接地构件、屏蔽印制线路板及屏蔽印制线路板的制造方法与流程

文档编号:17934212
研发日期:2019/6/15

本发明涉及接地构件、屏蔽印制线路板及屏蔽印制线路板的制造方法。



背景技术:

在小型化、高功能化急速发展的手机、摄像机、笔记本型个人电脑等电子设备中,挠性印制线路板经常用于将电路组装入复杂的机构中。另外,挠性印制线路板还因其优越的可挠性而用于像打印头这样的可动部和控制部的连接。这些电子设备中必须进行电磁波屏蔽措施,在装置内使用的挠性印制线路板也是采取了电磁波屏蔽措施的挠性印制线路板(以下也称“屏蔽印制线路板”)。

一般的屏蔽印制线路板通常包括基体膜和屏蔽膜,基体膜是在基膜上依次设印制电路和绝缘膜而成;屏蔽膜包括导电层、层压于上述导电层的屏蔽层、以及层压于上述导电层的绝缘层,覆盖上述基体膜并使上述导电层和上述基体膜接触。另外,印制电路包含接地电路,接地电路为了获得接地而与电子设备的壳体电连接。如上所述,屏蔽印制线路板的基体膜中,在包含接地电路的印制电路上设绝缘膜。另外,基体膜被含有绝缘层的屏蔽膜覆盖。因此,为了使接地电路和电子设备的壳体实现电连接需要在绝缘膜及屏蔽膜的一部分预先开孔。这曾经成为了设计印制电路时妨碍自由度的因素。

专利文献1公开了一种屏蔽膜,该屏蔽膜在剥离膜的一面进行涂覆并形成覆盖膜,在所述覆盖膜的表面设包括金属薄膜层和胶粘剂层的屏蔽层,该屏蔽膜含有接地构件,该接地构件在一端侧含有被按压于所述覆盖膜并穿过所述覆盖膜连接于所述屏蔽层的突起、在另一端侧露出并能与附近的接地部连接。在制作专利文献1公开的屏蔽膜时,接地构件被按压于覆盖膜使接地构件的突起穿过覆盖膜。因此,接地构件能配置于屏蔽膜的任意位置。使用这样的屏蔽膜制造屏蔽印制线路板的话,能在任意位置使接地电路和电子设备的壳体实现电连接。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】专利第4201548号公报。



技术实现要素:

【发明要解决的技术问题】

为了安装元件,屏蔽印制线路板在焊料再流焊工序等中反复进行加热、冷却。在将元件安装于专利文献1公开的屏蔽印制线路板时,像这样反复进行加热及冷却后由于热膨胀热收缩导致的体积变化,有时会出现接地构件的突起和屏蔽层的连接受损、电阻值上升的现象。

本发明是为解决上述问题点的发明,本发明的目的在于提供一种接地构件,该接地构件能配置于任意位置,且反复进行加热及冷却来将元件安装于使用了该接地构件的屏蔽印制线路板时接地构件的导电性填料和屏蔽膜的屏蔽层之间不易产生偏移。

【解决技术问题的技术手段】

即,本发明的接地构件包括:外部连接构件,所述外部连接构件含有第1主面和上述第1主面的相反侧的第2主面、且具有导电性;导电性填料,所述导电性填料配置于上述第1主面侧;接合性树脂,所述接合性树脂将上述导电性填料固定于上述第1主面;其特征在于上述导电性填料包含低熔点金属。

本发明的接地构件使用于包括基体膜和屏蔽膜的屏蔽印制线路板。首先说明屏蔽印制线路板的结构。屏蔽印制线路板中,基体膜是在基膜上依次设包含接地电路的印制电路和绝缘膜而形成的膜。另外屏蔽膜是包括屏蔽层以及层压于屏蔽层的绝缘层的膜。然后,屏蔽印制线路板中,屏蔽膜覆盖基体膜并使屏蔽膜的屏蔽层相较于绝缘层而言配置于基体膜侧。配置本发明的接地构件时,将本发明的接地构件按压于屏蔽印制线路板并使本发明的接地构件的导电性填料贯穿屏蔽膜的绝缘层。另外,像这样将本发明的接地构件配置于屏蔽印制线路板时,不用在屏蔽印制线路板的屏蔽膜的绝缘层预先设孔等,能在任意位置配置本发明的接地构件。

另外本发明的接地构件中,导电性填料包含低熔点金属。将本发明的接地构件配置于屏蔽印制线路板时、配置后将元件安装于屏蔽印制线路板的元件安装工序中也会进行加热。通过该加热能使低熔点金属软化,并能提高接地构件的外部连接构件和导电性填料的紧密接合性、接地构件的导电性填料和屏蔽膜的屏蔽层的紧密接合性。

本发明的接地构件中,优选技术方案为:上述导电性填料包含:核粒子;形成于核粒子表面的至少一部分的、用上述低熔点金属制成的低熔点金属层。导电性填料含有核粒子的话核粒子部分不易由于加热而软化。因此,接地构件的导电性填料通过加热加压易于贯穿屏蔽膜的绝缘层。因此,即使反复进行加热及冷却来将元件安装于使用了本发明的接地构件的屏蔽印制线路板,接地构件的外部连接构件和核粒子之间、接地构件的核粒子和屏蔽膜的屏蔽层之间也不易产生偏移。

本发明的接地构件中,优选技术方案为:上述核粒子的平均粒径为1~200μm。核粒子的平均粒径不足1μm的话,导电性填料不易贯穿屏蔽膜的绝缘层。核粒子的平均粒径超过200μm的话,导电性填料变大,因此将接地构件配置于屏蔽印制线路板时贯穿屏蔽膜的绝缘层需要很大的压力。

本发明的接地构件中,优选技术方案为:上述核粒子包含从由铜粉、银粉、镍粉、银包铜粉、金包铜粉、银包镍粉、金包镍粉、镍包铜粉、镍包银粉及用金属覆盖树脂而得的粒子构成的群中选择的至少1种。这些粒子的导电性优越,因此适合当核粒子。

本发明的接地构件中,优选技术方案为:上述低熔点金属层的厚度为0.1~50μm。低熔点金属层的厚度不足0.1μm的话,形成低熔点金属层的金属的量很少,因此将接地构件配置于屏蔽印制线路板时,接地构件的外部连接构件和核粒子的紧密接合性、接地构件的核粒子和屏蔽膜的屏蔽层的紧密接合性难以提高。低熔点金属层的厚度超过50μm的话,低熔点金属层很厚,因此接地构件的导电性填料大。因此将接地构件配置于屏蔽印制线路板时贯穿屏蔽膜的绝缘层需要很大压力。

本发明的接地构件中,优选技术方案为:上述低熔点金属层包含助焊剂。通过使低熔点金属层包含助焊剂从而在形成低熔点金属层的金属软化时,形成低熔点金属层的金属和外部连接构件、核粒子、以及屏蔽膜的屏蔽层、胶粘剂层易于紧密接合。这样一来能提高接地构件的外部连接构件和核粒子的紧密接合性、接地构件的核粒子和屏蔽膜的屏蔽层的紧密接合性。

本发明的接地构件中,可设计为:上述导电性填料的周围被上述接合性树脂覆盖。仅在外部连接构件的第1主面涂布导电性填料及接合性树脂的混合物就能轻松制造这样的接地构件。

本发明的接地构件中,可设计为:上述导电性填料的至少一部分从上述接合性树脂露出。导电性填料的至少一部分从接合性树脂露出时能通过该露出部进行导电。因此,将这样的接地构件使用于屏蔽印制线路板时,能使接地构件的导电性填料和屏蔽膜的屏蔽层轻松实现电连接。

