一种具有高散热性能的数控衰减器的制作方法

技术特征：

1.一种具有高散热性能的数控衰减器，其特征在于，包括N个串联的衰减模块，第一个衰减模块的输入端作为所述数控衰减器的输入端，最后一个衰减模块的输出端作为所述数控衰减器的输出端，N个所述衰减模块环形排列；每个所述衰减模块均由输入至各自的控制端的控制信号控制衰减，其中：N为大于1的整数。

2.如权利要求1所述的数控衰减器，其特征在于，所述控制端包括主控制端和互补控制端，所述主控制端和所述互补控制端分别输入的电压信号互补，M个所述衰减模块均包括第一电阻模块、第二电阻模块、第三电阻模块、第一可控开关及第二可控开关，M＜N，其中：

所述第一电阻模块的第一端分别与所述第二电阻模块的第一端及所述第一可控开关的第一端连接，其公共端作为所在衰减模块的输入端，所述第一电阻模块的第二端分别与所述第三电阻模块的第一端及所述第一可控开关的第二端连接，其公共端作为所在衰减模块的输出端，所述第一可控开关的控制端作为所在衰减模块的主控制端，所述第二电阻模块的第二端分别与所述第三电阻模块的第二端及所述第二可控开关的第一端连接，所述第二可控开关的第二端接地，所述第二可控开关的控制端作为所在衰减模块的互补控制端。

3.如权利要求2所述的数控衰减器，其特征在于，M个所述衰减模块还均包括第一分压电阻、第二分压电阻及第三分压电阻，其中：

所述第一分压电阻的第一端与所述第一可控开关的控制端连接，所述第一分压电阻的第二端作为所在衰减模块的主控制端，所述第二分压电阻的第一端与所述第二可控开关的控制端连接，所述第二分压电阻的第二端作为所在衰减模块的互补控制端，所述第三分压电阻的第一端与所述第二可控开关的第二端连接，所述第三分压电阻的第二端接地。

4.如权利要求2所述的数控衰减器，其特征在于，N-M个所述衰减模块均包括第四电阻模块、第三可控开关、第四可控开关及与所述第四可控开关结构相同的第五可控开关，其中：

所述第四电阻模块的第一端分别与所述第三可控开关的第一端及所述第四可控开关的第一端连接，其公共端作为所在衰减模块的输入端，所述第四电阻模块的第二端分别与所述第三可控开关的第二端及所述第五可控开关的第一端连接，其公共端作为所在衰减模块的输出端，所述第三可控开关的控制端作为所在衰减模块的主控制端，所述第四可控开关的第二端接地，所述第五可控开关的第二端接地，所述第四可控开关的控制端与所述第五可控开关的控制端连接，其公共端作为所在衰减模块的互补控制端。

5.如权利要求4所述的数控衰减器，其特征在于，N-M个所述衰减模块还均包括第四分压电阻、第五分压电阻、第六分压电阻、第七分压电阻及第八分压电阻，其中：

所述第四分压电阻的第一端与所述第三可控开关的控制端连接，所述第四分压电阻的第二端作为所在衰减模块的主控制端，所述第五分压电阻的第一端与所述第四可控开关的控制端连接，所述第六分压电阻的第一端与所述第五可控开关的控制端连接，所述第五分压电阻的第二端与所述第六分压电阻的第二端连接，其公共端作为所在衰减模块的互补控制端，所述第七分压电阻的第一端与所述第四可控开关的第二端连接，所述第七分压电阻的第二端接地，所述第八分压电阻的第一端与所述第五可控开关的第二端连接，所述第八分压电阻的第二端接地。

6.如权利要求2-5任一项所述的数控衰减器，其特征在于，所述第一电阻模块、所述第二电阻模块及所述第三电阻模块均包括多个阻值小于预设阻值的电阻。

7.如权利要求4-5任一项所述的数控衰减器，其特征在于，所述第四电阻模块包括多个阻值小于预设阻值的电阻。

8.如权利要求7所述的数控衰减器，其特征在于，该数控衰减器还包括加入在相邻的衰减模块的输出端和输入端之间的电感，其中，所述电感为电感值小于预设电感值的电感。

9.如权利要求8所述的数控衰减器，其特征在于，所述第一可控开关和/或所述第二可控开关和/或所述第三可控开关和/或所述第四可控开关和/或所述第五可控开关均为GaAs pHEMT管，所述GaAs pHEMT管的漏极作为所述第一可控开关和/或所述第二可控开关和/或所述第三可控开关和/或所述第四可控开关和/或所述第五可控开关的第一端，所述GaAs pHEMT管的源极作为所述第一可控开关和/或所述第二可控开关和/或所述第三可控开关和/或所述第四可控开关和/或所述第五可控开关的第二端，所述GaAs pHEMT管的栅极作为所述第一可控开关和/或所述第二可控开关和/或所述第三可控开关和/或所述第四可控开关和/或所述第五可控开关的控制端。