X技术
首页
登录
注册
一种自恢复抗单粒子软错误累积的三模冗余结构的制作方法
文档序号:14477048
阅读:
来源:国知局
导航:
X技术
>
最新专利
>
电子电路装置的制造及其应用技术
>
一种自恢复抗单粒子软错误累积的三模冗余结构的制作方法
技术特征:
技术总结
本发明公开了一种自恢复抗单粒子软错误累积的三模冗余结构,通过增加单粒子软错误检测电路和数据选择电路对电路进行优化设计,基于这种结构的设计能够在三模冗余结构中单路信号翻转后自行恢复,能够有效解决三模冗余结构可能由错误累积导致单粒子加固失效的问题。
技术研发人员:
刘家齐;赵元富;岳素格;王亮;李建成;孙永姝;王丹;李东强
受保护的技术使用者:
北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
技术研发日:
2017.12.14
技术公布日:
2018.05.18
完整全部详细技术资料下载
当前第2页
1
2
相关技术
一种负载开关集成电路的制作方...
一种多功能合一的缓启动可控电...
一种高频开关电路的制作方法
一种模拟式电子延时控制电路的...
一种紧凑的延时电路的制作方法
一种用于植入式脉冲发生器的刺...
一种带抗振荡结构的RS触发器...
振荡器的制作方法
面向NB-IoT的低成本环形...
数字信号的滤波电路的制作方法
网友询问留言
已有
0
条留言
还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1