本发明的接地构件中,优选技术方案为:上述低熔点金属的熔点为300℃以下。低熔点金属层由熔点为300℃以下的金属形成的话,在将接地构件配置于屏蔽印制线路板时,能轻松地使低熔点金属层软化且能恰当提高接地构件的核粒子和屏蔽膜的屏蔽层的紧密接合性。低熔点金属层由熔点超过300℃的金属形成的话,将接地构件配置于屏蔽印制线路板时的加热温度变高。因此,接地构件、屏蔽印制线路板易于受到热带来的损害。

本发明的接地构件中,优选技术方案为:上述外部连接构件包含从由铜、铝、银、金、镍、铬、钛、锌及不锈钢构成的群中选择的至少1种。这些材料适合用于实现接地构件和外部接地处的电连接。

本发明的接地构件中,优选技术方案为:上述第2主面形成有耐腐蚀层。在接地构件的第2主面形成有耐腐蚀层的话能防止接地构件腐蚀。

本发明的接地构件中,优选技术方案为:上述耐腐蚀层包含从由镍、金、银、铂、钯、铑、铱、钌、锇及这些物质的合金中构成的群选择的至少1种。这些材料不易腐蚀。因此这些材料适合用于本发明的接地构件的耐腐蚀层。

本发明的屏蔽印制线路板包括:基体膜,在基膜上依次设包含接地电路的印制电路和绝缘膜而成;屏蔽膜,包括屏蔽层及层压于上述屏蔽层的绝缘层,其覆盖上述基体膜并使上述屏蔽层相较于上述绝缘层而言配置于上述基体膜侧;接地构件,配置于上述屏蔽膜的绝缘层;其特征在于:上述接地构件包括下述部分:含有第1主面和上述第1主面的相反侧的第2主面、且具有导电性的外部连接构件,配置于上述第1主面侧的导电性填料,将上述导电性填料固定于上述第1主面的接合性树脂;上述导电性填料包含低熔点金属,上述接地构件的导电性填料贯穿上述屏蔽膜的绝缘层,上述接地构件的导电性填料所含有的上述低熔点金属连接于上述屏蔽膜的屏蔽层,上述接地构件的外部连接构件能和外部接地处电连接。

本发明的屏蔽印制线路板使用了本发明的接地构件,即所使用的接地构件包括:含有第1主面和上述第1主面的相反侧的第2主面、且具有导电性的外部连接构件,配置于上述第1主面侧的导电性填料,将上述导电性填料固定于上述第1主面的接合性树脂。且在该接地构件中,上述导电性填料包含低熔点金属。因此,即使反复进行加热及冷却来将元件安装于本发明的屏蔽印制线路板,接地构件的外部连接构件和导电性填料之间、接地构件的导电性填料和屏蔽膜的屏蔽层之间也不会产生偏移。

本发明的屏蔽印制线路板中,优选技术方案为:上述导电性填料包括:核粒子、形成于核粒子表面的至少一部分的用上述低熔点金属制成的低熔点金属层。导电性填料含有核粒子的话核粒子部分不易由于加热而软化。因此接地构件的导电性填料通过加热加压易于贯穿屏蔽膜的绝缘层。因此,即使反复进行加热及冷却来将元件安装于使用了本发明的接地构件的屏蔽印制线路板,接地构件的外部连接构件和核粒子之间、接地构件的核粒子和屏蔽膜的屏蔽层之间也不易产生偏移。

本发明的屏蔽印制线路板中,优选技术方案为:上述屏蔽膜包括胶粘剂层、层压于上述胶粘剂层的上述屏蔽层、层压于上述屏蔽层的上述绝缘层,上述屏蔽膜的胶粘剂层和上述基体膜接触。屏蔽膜含有胶粘剂层的话,在制造屏蔽印制线路板时能轻松地使屏蔽膜接合于基体膜。

本发明的屏蔽印制线路板中,优选技术方案为:上述屏蔽膜的胶粘剂层为导电性胶粘剂层。屏蔽膜的胶粘剂层是导电性胶粘剂层的话,能通过接地构件的导电性填料贯穿屏蔽膜的绝缘层来使接地构件的导电性填料和导电性胶粘剂层接触,并能实现接地构件的外部连接构件和基体膜的接地电路的电连接。

本发明的屏蔽印制线路板中,优选技术方案为:上述屏蔽膜的屏蔽层用金属制成。金属作为屏蔽电磁波的屏蔽层恰当发挥作用。

本发明的屏蔽印制线路板中,优选技术方案为:上述屏蔽膜中,上述胶粘剂层和上述屏蔽层之间及/或上述屏蔽层和上述绝缘层之间形成有屏蔽膜的低熔点金属层,上述屏蔽膜的低熔点金属层和上述接地构件的导电性填料连接。采用这种结构的话能提高接地构件的导电性填料和屏蔽膜的屏蔽层的紧密接合性、接地构件的导电性填料和屏蔽膜的胶粘剂层的紧密接合性。

本发明的屏蔽印制线路板中,可设计为:上述屏蔽膜的屏蔽层是导电性胶粘剂层,上述屏蔽膜的导电性胶粘剂层和上述基体膜接触。屏蔽层是导电性胶粘剂层时,屏蔽层具有用于使屏蔽膜接合于基体膜的功能和屏蔽电磁波的功能这二种功能。

本发明的屏蔽印制线路板中,优选技术方案为:上述屏蔽膜中,上述屏蔽层和上述绝缘层之间形成有屏蔽膜的低熔点金属层,上述屏蔽膜的低熔点金属层连接于上述接地构件的导电性填料。采用这种结构的话能提高接地构件的核粒子和屏蔽膜的屏蔽层的紧密接合性。

本发明的屏蔽印制线路板的制造方法中,屏蔽印制线路板包括:基体膜,在基膜上依次设包含接地电路的印制电路和绝缘膜而成;屏蔽膜,含有屏蔽层及层压于上述屏蔽层的绝缘层;上述本发明的接地构件,配置于上述屏蔽膜的绝缘层;其特征在于含有如下工序:屏蔽膜载置工序,将上述屏蔽膜载置于上述基体膜并使上述屏蔽膜的屏蔽层相较于上述屏蔽膜的绝缘层而言配置于上述基体膜侧;接地构件配置工序,将上述接地构件配置于上述屏蔽膜并使上述接地构件的导电性填料朝向上述屏蔽膜的绝缘层侧;加压工序,给上述接地构件加压使上述接地构件的导电性填料贯穿上述屏蔽膜的绝缘层;加热工序,为了使上述接地构件的低熔点金属连接于上述屏蔽膜的屏蔽层而加热上述接地构件的低熔点金属使其软化。

能通过使用上述本发明的接地构件来制造本发明的屏蔽印制线路板。

本发明的屏蔽印制线路板的制造方法中,可设计为:同时进行上述加压工序及上述加热工序。通过同时进行如上工序能提高制造效率。

本发明的屏蔽印制线路板的制造方法中,优选技术方案为:上述屏蔽膜包括胶粘剂层、层压于上述胶粘剂层的上述屏蔽层、层压于上述屏蔽层的上述绝缘层。屏蔽膜含有胶粘剂层的话,在屏蔽膜载置工序中能轻松地将屏蔽膜接合于基体膜。

本发明的屏蔽印制线路板的制造方法中,优选技术方案为:上述屏蔽膜的胶粘剂层为导电性胶粘剂层。屏蔽膜的胶粘剂层是导电性胶粘剂层的话,通过使接地构件的导电性填料贯穿屏蔽膜的绝缘层从而能使接地构件的导电性填料和导电性胶粘剂层接触,能实现接地构件的外部连接构件和基体膜的接地电路的电连接。

