在第三子像素p3中发射蓝色光。
96.图7a和7b是图解根据本发明的显示设备的像素结构的另一示例的平面图。
97.参照图7a，显示设备可进一步包括与第三接触部c3相邻的第四接触部c4以及与第三子像素p3相邻的第四子像素p4。沟槽t还可设置在第三子像素p3和第四子像素p4之间的边界区域中。
98.参照图7b，示出了第一至第四子像素p1-p4以及第一至第四接触部c1-c4被第一沟槽t1和第二沟槽t2围绕的结构。也就是说，第一子像素p1与第二子像素p2和第四子像素p4相邻，第二沟槽t2设置在第一子像素p1和第二子像素p2之间的边界区域中以及在第一子像素p1和第四子像素p4之间的边界区域中。此外，第二子像素p2与第一子像素p1和第三子像素p3相邻，并且第二沟槽t3设置在第二子像素p2和第一子像素p1之间的边界区域中以及在第二子像素p2和第三子像素p3之间的边界区域中。此外，第三子像素p3与第二子像素p2和第四子像素p4相邻，并且第二沟槽t2设置在第三子像素p3和第二子像素p2之间的边界区域中以及在第三子像素p3和第四子像素p4之间的边界区域中。第一至第四接触部c1-c4设置在第一至第四子像素p1至p4的拐角区域(corner region)中，并且第二沟槽t2也设置在相邻的接触部c1-c4之间。当一个像素被配置为包括第一至第四子像素p1-p4以及第一至第四接触部c1-c4时，第一沟槽t1可设置在像素的每个拐角处并且第二沟槽t2可形成为连接第一沟槽t1并围绕像素。此外，第一沟槽t1的宽度可大于第二沟槽t2的宽度。作为一个示例，第一沟槽t1可设置在第一至第四接触部c1-c4的中心处，第二沟槽t2可设置在彼此相邻的子像素之间以及彼此相邻的接触部之间的区域中。
99.图8a至8c关于根据本发明另一实施方式的显示设备，其涉及头戴式显示器(hmd)设备。
100.参照图8a，根据本技术的hmd设备包括存储外壳10和头戴式带子(band)12。
101.存储外壳10在其中容置显示设备、透镜阵列以及目镜(eyepiece)。头戴式带子12固定到存储外壳10。
102.头戴式带子12被显示为围绕用户头部的上表面和两个侧表面形成，但不限于此。头戴式带子12用于将hmd固定到用户的头部，并且可被替换为玻璃框或头盔形式的结构。
103.从图8b能够看出，根据本发明的具有虚拟现实(vr)结构的hmd设备可包括左眼显示设备2a和右眼显示设备2b、透镜阵列11以及左目镜20a和右目镜20b。
104.左眼显示设备2a和右眼显示设备2b、透镜阵列11以及左目镜20a和右目镜20b容置
在上述的存储外壳10内。
105.左眼显示设备2a和右眼显示设备2b可显示相同的图像，在这种情形下，用户可观看2d图像。可选地，左眼显示设备2a可显示左眼图像，右眼显示设备2b可显示右眼图像。在这种情形下，用户可观看立体图像。左眼显示设备2a和右眼显示设备2b的每一个可包括基于上述图1至5的显示设备。例如，左眼显示设备2a和右眼显示设备2b的每一个可以是有机发光显示器。
106.左眼显示设备2a和右眼显示设备2b的每一个可包括多个子像素、电路元件层200、绝缘层300、第一电极410、发光层420以及第二电极430，并且通过以各种方式组合从每个子像素发出的光的颜色来显示各种图像。
107.透镜阵列11可设置在左目镜20a和左眼显示设备2a之间，并且可与左目镜20a和左眼显示设备2a的每一个间隔开。也就是说，透镜阵列11可位于左目镜20a的前方以及左眼显示设备2a的后方。此外，透镜阵列11可设置在右目镜20b和右眼显示设备2b之间，并且与右目镜20b和右眼显示设备2b的每一个间隔开。也就是说，透镜阵列11可位于右目镜20b的前方以及右眼显示设备2b的后方。
108.透镜阵列11可以是微透镜阵列。透镜阵列11可被替换为针孔(pin hole)阵列。由于透镜阵列11，显示在左眼显示设备2a或右眼显示设备2b上的图像可被放大从而被用户看到。
109.用户的左眼le可位于左目镜20a中，用户的右眼re可位于右目镜20b中。
110.从图8c能够看出，根据本发明的具有增强现实(ar)结构的hmd设备包括左眼显示设备2a、透镜阵列11、左眼目镜20a、透反射器(transmissive reflector)13以及透射窗14。图8c为了方便仅显示了左眼构造，右眼构造与左眼构造相同。
111.左眼显示设备2a、透镜阵列11、左眼目镜20a、透反射器13以及透射窗14容置在上述的存储外壳10内。
112.左眼显示设备2a可在不阻挡透射窗14的条件下设置在透反射器13的一侧上，例如上侧上。因此，左眼显示设备2a可在不阻挡经由透射窗14观看的外部背景的条件下向透反射器13提供图像。
113.左眼显示设备2a可包括基于上述图1至4的显示设备。在此，在图1至4中对应于显示图像的表面的上部面对透反射器13。
114.透镜阵列11可设置在左眼目镜20a和透反射器13之间。
115.用户的左眼位于左眼目镜20中。
116.透反射器13设置在透镜阵列11和透射窗14之间。透反射器13可包括透射一部分光并且反射另一部分光的反射表面13a。反射表面13a被形成为使得显示在左眼显示设备2a上的图像移动到透镜阵列11。因此，用户经由透射窗14既可观看到外部背景又可观看到通过左眼显示设备2a显示的图像。也就是说，由于用户可通过将实际背景与虚拟图像交叠来观看单个图像，所以可实现增强现实(ar)。
117.透射窗14设置在透反射器13的前方。
118.根据本发明，通过在发光层的内部以及上部中形成填充层，可在防止出现侧向漏电流的同时提供稳定的封装层。
119.本发明的上述特征、结构和效果包括在本发明的至少一个实施方式中，但不仅限
于一个实施方式。此外，所属领域技术人员可通过其他实施方式的组合或改型来实现本发明的至少一个实施方式中描述的特征、结构和效果。因此，与组合和改型相关的内容应当解释为在本发明的范围内。
120.在不背离本发明的精神或范围的情况下，可在本发明中进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员将是显而易见的。因此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。