1.一种反向器扇出数可调的环形振荡器,其特征在于,包括奇数个首尾相连且串联配置的反向器单元,每个所述反向器单元包括输入端和输出端;
所述反向器单元包括多个反向器,多个所述反向器的输入端之间通过开关装置连接,在同一所述反向器单元中的多个所述反向器为并联连接;
其中一个反向器的输入端连接于所述反向器单元的输入端,所述其中一个反向器的输出端连接于所述反向器单元的输出端。
2.根据权利要求1所述反向器扇出数可调的环形振荡器,其特征在于,所述反向器包括CMOS反向器。
3.根据权利要求2所述反向器扇出数可调的环形振荡器,其特征在于,所述反向器包括PMOS晶体管和NMOS晶体管;所述PMOS晶体管的漏极接电源电压,所述NMOS晶体管的源极接地,所述PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极相连于所述反向器的输入端,所述PMOS晶体管的源极与NMOS晶体管的漏极连接于所述反向器的输出端。
4.根据权利要求1或2所述反向器扇出数可调的环形振荡器,其特征在于,所述开关装置包括NMOS晶体管,当所述开关装置接收到高电平信号时,所述开关装置导通,当所述开关装置接收到低电平信号时,所述开关装置断开。
5.根据权利要求4所述反向器扇出数可调的环形振荡器,其特征在于,所述NMOS晶体管的栅极接收电平信号,所述NMOS晶体管的漏极和源极分别与两个所述反向器的输入端连接。
6.根据权利要求1或2所述反向器扇出数可调的环形振荡器,其特征在于,所述开关装置包括PMOS晶体管,当接收到低电平信号时,所述开关装置断开,当所述开关装置接收到高电平信号时,所述开关装置导通。
7.根据权利要求6所述反向器扇出数可调的环形振荡器,其特征在于,所述开关装置的PMOS晶体管栅极接收电平信号,所述开关装置的晶体管漏极和源极分别与两个所述反向器的输入端连接。
8.一种半导体存储器,其特征在于,包括权利要求1所述的反向器扇出数可调的环形振荡器。