本发明的屏蔽印制线路板的制造方法中,优选技术方案为:上述屏蔽膜的屏蔽层用金属制成。金属作为屏蔽电磁波的屏蔽层恰当发挥作用。

本发明的屏蔽印制线路板的制造方法中,优选技术方案为:上述屏蔽膜中,上述胶粘剂层和上述屏蔽层之间及/或上述屏蔽层和上述绝缘层之间形成有屏蔽膜的低熔点金属层,上述加热工序中,使上述屏蔽膜的低熔点金属层软化并与上述接地构件的核粒子连接。这样一来能提高接地构件的核粒子和屏蔽膜的屏蔽层的紧密接合性、接地构件的核粒子和屏蔽膜的胶粘剂层的紧密接合性。

本发明的屏蔽印制线路板的制造方法中,可设计为:上述屏蔽膜的屏蔽层是导电性胶粘剂层。屏蔽层是导电性胶粘剂层的话,屏蔽层具有用于使屏蔽膜接合于基体膜的功能和屏蔽电磁波的功能这二种功能。

本发明的屏蔽印制线路板的制造方法中,优选技术方案为:上述屏蔽膜中,上述屏蔽层和上述绝缘层之间形成有屏蔽膜的低熔点金属层,上述加热工序中,使上述屏蔽膜的低熔点金属层软化并与上述接地构件的核粒子连接。这样一来能提高接地构件的导电性填料和屏蔽膜的核粒子的紧密接合性。

【发明效果】

将本发明的接地构件配置于屏蔽印制线路板时,不用在屏蔽印制线路板的屏蔽膜的绝缘层预先设孔等,能在任意位置配置本发明的接地构件。另外,反复进行加热及冷却来将元件安装于使用了本发明的接地构件的屏蔽印制线路板时,能防止接地构件的外部连接构件和导电性填料之间、接地构件的导电性填料和屏蔽膜的屏蔽层之间产生偏移。

附图说明

【图1】图1是本发明的接地构件的一例的截面示意图;

【图2】图2是要使用本发明的接地构件的屏蔽印制线路板的一例的截面示意图;

【图3】图3(a)及(b)是本发明的接地构件使用于屏蔽印制线路板的情况的一例的示意图;

【图4】图4(a)~(d)是按工序顺序显示本发明的接地构件的制造方法的一例的工序示意图;

【图5】图5是本发明的屏蔽印制线路板的制造方法的屏蔽膜载置工序的一例的工序示意图;

【图6】图6是本发明的屏蔽印制线路板的制造方法的接地构件配置工序的一例的工序示意图;

【图7】图7是本发明的屏蔽印制线路板的制造方法的加压工序的一例的工序示意图;

【图8】图8是本发明的屏蔽印制线路板的制造方法的加热工序的一例的工序示意图;

【图9】图9(a)及(b)是要使用本发明的接地构件的屏蔽印制线路板的制造方法的一例的示意图;

【图10】图10是要使用本发明的接地构件的屏蔽印制线路板的一例的截面示意图;

【图11】图11是本发明的接地构件使用于屏蔽印制线路板的情况的一例的示意图;

【图12】图12是要使用本发明的接地构件的屏蔽印制线路板的一例的截面示意图;

【图13】图13是本发明的接地构件使用于屏蔽印制线路板的情况的一例的示意图;

【图14】图14是要使用本发明的接地构件的屏蔽印制线路板的一例的截面示意图;

【图15】图15是本发明的接地构件使用于屏蔽印制线路板的情况的一例的示意图;

【图16】图16是本发明的接地构件的一例的截面示意图。

以下具体说明本发明的接地构件。但是本发明不限于以下实施方式,在不变更本发明的要旨的范围内能适宜变更并适用。

(第一实施方式)

首先说明本发明的第一实施方式涉及的接地构件。图1是本发明的接地构件的一例的截面示意图。如图1所示,接地构件1包括含有第1主面11、第1主面11的相反侧的第2主面12、且具有导电性的外部连接构件10。

另外,导电性填料20通过接合性树脂25固定于第1主面11。然后,导电性填料20包括核粒子26及形成于其表面的至少一部分的低熔点金属层21。另外,接地构件1中,导电性填料20的周围被接合性树脂25覆盖。

接地构件1使用于包括基体膜和屏蔽膜的屏蔽印制线路板。

首先使用附图说明屏蔽印制线路板的结构。图2是要使用本发明的接地构件的屏蔽印制线路板的一例的截面示意图。

如图2所示,屏蔽印制线路板50包括基体膜60和屏蔽膜70。屏蔽印制线路板50中,基体膜60是在基膜61上依次设包含接地电路62a的印制电路62和绝缘膜63而成的膜。另外,屏蔽膜70是包括胶粘剂层71、层压于胶粘剂层71的屏蔽层72、及层压于屏蔽层72的绝缘层73的膜。然后,屏蔽印制线路板50中,屏蔽膜70覆盖基体膜60并使屏蔽膜70的胶粘剂层71接触基体膜60。另外,屏蔽膜70的胶粘剂层71是导电性胶粘剂层。

接下来使用附图说明接地构件1使用于屏蔽印制线路板50的情况。图3(a)及(b)是本发明的接地构件使用于屏蔽印制线路板的情况的一例的示意图。如图3(a)及(b)所示,将接地构件1按压于屏蔽印制线路板50进行配置并使接地构件1的导电性填料20贯穿屏蔽膜70的绝缘层73。然后,如图3(a)所示,也可设计为:进一步按压接地构件1使接地构件1的导电性填料20贯穿屏蔽膜70的屏蔽层72,并使接地构件1的导电性填料20和屏蔽膜70的胶粘剂层71接触。另外,如图3(b)所示,也可设计为:使接地构件1的导电性填料20仅和屏蔽膜70的屏蔽层72接触。胶粘剂层71是导电性胶粘剂层,因此通过使导电性填料20和胶粘剂层71及屏蔽层72接触或使导电性填料20和屏蔽层72接触从而能实现接地构件1的外部连接构件10和基体膜60的接地电路62a的电连接。另外,接地构件1的外部连接构件10连接于外部接地处GND。

像这样使接地构件1配置于屏蔽印制线路板50,因此不用在屏蔽印制线路板50的屏蔽膜70的绝缘层73预先设孔等,能在任意位置配置接地构件1。

另外,接地构件1中,核粒子26的表面形成有低熔点金属层21。将接地构件1配置于屏蔽印制线路板50时、配置后的元件安装工序中会进行加热。通过该加热能使低熔点金属层21软化并能提高接地构件1的核粒子26和屏蔽膜70的屏蔽层72的紧密接合性、接地构件1的核粒子26和屏蔽膜70的胶粘剂层71的紧密接合性。因此即使反复进行加热及冷却来将元件安装于使用了接地构件1的屏蔽印制线路板50,接地构件1的核粒子26和屏蔽膜70的屏蔽层72、胶粘剂层71之间也不易产生偏移。这样一来能抑制基体膜60的接地电路62a-外部接地处GND间的电阻的增加。另外,形成屏蔽层72的金属和形成核粒子26的低熔点金属层21的金属能形成合金时,通过如上物质形成合金来进一步提高接地构件1的核粒子26和屏蔽膜70的屏蔽层72的紧密接合性。

另外,也可设计为:在使接地构件1的导电性填料20连接于屏蔽层72后,在将元件安装于屏蔽印制线路板的工序中使低熔点金属层21软化。例如,为了安装元件而使用焊料时进行焊料再流焊工序。此时,能通过再流焊时的热使低熔点金属层21软化。

接地构件1中,低熔点金属层21的熔点优选300℃以下。低熔点金属层21由熔点为300℃以下的金属形成的话,在将接地构件1配置于屏蔽印制线路板50时,能轻松地使低熔点金属层21软化且能恰当提高接地构件1的核粒子26和屏蔽膜70的屏蔽层72、胶粘剂层71的紧密接合性。低熔点金属层21由熔点超过300℃的金属形成的话,在使接地构件1配置于屏蔽印制线路板50时的加热温度变高。因此,接地构件1、屏蔽印制线路板50易于受到热带来的损害。

