技术总结
本公开的实施例涉及集成电路。一种用于物理不可克隆功能的集成设备基于呈现阈值电压的随机分布的MOS晶体管集合，这例如起因于通过多晶硅层的注入，阈值电压由呈现不可预测的特征的掺杂物的横向注入而获得。特定数目的这些晶体管形成一组量规晶体管，其将使得定义平均栅源电压成为可能，这使得对这些晶体管的某些其他晶体管的栅极进行偏置成为可能(其将被用于定义由功能生成的唯一码的各个比特)。因此，所有这些晶体管呈现漏源电流的随机分布，并且与数字码的比特相关联的晶体管的每个漏源电流与对应于该分布的平均的参考电流的比较使得定义该比特为逻辑值0或1成为可能。
技术研发人员：M·利萨特;R·A·比安基;B·弗罗门特
受保护的技术使用者：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
文档号码：201721178739
技术研发日：2017.09.14
技术公布日：2018.05.18