一种主芯片恒压供电电路的制作方法

文档编号:14478052
研发日期:2018/5/19

本实用新型涉及一种主芯片供电电路,特别涉及一种主芯片恒压供电的电路。



背景技术:

现有的芯片的高压供电技术有两种解决方案,第一种是主芯片采用高压工艺,直接高压供电,但是高压工艺有器件尺寸大,芯片面积大,成本高的缺点。第二种方法是专做一款高压供电芯片为主芯片供电,优点是主芯片的工艺选择不受高压供电困扰,可以自由选取合适的工艺,缺点是高压供电芯片成本高。

目前的高压供电芯片如图3所示,具体电路结构如下所述:包括运算放大器、第一电阻和第二电阻所述第一电阻的一端和第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端接地,所述第一电阻和第二电阻的连接点连接至运算放大器的第一输入端,还包括高压功率管,所述运算放大器的输出端连接高压功率管的栅极,所述第一电阻远离第二电阻的一端与高压功率管的源极连接,所述高压功率管的漏极为电源输入端,还包括连接在电源输入端的滤波电容,还包括连接在运算放大器第二输入端的参考电压产生器。



技术实现要素:

本实用新型解决的技术问题是提供一种由主芯片控制供电电压、适应性强的一种主芯片恒压供电的电路。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种主芯片恒压供电电路,包括运算放大器、第一电阻和第二电阻所述第一电阻的一端和第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端接地,所述第一电阻和第二电阻的连接点连接至运算放大器的第一输入端,还包括MOS管,所述运算放大器的输出端连接MOS管的栅极,所述第一电阻远离第二电阻的一端与MOS管的源极连接,所述MOS管的漏极为电源输入端,还包括连接在电源输入端的滤波电容,还包括主芯片,所述MOS管的源极与主芯片电源端连接,所述运算放大器的第二输入端连接主芯片的内部参考电压,上述电子元器件与主芯片封装在同一芯片内。

进一步的是:所述MOS管为高压耗尽管。

本实用新型的有益效果是:

第一:本实用新型采用的高压耗尽管具有光刻次数少,供电电流大,面积小等优点。

第二:本实用新型中的VCC由主芯片控制,一款高压耗尽管可以适应所有的需要供电的主芯片。

第三:高压耗尽管与主芯片封装在一起,方便使用。

附图说明

图1为一种主芯片恒压供电电路示意图。

图2为环路仿真波形图。

图3为现有技术中高压供电芯片的电路示意图。

图中标记为:运算放大器1、第一电阻2、第二电阻3、高压耗尽管4、滤波电容5、参考电压产生器6、高压功率管7。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

如图1所示的一种用高压耗尽管4为主芯片恒压供电的电路,包括运算放大器、第一电阻2和第二电阻3所述第一电阻2的一端和第二电阻3的一端连接,所述第二电阻3的另一端接地,所述第一电阻2和第二电阻3的连接点连接至运算放大器的第一输入端,还包括MOS管,所述运算放大器的输出端连接MOS管的栅极,所述第一电阻2远离第二电阻3的一端与MOS管的源极连接,所述MOS管的漏极为电源输入端,还包括连接在电源输入端的滤波电容5,还包括主芯片,所述MOS管的源极与主芯片电源端连接,所述运算放大器的第二输入端连接主芯片的内部参考电压,内部参考电压记为VREF,上述电子元器件与主芯片封装在同一芯片内,上述所述的运算放大器的第一输入端为负极输入端,第二输入端为正极输入端,上述具体原理为:运算放大器从MOS管的栅极输入控制电压,控制MOS管导通,从MOS管的源极输出工作电流,在第一电阻2和第二电阻3的作用下,输出主芯片所需的电压VCC,由于运算放大器的虚短原理,运算放大器第一输入端的电压等于第二输入端的电压,即:整理后得:即VCC的大小被主芯片控制,一款高压耗尽管4可以适应所有的需要供电的主芯片,且本实用新型中将高压耗尽管4与主芯片封装在一起,方便使用。

在上述基础上,所述MOS管为高压耗尽管4,高压耗尽管4具有光刻次数少,供电电流大,面积小等优点。

图2为环路稳定性测试仿真图,由图中可看出,测试使得相位浴度始终大于60度。满足设计要求。

以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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