接地构件1中,形成低熔点金属层21的金属无特别限定,优选包含从由铟、锡、铅及铋构成的群中选择的至少1种。在形成低熔点金属层21时这些金属具备合适的熔点及导电性。

接地构件1中,低熔点金属层21的厚度优选0.1~50μm。低熔点金属层21的厚度不足0.1μm的话,形成低熔点金属层21的金属的量少,因此在将接地构件1配置于屏蔽印制线路板50时,接地构件1的外部连接构件10和核粒子26的紧密接合性、接地构件1的核粒子26和屏蔽膜70的屏蔽层72的紧密接合性、接地构件1的核粒子26和屏蔽膜70的胶粘剂层71的紧密接合性难以提高。低熔点金属层21的厚度超过50μm的话,低熔点金属层21很厚,因此接地构件1的导电性填料20变大。因此在将接地构件1配置于屏蔽印制线路板50时贯穿屏蔽膜70的绝缘层73需要很大压力。

另外,接地构件1中,相对于导电性填料20的总重量而言,形成低熔点金属层21的低熔点金属的含有率优选6wt%以上、更优选7wt%以上、进一步优选8wt%以上。低熔点金属的含有率不足6wt%的话,形成低熔点金属层21的低熔点金属的量变少,因此在将接地构件1配置于屏蔽印制线路板50时,接地构件1的外部连接构件10和导电性填料20的紧密接合性、接地构件1的导电性填料20和屏蔽膜70的屏蔽层72的紧密接合性难以提高。另外,接地构件1中,相对于导电性填料20的总重量而言,形成低熔点金属层21的低熔点金属的含有率优选80wt%以下,更优选78wt%以下。低熔点金属的含有率超过80wt%的话,低熔点金属层21变厚,接地构件1的导电性填料20变大。因此在将接地构件1配置于屏蔽印制线路板50时贯穿屏蔽膜70的绝缘层73需要很大压力。另外如后所述,在将接地构件1配置于屏蔽印制线路板50时接地构件1被加热。低熔点金属的含有率超过80wt%的话,有时会出现由于此时的加热导致低熔点金属层21过度软化的情况。因此接地构件1的配置位置容易偏移。

接地构件1中,优选低熔点金属层21包含助焊剂。通过使低熔点金属层21包含助焊剂,从而在形成低熔点金属层21的金属软化时,形成低熔点金属层21的金属和外部连接构件10、核粒子26、以及屏蔽膜70的屏蔽层72、胶粘剂层71易于紧密接合。这样一来能提高接地构件1的外部连接构件10和核粒子26的紧密接合性、接地构件1的核粒子26和屏蔽膜70的屏蔽层72的紧密接合性、接地构件1的核粒子26和屏蔽膜70的胶粘剂层71的紧密接合性。

助焊剂无特别限定,能使用多元羧酸、乳酸、柠檬酸、油酸、硬脂酸、谷氨酸、苯甲酸、甘油、松香等众所周知的助焊剂。

接地构件1中,接合性树脂25无特别限定,优选为丙烯酸类树脂、环氧类树脂、硅类树脂、热塑性弹性体类树脂、橡胶类树脂、聚酯类树脂、聚氨酯树脂等。这些树脂具有优越的接合性。

接地构件1中,优选外部连接构件10包含从由铜、铝、银、金、镍、铬、钛、锌及不锈钢构成的群中选择的至少1种。这些材料适合用于实现接地构件1和外部接地处GND的电连接。

接地构件1中,优选第2主面12形成有耐腐蚀层。接地构件1的第2主面12形成有耐腐蚀层的话能防止接地构件1腐蚀。

接地构件1中,优选耐腐蚀层包含从由镍、金、银、铂、钯、铑、铱、钌、锇及这些物质的合金构成的群中选择的至少1种。这些材料不易腐蚀。因此这些材料适合用于接地构件1的耐腐蚀层。

接地构件1中,核粒子26的平均粒径优选1~200μm。核粒子26的平均粒径不足1μm的话,导电性填料20变小。这样一来在将接地构件1配置于屏蔽印制线路板50时不易贯穿屏蔽膜70的绝缘层73。核粒子26的平均粒径超过200μm的话,导电性填料20变大,因此在将接地构件1配置于屏蔽印制线路板50时贯穿屏蔽膜70的绝缘层73需要很大压力。

接地构件1中,优选核粒子26包含从由铜粉、银粉、镍粉、银包铜粉、金包铜粉、银包镍粉、金包镍粉、镍包铜粉、镍包银粉及用金属覆盖树脂而得的粒子构成的群中选择的至少1种。这些粒子导电性优越,因此适合当核粒子26。

低熔点金属层21用锡或其合金制成时,优选核粒子26的表面存在镍。即,优选核粒子26的表面被镍层覆盖,并且其上有低熔点金属层21。低熔点金属层21用锡或其合金制成时,有时低熔点金属层21和核粒子26的表面的金属会形成合金。但是,核粒子26的表面存在镍从而能防止形成低熔点金属层21的锡和形成核粒子26的金属形成合金。这样一来,形成低熔点金属层21的锡能高效地与屏蔽层形成合金。因此能减少使用于低熔点金属层21的锡的量。

接下来说明本发明的接地构件的制造方法的一例。本发明的接地构件的制造方法包含(1)外部连接构件准备工序、(2)导电性填料准备工序、(3)膏准备工序、及(4)膏涂布工序。

以下使用附图说明各工序。图4(a)~(d)是按工序顺序显示本发明的接地构件的制造方法的一例的工序示意图。

(1)外部连接构件准备工序

首先,如图4(a)所示,准备含有第1主面11和第1主面11的相反侧的第2主面12且具有导电性的外部连接构件10。

(2)导电性填料准备工序

接下来,如图4(b)所示,准备核粒子26,将其表面用低熔点金属涂覆形成低熔点金属层21。形成低熔点金属层21的方法例如能采用镀覆法。例如,导电性填料用铜制成、低熔点金属层用锡制成的情况下能使用无电解镀覆、电镀。通过该工序能准备导电性填料20。

(3)膏准备工序

接下来,如图4(c)所示,将导电性填料20和接合性树脂25混合准备膏27。此时,导电性填料20和接合性树脂25的重量比优选为导电性填料:接合性树脂=30:70~70:30。

(4)膏涂布工序

接下来,如图4(d)所示,在外部连接构件10的第1主面11涂布膏27。

经过以上工序能制造接地构件1。

接下来说明使用了接地构件1的屏蔽印制线路板的制造方法。另外,该屏蔽印制线路板的制造方法也是本发明的屏蔽印制线路板的制造方法的一例。

本发明的屏蔽印制线路板的制造方法中,屏蔽印制线路板包括:基体膜,在基膜上依次设包含接地电路的印制电路和绝缘膜而成;屏蔽膜,含有胶粘剂层、层压于上述胶粘剂层的屏蔽层以及层压于上述屏蔽层的绝缘层;上述接地构件1,配置于上述屏蔽膜的绝缘层上;该屏蔽印制线路板的制造方法包含如下工序:(1)屏蔽膜载置工序、(2)接地构件配置工序、(3)加压工序及(4)加热工序。

