技术特征：
技术总结
本申请描述了基于表面声波(SAW)换能器和二维电子气(2DEG)或二维空穴气(2DHG)导电结构的组合的零功率射频识别(RFID)传感器芯片的实施方案，及其作为用于材料和结构感测的超灵敏麦克风的用途。所述SAW RFID传感器包含在其上沉积多层异质结结构的压电衬底。所述异质结结构包括至少两层即缓冲层和阻挡层，其中两层均由III‑V单晶或多晶半导体材料诸如Ga N/Al Ga N生长。转换SAW的叉指换能器(IDT)安装在所述阻挡层的顶部。在两层构型情况下包括二维电子气(2DEG)或者在三层构型情况下包括二维空穴气(2DHG)的导电沟道形成在所述缓冲层与阻挡层之间的界面处，并且在连接到所形成的沟道的非欧姆(电容耦合)源极与漏极接触之间的系统中提供电子或空穴电流。
技术研发人员：阿亚尔·拉姆;阿米尔·利希滕斯坦
受保护的技术使用者：艾皮乔尼克控股有限公司
技术研发日：2017.07.10
技术公布日：2019.06.14