技术总结
本发明公开了一种自恢复抗单粒子软错误累积的三模冗余结构，通过增加单粒子软错误检测电路和数据选择电路对电路进行优化设计，基于这种结构的设计能够在三模冗余结构中单路信号翻转后自行恢复，能够有效解决三模冗余结构可能由错误累积导致单粒子加固失效的问题。
技术研发人员：刘家齐;赵元富;岳素格;王亮;李建成;孙永姝;王丹;李东强
受保护的技术使用者：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
文档号码：201711341286
技术研发日：2017.12.14
技术公布日：2018.05.18