以下用附图说明各工序。

图5是本发明的屏蔽印制线路板的制造方法的屏蔽膜载置工序的一例的工序示意图。

图6是本发明的屏蔽印制线路板的制造方法的接地构件配置工序的一例的工序示意图。

图7是本发明的屏蔽印制线路板的制造方法的加压工序的一例的工序示意图。

图8是本发明的屏蔽印制线路板的制造方法的加热工序的一例的工序示意图。

(1)屏蔽膜载置工序

本工序中,首先准备在基膜61上依次设包含接地电路62a的印制电路62和绝缘膜63而成的基体膜60。另外,也准备包括导电性胶粘剂层即胶粘剂层71、层压于胶粘剂层71的屏蔽层72、以及层压于屏蔽层72的绝缘层73的屏蔽膜70。然后如图5所示,在基体膜60上载置屏蔽膜70并使屏蔽膜70的胶粘剂层71与基体膜60相接来制作屏蔽印制线路板50(参照图6)。

形成基体膜60的基膜61及绝缘膜63的材料无特别限定,优选工程塑料。这样的工程塑料例如可以列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、交联聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚等树脂。另外,这些工程塑料中,需要阻燃性的话,优选聚苯硫醚膜,需要耐热性的话优选聚酰亚胺膜。另外,基膜61的厚度优选10~40μm,绝缘膜63的厚度优选10~30μm。

另外,绝缘膜63形成有使印制电路62的一部分露出的洞部63a。洞部63a的形成方法无特别限定,能采用激光加工等已知的方法。

屏蔽膜70的胶粘剂层71是包括树脂和导电性微粒子的导电性胶粘剂层。

形成胶粘剂层71的树脂无特别限定,优选丙烯酸类树脂、环氧类树脂、硅类树脂、热塑性弹性体类树脂、橡胶类树脂、聚酯类树脂、聚氨酯树脂等。另外,胶粘剂层71可含有脂肪烃树脂、C5/C9混合树脂、松香、松香衍生物、萜烯树脂、芳香烃类树脂、热反应性树脂等增黏剂。含有这些增黏剂的话能提高胶粘剂层71的粘着性。

胶粘剂层71可包含任意导电性微粒子,例如铜粉、银粉、镍粉、银包铜粉(Ag包Cu粉)、金包铜粉、银包镍粉(Ag包Ni粉)、金包镍粉,这些金属粉能用雾化法、羰基法等制作。另外,除上述物质之外也能使用用树脂覆盖金属粉而得的粒子、用金属覆盖树脂而得的粒子。另外,优选导电性微粒子为Ag包Cu粉或Ag包Ni粉。理由是能用廉价的材料得到导电性稳定的导电性微粒子。另外,导电性微粒子的形状不必限定于球状,例如也可以是树枝状、薄片状、钉状、棒状、纤维状、针状等。

屏蔽膜70的胶粘剂层71是导电性胶粘剂层,因此通过接地构件1的导电性填料20贯穿屏蔽膜70的绝缘层73从而能使接地构件1的导电性填料20和屏蔽膜70的屏蔽层72及胶粘剂层71接触、或接地构件1的导电性填料20和屏蔽膜70的屏蔽层72接触实现接地构件1的外部连接构件10和基体膜60的接地电路62a的电连接。

另外,胶粘剂层71可以是各向异性导电性胶粘剂层,也可以是各向同性导电性胶粘剂层,更优选各向异性导电性胶粘剂层。胶粘剂层71是各向异性导电性胶粘剂层的话,优选在相对于胶粘剂层71的整体量而言的3~39重量%的范围包含导电性微粒子。另外,导电性微粒子的平均粒径优选为2~20μm的范围,但优选根据各向异性导电性胶粘剂层的厚度选择最适合的大小。另外,胶粘剂层71是各向同性导电性胶粘剂层的话,优选在相对于胶粘剂层71的整体量而言的超过39重量%且95重量%以下的范围包含导电性微粒子。导电性微粒子的平均粒径可以通过与各向异性导电性胶粘剂层相同的方式进行选择。

屏蔽膜70的屏蔽层72只要具有屏蔽来自电信号的不需要的辐射、来自外部的电磁波等噪声的屏蔽效果即可,可用任何材料制备。例如,屏蔽层72可用金属制成,可以是金属箔、蒸镀膜等金属层,或层状的导电性微粒子的集合体。屏蔽层72是金属层时,优选形成金属层的材料例如包含从由镍、铜、银、金、钯、铝、铬、钛、锌及这些物质的合金构成的群中选择的至少1种。屏蔽层72是导电性微粒子的集合体的话能使用上述的导电性微粒子。这些材料导电性高适合用作屏蔽层。

屏蔽膜70的屏蔽层72的厚度优选0.01~10μm。屏蔽层的厚度不足0.01μm的话难以得到充分的屏蔽效果。屏蔽层的厚度超过10μm的话难以弯曲。

屏蔽膜70的绝缘层73的材料无特别限定,优选环氧类树脂、聚酯类树脂、丙烯酸类树脂、苯酚类树脂、聚氨酯树脂等。

屏蔽膜70的绝缘层73的厚度优选1~10μm。

(2)接地构件配置工序

本工序中,如图6所示,将接地构件1配置于屏蔽膜70并使接地构件1的导电性填料20朝向屏蔽膜70的绝缘层73侧。

(3)加压工序

本工序中,如图7所示,为了使接地构件1的外部连接构件10和基体膜60的接地电路62a电连接而给接地构件1加压使接地构件1的导电性填料20贯穿屏蔽膜70的绝缘层73及屏蔽层72。由此接地构件1的导电性填料20接触屏蔽膜70的胶粘剂层71及屏蔽层72。加压时的压力优选0.5MPa~10MPa。另外,本工序中也可设计为:接地构件1的导电性填料20仅贯穿屏蔽膜70的绝缘层73,使接地构件1的导电性填料20仅接触屏蔽膜70的屏蔽层72。

(4)加热工序

本工序中,如图8所示,为了使接地构件1的低熔点金属层21和屏蔽膜70的屏蔽层72连接而给接地构件1的低熔点金属层21加热使其软化。使接地构件1的低熔点金属层21软化时的温度无特别限定,优选100~300℃。由此能提高接地构件1的核粒子26和屏蔽膜70的屏蔽层72的紧密接合性、接地构件1的核粒子26和屏蔽膜70的胶粘剂层71的紧密接合性。

另外,本发明的屏蔽印制线路板的制造方法中,加热工序只要能使接地构件的低熔点金属层软化并使其和屏蔽膜的屏蔽层连接即可,可以在任何阶段进行。例如可以和上述加压工序同时进行,也可以作为单独的工序进行。同时进行加压工序和加热工序能提高制造效率。

另外,可以在将元件安装于加压工序后的屏蔽印制线路板的工序中进行加热工序。例如,为了安装元件而使用焊料时会进行焊料再流焊工序。可以通过该再流焊工序的再流焊时的热使低熔点金属层软化。此时加热工序和元件的安装同时进行。

另外,上述本发明的屏蔽印制线路板的制造方法中,也可设计为:在上述屏蔽膜载置工序中准备在胶粘剂层和屏蔽层之间及/或屏蔽层和绝缘层之间形成有低熔点金属层的屏蔽膜。另外,加热工序中,优选使屏蔽膜的低熔点金属层软化并使其和接地构件的导电性填料连接。这样一来能提高接地构件的导电性填料和屏蔽膜的屏蔽层的紧密接合性、接地构件的导电性填料和屏蔽膜的胶粘剂层的紧密接合性。

优选屏蔽膜的低熔点金属层由熔点为300℃以下的金属形成。屏蔽膜的低熔点金属层由熔点为300℃以下的金属形成的话,在将接地构件配置于屏蔽印制线路板时屏蔽膜的低熔点金属层能轻松软化并能恰当提高接地构件的导电性填料和屏蔽膜的屏蔽层、胶粘剂层的紧密接合性。

