1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片，包括：
半导体衬底；
超声换能器，其包括：
腔，其对应所述CMOS晶片的被去除的第一金属化层；
设置在所述腔与所述半导体衬底之间的电极；以及
所述CMOS晶片的声学振动膜，其包括所述CMOS晶片的第二金属化层和介电层，所述腔设置在所述半导体衬底与所述声学振动膜之间；以及
在所述半导体衬底上的集成电路，所述集成电路耦接至所述超声换能器并且被配置为控制所述超声换能器的运行。
2.根据权利要求1所述的CMOS晶片，其中，设置在所述腔与所述半导体衬底之间的所述电极是所述超声换能器的第一电极，其中，所述超声换能器还包括设置成与所述第一电极相对的第二电极。
3.根据权利要求1所述的CMOS晶片，其中，设置在所述腔与所述半导体衬底之间的所述电极对应所述CMOS晶片的所述去除的第一金属化层的衬层。
4.根据权利要求1所述的CMOS晶片，其中，设置在所述腔与所述半导体衬底之间的所述电极是所述超声换能器的底电极，其中，所述超声换能器还包括顶电极，所述腔设置在所述底电极与所述顶电极之间，其中，所述底电极和所述顶电极对应所述CMOS晶片的所述去除的第一金属化层的衬层。
5.根据权利要求1所述的CMOS晶片，其中，所述CMOS晶片的所述声学振动膜包括一个或更多个导电通路。
6.根据权利要求5所述的CMOS晶片，其中，设置在所述腔与所述半导体衬底之间的所述电极是所述超声换能器的第一电极，其中，所述超声换能器还包括设置成与所述第一电极相对的第二电极。
7.根据权利要求6所述的CMOS晶片，其中，所述声学振动膜的所述一个或更多个导电通路中的至少之一电连接到所述第二电极。
8.根据权利要求1所述的CMOS晶片，还包括穿过所述声学振动膜的至少一部分到达所述腔的至少一个填充的进入孔。
9.根据权利要求1所述的CMOS晶片，包括包含所述超声换能器的多个超声换能器。
10.根据权利要求1所述的CMOS晶片，其中，所述第二金属化层埋置在所述声学振动膜的所述介电层内。
11.根据权利要求1所述的CMOS晶片，还包括被定位成不穿过所述声学振动膜的至少一个孔。
12.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片，包括：
半导体衬底；
第一金属化层；以及
超声换能器，其包括：
形成在所述第一金属化层中的腔；
设置在所述腔与所述半导体衬底之间的电极；以及
所述CMOS晶片的声学振动膜，其包括所述CMOS晶片的第二金属化层和介电层，所述腔设置在所述半导体衬底与所述声学振动膜之间；以及
在所述半导体衬底上的集成电路，所述集成电路耦接至所述超声换能器并且被配置为控制所述超声换能器的运行。
13.根据权利要求12所述的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片，其中，所述第一金属化层被配置为在所述衬底的外围区域中传输电信号。
14.根据权利要求12所述的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片，其中，所述第一金属化层具有形成在其中的多个腔，其中，每个腔对应于不同的超声换能器。
15.一种方法，包括：
通过堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片的多个层来在所述CMOS晶片中形成超声换能器的声学振动膜，所述CMOS晶片的多个层包括所述CMOS晶片的至少一个介电层和第一金属化层；
形成通往所述CMOS晶片的第二金属化层的至少一个进入孔，所述第二金属化层包括由第一导电衬层和第二导电衬层界定的内金属层；
通过利用选择性蚀刻经由所述至少一个进入孔去除所述第一金属化层的所述内金属层的至少一部分来在所述CMOS晶片中形成腔，从而释放所述声学振动膜，同时基本上保留所述第一导电衬层和所述第二导电衬层；
利用绝缘材料密封所述至少一个进入孔；以及
将所述第一导电衬层和所述第二导电衬层耦接至所述CMOS晶片的集成电路。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述声学振动膜还包括利用一个或更多个导电通路将所述CMOS晶片的所述第一金属化层耦接至所述第二金属化层的所述第一导电衬层。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，将所述第一导电衬层和所述第二导电衬层耦接至所述CMOS晶片的集成电路包括通过一个或更多个导电通路将所述第一导电衬层耦接至所述CMOS晶片的半导体衬底中的集成电路。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述内金属层包含铝，其中，使用选择性蚀刻包括使用氢氟酸蚀刻。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一导电衬层和所述第二导电衬层包含氮化钛(TiN)。