另外,形成屏蔽膜的低熔点金属层的金属无特别限定,优选包含从由铟、锡、铅及铋构成的群中选择的至少1种。在形成低熔点金属层这一方面这些金属具备合适的熔点及导电性。

另外,屏蔽膜的低熔点金属层的厚度优选0.1~50μm。低熔点金属层的厚度不足0.1μm的话形成低熔点金属层的金属的量少,因此在将接地构件配置于屏蔽印制线路板时接地构件的导电性填料和屏蔽膜的屏蔽层、导电层的紧密接合性难以提高。屏蔽膜的低熔点金属层的厚度超过50μm的话,屏蔽膜的低熔点金属层软化时屏蔽层容易变形。这样一来,屏蔽膜的屏蔽特性容易降低。

优选屏蔽膜的低熔点金属层包含助焊剂。通过屏蔽膜的低熔点金属层包含助焊剂从而在形成屏蔽膜的低熔点金属层的金属软化时,形成屏蔽膜的低熔点金属层的金属和接地构件的导电性填料易于紧密接合。这样一来能进一步提高屏蔽膜的低熔点金属层和接地构件的导电性填料的紧密接合性。接下来说明接地构件1使用于以下的屏蔽印制线路板150的情况。图9(a)及(b)是要使用本发明的接地构件的屏蔽印制线路板的制造方法的一例的示意图。图10是要使用本发明的接地构件的屏蔽印制线路板的一例的截面示意图。

如图9(a)所示,制造屏蔽印制线路板150时首先将屏蔽膜170载置于基体膜160。基体膜160是在基膜161上依次设包含接地电路162a的印制电路162和绝缘膜163而成的膜。另外,屏蔽膜170是包括胶粘剂层171、层压于胶粘剂层171的屏蔽层172以及层压于屏蔽层172的绝缘层173的膜,屏蔽层172是含有凸部172a及凹部172b的波状的形状。另外,屏蔽膜170的胶粘剂层171可具有导电性,也可不具有导电性。

接下来,如图9(b)所示,能通过压制制造屏蔽印制线路板150。在进行该压制时,屏蔽膜170的屏蔽层172的凸部172a挤开胶粘剂层171并与基体膜160的接地电路162a连接。

这样能制造如图10所示的屏蔽印制线路板150。即,如图10所示,屏蔽印制线路板150包括基体膜160和屏蔽膜170。屏蔽印制线路板150中,基体膜160是在基膜161上依次设包含接地电路162a的印制电路162和绝缘膜163而成的膜。另外,屏蔽膜170是包括胶粘剂层171、层压于胶粘剂层171的屏蔽层172以及层压于屏蔽层172的绝缘层173的膜,屏蔽层172是含有凸部172a及凹部172b的波状的形状。然后,屏蔽印制线路板150中,屏蔽膜170覆盖基体膜160并使屏蔽膜170的胶粘剂层171和基体膜160相接。另外,屏蔽层172的凸部172a的一部分从胶粘剂层171露出并和基体膜160的接地电路162a接触。

接下来使用附图说明接地构件1使用于屏蔽印制线路板150的情况。图11是本发明的接地构件使用于屏蔽印制线路板的情况的一例的示意图。如图11所示,向屏蔽印制线路板150按压配置接地构件1并使接地构件1的导电性填料20贯穿屏蔽膜170的绝缘层173。然后,接地构件1的导电性填料20和屏蔽膜170的屏蔽层172接触。

如上所述,屏蔽膜170的屏蔽层172和基体膜160的接地电路162a接触,因此接地构件1的外部连接构件10和基体膜160的接地电路162a实现电连接。另外,接地构件1的外部连接构件10连接于外部接地处GND。

像这样接地构件1配置于屏蔽印制线路板150,因此不用在屏蔽印制线路板150的屏蔽膜170的绝缘层173预先设孔等,能在任意位置配置接地构件1。

另外,接地构件1中,导电性填料20包括核粒子26及形成于其表面的低熔点金属层21。将接地构件1配置于屏蔽印制线路板150时、将接地构件1配置于屏蔽印制线路板150后的元件安装工序中会进行加热。通过该加热能使低熔点金属层21软化并能提高接地构件1的核粒子26和屏蔽膜170的屏蔽层172的紧密接合性。因此即使反复进行加热及冷却来将元件安装于使用了接地构件1的屏蔽印制线路板150,接地构件1的核粒子26和屏蔽膜170的屏蔽层172之间也不易产生偏移。这样一来能抑制基体膜160的接地电路162a-外部接地处GND间的电阻的增加。

屏蔽印制线路板150中,优选的基体膜160与上述屏蔽印制线路板50的说明中记载的基体膜60相同。

屏蔽印制线路板150中,形成屏蔽膜170的屏蔽层172及绝缘层173的优选材料与上述屏蔽印制线路板50的说明中记载的屏蔽膜70的屏蔽层72及绝缘层73相同。

屏蔽印制线路板150中,形成屏蔽膜170的屏蔽膜170的胶粘剂层171的优选材料无特别限定,优选丙烯酸类树脂、环氧类树脂、硅类树脂、热塑性弹性体类树脂、橡胶类树脂、聚酯类树脂、聚氨酯树脂等。另外,胶粘剂层171可含有脂肪烃树脂、C5/C9混合树脂、松香、松香衍生物、萜烯树脂、芳香烃类树脂、热反应性树脂等增黏剂。含有这些增黏剂的话能提高胶粘剂层171的粘着性。

另外,屏蔽印制线路板150中,可设计为:屏蔽膜170中,屏蔽层172和绝缘层173之间形成有屏蔽膜170的低熔点金属层,屏蔽膜170的低熔点金属层和接地构件1的导电性填料20连接。这种结构能提高接地构件1的导电性填料20和屏蔽膜170的屏蔽层172的紧密接合性。

接下来说明接地构件1使用于以下的屏蔽印制线路板250的情况。图12是要使用本发明的接地构件的屏蔽印制线路板的一例的截面示意图。

如图12所示,屏蔽印制线路板250包括基体膜260和屏蔽膜270。屏蔽印制线路板250中,基体膜260是在基膜261上依次设包含接地电路262a的印制电路262和绝缘膜263而成的膜。另外,屏蔽膜270是包括胶粘剂层271、层压于胶粘剂层271的屏蔽层272以及层压于屏蔽层272的绝缘层273的膜。然后,屏蔽印制线路板250中,屏蔽膜270覆盖基体膜260并使屏蔽膜270的胶粘剂层271和基体膜260相接。另外,屏蔽膜270的胶粘剂层271不具有导电性,印制电路262和屏蔽层272没有电连接。

接下来使用附图说明接地构件1使用于屏蔽印制线路板250的情况。图13是本发明的接地构件使用于屏蔽印制线路板的情况的一例的示意图。如图13所示,向屏蔽印制线路板250按压配置接地构件1并使接地构件1的导电性填料20贯穿屏蔽膜270的绝缘层273并与屏蔽层272连接。由此,接地构件1的导电性填料20和屏蔽膜270的屏蔽层272接触。因此能实现接地构件1的外部连接构件10和屏蔽膜270的屏蔽层272的电连接。另外,接地构件1的外部连接构件10连接于外部接地处GND。

像这样配置了接地构件1的屏蔽印制线路板250中,屏蔽膜270的屏蔽层272和外部接地处GND电连接,因此屏蔽层272作为屏蔽电磁波的电磁波屏蔽物恰当发挥作用。

像这样接地构件1配置于屏蔽印制线路板250,因此不用在屏蔽印制线路板250的屏蔽膜270的绝缘层273预先设孔等,能在任意位置配置接地构件1。

另外,接地构件1中,导电性填料20包括核粒子26及形成于其表面的低熔点金属层21。将接地构件1配置于屏蔽印制线路板250时、将接地构件1配置于屏蔽印制线路板250后的元件安装工序中会进行加热。通过该加热能使低熔点金属层21软化并能提高接地构件1的核粒子26和屏蔽膜270的屏蔽层272的紧密接合性。因此即使反复进行加热及冷却来将元件安装于使用了接地构件1的屏蔽印制线路板250,接地构件1的核粒子26和屏蔽膜270的屏蔽层272之间也不易产生偏移。

另外,胶粘剂层271不含有导电性微粒子,因此能减少胶粘剂层271的原材料费,并能使胶粘剂层271变薄。

屏蔽印制线路板250中,优选的基体膜260与上述屏蔽印制线路板50的说明中记载的基体膜60相同。

屏蔽印制线路板250中,形成屏蔽膜270的屏蔽层272及绝缘层273的优选材料与上述屏蔽印制线路板50的说明中记载的屏蔽膜70的屏蔽层72及绝缘层73相同。

屏蔽印制线路板250中,形成屏蔽膜270的屏蔽膜270的胶粘剂层271的优选材料无特别限定,优选丙烯酸类树脂、环氧类树脂、硅类树脂、热塑性弹性体类树脂、橡胶类树脂、聚酯类树脂、聚氨酯树脂等。另外,胶粘剂层271可含有脂肪烃类树脂、C5/C9混合树脂、松香、松香衍生物、萜烯树脂、芳香烃类树脂、热反应性树脂等增黏剂。含有这些增黏剂的话能提高胶粘剂层271的粘着性。

另外,屏蔽印制线路板250中,可设计为:屏蔽膜270中,屏蔽层272和绝缘层273之间形成有屏蔽膜270的低熔点金属层,屏蔽膜270的低熔点金属层和接地构件1的导电性填料20连接。这种结构能提高接地构件1的导电性填料20和屏蔽膜270的屏蔽层272的紧密接合性。

接下来说明接地构件1使用于以下的屏蔽印制线路板350的情况。图14是要使用本发明的接地构件的屏蔽印制线路板的一例的截面示意图。

如图14所示,屏蔽印制线路板350包括基体膜360和屏蔽膜370。屏蔽印制线路板350中,基体膜360是在基膜361上依次设包含接地电路362a的印制电路362和绝缘膜363而成的膜。另外,屏蔽膜370是包括屏蔽层372以及层压于屏蔽层372的绝缘层373的膜。然后,屏蔽印制线路板350中,屏蔽膜370覆盖基体膜360并使屏蔽膜370的屏蔽层372和基体膜360相接。另外,屏蔽膜370的屏蔽层372是导电性胶粘剂层。

接下来使用附图说明接地构件1使用于屏蔽印制线路板350的情况。图15是本发明的接地构件使用于屏蔽印制线路板的情况的一例的示意图。如图15所示,向屏蔽印制线路板350按压配置接地构件1并使接地构件1的导电性填料20贯穿屏蔽膜370的绝缘层373。然后,接地构件1的导电性填料20和屏蔽膜370的屏蔽层372接触。

如上所述,屏蔽膜370的屏蔽层372和基体膜360的接地电路362a接触,因此接地构件1的外部连接构件10和基体膜360的接地电路362a实现电连接。另外,接地构件1的外部连接构件10连接于外部接地处GND。

像这样接地构件1配置于屏蔽印制线路板350,因此不用在屏蔽印制线路板350的屏蔽膜370的绝缘层373预先设孔等,能在任意位置配置接地构件1。

另外,接地构件1中,导电性填料20包括核粒子26及形成于其表面的低熔点金属层21。将接地构件1配置于屏蔽印制线路板350时、将接地构件1配置于屏蔽印制线路板350后的元件安装工序中会进行加热。通过该加热能使低熔点金属层21软化并能提高接地构件1的核粒子26和屏蔽膜370的屏蔽层372的紧密接合性。因此,即使反复进行加热及冷却来将元件安装于使用了接地构件1的屏蔽印制线路板350,接地构件1的导电性填料20和屏蔽膜370的屏蔽层372之间也不易产生偏移。这样一来能抑制基体膜360的接地电路362a-外部接地处GND间的电阻的增加。

另外,屏蔽印制线路板350中,屏蔽膜370的屏蔽层372是导电性胶粘剂层,因此屏蔽膜370的屏蔽层372具有将屏蔽膜370接合于基体膜360的功能和屏蔽电磁波的功能这两种功能。因此,即使不使用与基体膜360进行接合的胶粘剂等也能轻松地将屏蔽膜370接合于基体膜360。

屏蔽印制线路板350中,优选的基体膜360与上述屏蔽印制线路板50的说明中记载的基体膜60相同。

屏蔽印制线路板350中,形成屏蔽膜370的绝缘层373的优选材料与上述屏蔽印制线路板50的说明中记载的屏蔽膜70的绝缘层73相同。

屏蔽印制线路板350中,屏蔽膜370的屏蔽层372是包括树脂和导电性微粒子的导电性胶粘剂层。

形成屏蔽层372的树脂无特别限定,优选丙烯酸类树脂、环氧类树脂、硅类树脂、热塑性弹性体类树脂、橡胶类树脂、聚酯类树脂、聚氨酯树脂等。另外,屏蔽层372可含有脂肪烃类树脂、C5/C9混合树脂、松香、松香衍生物、萜烯树脂、芳香烃类树脂、热反应性树脂等增黏剂。含有这些增黏剂能提高屏蔽层372的粘着性。

形成屏蔽层372的导电性微粒子无特别限定,有铜粉、银粉、镍粉、银包铜粉(Ag包Cu粉)、金包铜粉、银包镍粉(Ag包Ni粉)、金包镍粉,这些金属粉能用雾化法、羰基法等制作。另外,除上述物质之外也能使用用树脂覆盖金属粉而得的粒子、用金属覆盖树脂而得的粒子。另外,优选导电性微粒子为Ag包Cu粉或Ag包Ni粉。理由是能用廉价的材料得到导电性稳定的导电性微粒子。另外,导电性微粒子的形状不必限定于球状,例如可以是树枝状、薄片状、钉状、棒状、纤维状、针状等。另外,导电性微粒子的表面也可设低熔点金属层。此时的低熔点金属层能使用上述的低熔点金属层。

另外,优选屏蔽膜370的屏蔽层372为各向同性导电性胶粘剂层。此时,优选在相对于屏蔽层的整体量而言的超过39重量%且95重量%以下的范围包含导电性微粒子。导电性微粒子的平均粒径优选2~20μm。

另外,屏蔽印制线路板350中,屏蔽膜370中,屏蔽层372和绝缘层373之间可以形成屏蔽膜370的低熔点金属层,屏蔽膜370的低熔点金属层可以和接地构件1的导电性填料20连接。这种结构能提高接地构件1的导电性填料20和屏蔽膜370的屏蔽层372的紧密接合性。

如前所述的、上述使用了接地构件1的屏蔽印制线路板150、使用了接地构件1的屏蔽印制线路板250以及使用了接地构件1的屏蔽印制线路板350是本发明的屏蔽印制线路板的一例。

另外,能通过上述制造使用了接地构件1的屏蔽印制线路板50的方法的“(1)屏蔽膜载置工序”准备屏蔽膜170、屏蔽膜270或屏蔽膜370以取代屏蔽膜70来制造上述使用了接地构件1的屏蔽印制线路板150、使用了接地构件1的屏蔽印制线路板250或使用了接地构件1的屏蔽印制线路板350。

(第二实施方式)

接下来说明本发明的接地构件的其他技术方案即第二实施方式所涉及的接地构件。

图16是本发明的接地构件的一例的截面示意图。如图16所示,接地构件101包括含有第1主面111、第1主面111的相反侧的第2主面112且具有导电性的外部连接构件110。

另外,导电性填料120通过接合性树脂125固定于第1主面111。然后,导电性填料120包括核粒子126及形成于其表面的至少一部分的低熔点金属层121。另外,接地构件101中,导电性填料120的一部分从接合性树脂125露出。

导电性填料120的一部分从接合性树脂125露出时能通过该露出部进行导电。因此,将接地构件1使用于屏蔽印制线路板时,能轻松地实现接地构件101的导电性填料120和屏蔽膜的屏蔽层的电连接。

接地构件101的外部连接构件110的优选材料、接合性树脂125的优选材料、核粒子26的优选材料以及形成低熔点金属层121的优选金属等与上述接地构件1的外部连接构件10的优选材料、接合性树脂25的优选材料、核粒子26的优选材料以及形成低熔点金属层21的优选金属等相同。

(其他实施方式)

以上针对外部接地构件中核粒子及形成于其表面的至少一部分的用低熔点金属制成的低熔点金属层形成导电性填料的情况进行了说明。但本发明的接地构件中,导电性填料只要含有低熔点金属即可,例如可以是用低熔点金属单独制成的导电性填料、用包含助焊剂的低熔点金属制成的导电性填料,而不是上述的包括核粒子及低熔点金属层的导电性填料。

另外,导电性填料用低熔点金属单独制成或用包含助焊剂的低熔点金属制成时,优选金属的熔点为300℃以下。另外,优选低熔点金属包含从由铟、锡、铅及铋构成的群中选择的至少1种。

另外,导电性填料由低熔点金属单独制成或由包含助焊剂的低熔点金属制成时,导电性填料的平均粒径优选1~200μm。

包含助焊剂时,助焊剂能使用多元羧酸、乳酸、柠檬酸、油酸、硬脂酸、谷氨酸、苯甲酸、甘油、松香等众所周知的助焊剂。

此时的接地构件的外部连接构件、接合性树脂的优选材料等与上述本发明的第一实施方式所涉及的接地构件说明的外部连接构件、接合性树脂的优选材料等相同。

【实施例】

以下是更加具体说明本发明的实施例,但本发明不限定于这些实施例。

(实施例1-1)

(1)外部连接构件准备工序

准备了厚度35μm的铜箔作为外部连接构件。

(2)导电性填料准备工序

准备了粒子径为10~15μm的镍粒子粉作为核粒子。接下来通过电镀锡在镍粒子粉的表面镀覆锡,形成了低熔点金属层。导电性填料中的低熔点金属层的含有率(即锡的含有量)为8.8wt%。由此准备了导电性填料。

(3)膏准备工序

将准备的导电性填料和双酚 A型环氧树脂混合准备了膏。导电性填料和双酚 A型环氧树脂的重量比是导电性填料:双酚A型环氧树脂=100:47(重量份换算)。

(4)膏涂布工序

接下来在铜箔上涂布膏使其厚度为30μm从而制造了实施例1-1所涉及的接地构件。

(实施例1-2)~(实施例1-7)及(比较例1-1)~(比较例1-3)

如表1所示,除改变了核粒子的种类、覆盖核粒子的金属的种类及其含有率之外,其余与实施例1-1相同,制造了实施例1-2~1-7以及比较例1-1~比较例1-3所涉及的接地构件。

【表1】

(实施例2-1)

使用实施例1-1的接地构件用以下所述的方法制造了实施例2-1所涉及的屏蔽印制线路板。

(1)屏蔽膜载置工序

首先准备了在基膜上依次设包含接地电路的印制电路和覆盖膜而成的基体膜。基体膜中,基膜由聚酰亚胺树脂构成,接地电路及印制电路由铜构成,覆盖膜由聚酰亚胺树脂构成。另外,覆盖膜形成了用于使印制电路的一部分露出的洞部。

然后准备了各向异性导电性胶粘剂层、屏蔽层及绝缘层按顺序层压而成的屏蔽膜。各向异性导电性胶粘剂层由双酚A型环氧树脂及平均粒径10μm的铜微粒子构成,其重量比为双酚A型环氧树脂:铜微粒子=100:47(重量份换算)。另外,各向异性导电性胶粘剂层的厚度为9μm。另外,屏蔽层由铜构成,其厚度为2μm。另外,绝缘层由环氧树脂构成,其厚度为6μm。

接下来在基体膜上载置了屏蔽膜并使基体膜和屏蔽膜的各向异性导电性胶粘剂层相接。

(2)接地构件配置工序

接下来,将实施例1-1的接地构件配置于屏蔽膜并使实施例1-1的接地构件的导电性填料朝向屏蔽膜的绝缘层侧。

(3)加压工序

接下来,为了使实施例1-1的接地构件的外部连接构件和基体膜的接地电路电连接而对接地构件加压使接地构件的导电性填料贯穿屏蔽膜的绝缘层。加压的条件为:温度:170℃、压力:3MPa、时间:30分钟。

(4)加热工序

接下来,将接地构件、屏蔽膜及线路板150℃烘烤1小时后,使其进入到在260℃×5秒钟的条件下加热5次的加热工序(再流焊工序)。该加热工序中,使形成于实施例1-1所涉及的接地构件的导电性填料的表面的低熔点金属层软化,通过低熔点金属层使接地构件的导电性填料和屏蔽膜的各向异性导电性胶粘剂层及屏蔽层连接。

经过以上工序制造了实施例2-1所涉及的屏蔽印制线路板。

(实施例2-2)~(实施例2-7)及(比较例2-1)~(比较例2-3)

除了使用实施例1-2~实施例1-7的接地构件作为接地构件以外,其余与实施例2-1相同,制造了实施例2-2~实施例2-7所涉及的屏蔽印制线路板。

(初始状态的电阻值的测定)

分别准备10个实施例2-1~实施例2-7及比较例2-1~比较例2-3所涉及的屏蔽印制线路板,测定了基体膜的接地电路-外部接地处之间的电阻值。各实施例的电阻值的平均值显示于表1。如表1所示,实施例2-1~实施例2-7所涉及的屏蔽印制线路板中,基体膜的接地电路-外部接地处之间的初始状态的电阻值足够低。

(针对反复进行加热冷却导致的电阻值变化进行的测定试验)

分别准备10个实施例2-1~实施例2-2的屏蔽印制线路板以及比较例2-1~比较例2-3的屏蔽印制线路板。之后,共计反复进行了200次120℃加热20分钟的加热处理和冷却到-55℃的冷却处理。之后,测定了基体膜的接地电路-外部接地处之间的电阻值。结果显示于表2。

【表2】

如表2所示,使用导电性填料上形成有高熔点金属层(铜层)的接地构件的比较例2-1~比较例2-3所涉及的屏蔽印制线路板中,反复进行加热冷却后电阻值上升。电阻值上升的原因是:由于反复进行加热冷却,接地构件的外部连接构件和核粒子之间、接地构件的核粒子和屏蔽膜的屏蔽层之间产生了偏移。另一方面,使用导电性填料上形成有低熔点金属层(锡层)的接地构件的实施例2-1~实施例2-2所涉及的屏蔽印制线路板中,即使反复进行加热冷却电阻值的变化也很小。这是因为即使反复进行加热冷却,接地构件的外部连接构件和核粒子之间、接地构件的核粒子和屏蔽膜的屏蔽层之间基本没产生偏移。

【编号说明】

1、101 接地构件

10、110 外部连接构件

11、111 第1主面

12、112 第2主面

20、120 导电性填料

21、121 低熔点金属层

25、125 接合性树脂

26、126 核粒子

27 膏

50、150、250、350 屏蔽印制线路板

60、160、260、360 基体膜

61、161、261、361 基膜

62、162、262、362 印制电路

62a、162a、262a、362a 接地电路

63、163、263、363 绝缘膜

63a 洞部

70、170、270、370 屏蔽膜

71、171、271 胶粘剂层

72、172、272、372 屏蔽层

73、173、273、373 绝缘层

172a 凸部

172b 凹部

GND 外部接地处

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