显示面板及其制作方法、显示器与流程

文档序号:11233338阅读:1271来源:国知局
显示面板及其制作方法、显示器与流程

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法,以及一种显示器。



背景技术:

lcd(liquidcrystaldisplay,液晶显示器)的显示屏为了增强防esd(electronicstaticdischarge,静电释放)能力和屏蔽外界的电磁干扰,一般都会在彩膜基板表面,整面镀一层ito(氧化铟锡),并把ito接地处理,这层ito叫屏蔽层。由于ito的阻抗较低,对静电有很好的导通能力,因此能有效防止esd。但在内嵌式触摸屏(in-cell)里,触控层在lcd的阵列基板侧,如果cf表面屏蔽层仍然用阻抗较低的ito,虽然能有效防止静电,但同时也会屏蔽触摸信号,导致无法触控。为解决这一问题,现有技术一般通过更换屏蔽层的材料,使其阻抗足够大,如pedot(聚乙撑二氧噻吩,方阻约107ω)等高分子导电材料,以至于不会屏蔽触控信号且能屏蔽外界信号干扰。但由于pedot等高分子导电材料的阻抗过大,不可避免的导致其导电能力弱,进而抗esd能力低。



技术实现要素:

本发明提供显示面板及其制作方法,以及一种显示器,实现较高的防抗esd能力的同时能够屏蔽外界信号干扰且不会屏蔽触控信号。

本发明提供一种显示面板,包括阵列基板、彩膜基板、液晶层及两层屏蔽层。所述阵列基板与所述彩膜基板相对设置,所述液晶层设于所述阵列基板及所述彩膜基板之间。所述显示面板还包括显示区及围绕所述显示区边缘的非显示区。所述两层屏蔽层分别为第一屏蔽层、第二屏蔽层,所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层层叠设置并位于所述彩膜基板上背离所述阵列基板的一侧,所述第二屏蔽层或者所述第一屏蔽层位于所述彩膜基板一侧的边缘且位于所述非显示区内。所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层电连接。位于所述非显示区的一层所述屏蔽层的阻抗小于另一所述屏蔽层的阻抗。所述第一屏蔽层或第二屏蔽层接地。

其中,所述第一屏蔽层覆盖于所述彩膜基板上背离所述阵列基板的一侧,所述第二屏蔽层层叠于所述第一屏蔽层背离所述彩膜基板的一侧上,并围绕所述第一屏蔽层边缘设置或者所述第二屏蔽层覆盖于所述彩膜基板上背离所述阵列基板的一侧,并围绕所述彩膜基板的边缘设置,所述第一屏蔽层层叠于所述第二屏蔽背离所述彩膜基板的一侧上,并覆盖所述第二屏蔽层及未被所述第二屏蔽层覆盖的彩膜基板。

其中,所述显示面板还包括触控层,所述触控层设于所述阵列基板上朝向所述彩膜基板的一侧,或者设于所述彩膜基板上朝向所述阵列基板的一侧。

其中,所述第一屏蔽层或所述第二屏蔽层通过至少一个导电银浆点与接地点电连接,所述接地点设于所述阵列基板上。

其中,所述第一屏蔽层为高分子导电材料。

其中,所述第一屏蔽层为pedot材料,其方阻为107ω。

其中,所述第二屏蔽层为ito、石墨烯或金属材料。

本发明还提供一种显示面板制作方法,包括步骤:

提供一液晶盒,所述液晶盒包括阵列基板、彩膜基板及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层;

在所述彩膜基板背离所述阵列基板的一侧上形成第一屏蔽层;

在所述第一屏蔽层上沉积第二屏蔽材料层;

图案化所述第二屏蔽材料层,得到第二屏蔽层,所述第二屏蔽层围绕所述第一屏蔽层边缘,且所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层电连接;

将所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层接地。

其中,步骤“将所述第一屏蔽层或所述第二屏蔽层与接地点电连接”包括:

所述阵列基板上设有接地点,从所述第一屏蔽层或所述第二屏蔽层点导电银浆点,并使所述导电银浆点从所述第一屏蔽层或所述第二屏蔽层延伸至所述接地点,以实现所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层的接地。

本发明还提供一种显示器,所述显示器包括显示器本体及上述的显示面板。

本发明提供的显示面板,通过在所述彩膜基板背离所述阵列基板的一面覆盖所述第一屏蔽层,并围绕所述第一屏蔽层的边缘层叠所述第二屏蔽层,且所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层电连接并接地。并且,所述第一屏蔽层的阻抗大于所述第二屏蔽的阻抗。由于所述第二屏蔽层的阻抗较小,因此,所述第二屏蔽层具有较好的导电能力,即所述第二屏蔽层能够快速的将静电导出,从而实现所述显示面板具有较高的防抗esd能力。并且,由于所述第二屏蔽层仅设于所述非显示区内,所述第二屏蔽层不会屏蔽在显示区内进行触控产生的触控信号,但所述第一屏蔽层能够很好的屏蔽外界信号干扰。因此,本发明的所述显示面板能够实现具有较高的防抗esd能力的同时,能够屏蔽外界信号干扰且不会屏蔽触控信号,得到良好的应用效果。

附图说明

为更清楚地阐述本发明的构造特征和功效,下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。

图1是本发明一实施例的正面结构示意图;

图2是图1所示本发明实施例的侧面结构示意图;

图3是图1所示本发明实施例的截面结构示意图;

图4是本发明另一实施例的截面结构示意图;

图5是图1所示的显示面板的制备方法流程图;

图6-图9是图1所示的显示面板各制备步骤中的截面图。

具体实施例

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。其中,附图仅用于示例性说明,表示的仅是示意图,不能理解为对本专利的限制。

本发明提供一种显示面板,所述显示面板内嵌触摸层,即所述显示面板在实现画面显示效果的同时能够对所述显示面板进行触控。

请参阅图1-3,本发明提供一种显示面板100。所述显示面板100包括阵列基板10、彩膜基板30、液晶层20及两层屏蔽层。本发明中,所述两层屏蔽层分别为第一屏蔽层40及第二屏蔽层50。所述阵列基板10及所述彩膜基板30相对平行设置,并通过胶框33固定连接。所述阵列基板10、所述彩膜基板30及所述胶框33围城一空腔,所述液晶层20设于所述阵列基板10及所述彩膜基板30之间并收容于所述空腔内。所述彩膜基板30背离所述阵列基板10的一面覆盖有第一屏蔽层40。所述第一屏蔽层40上层叠有第二屏蔽层50。

所述显示面板100还包括触控层(图中未示出),通过所述触控层能够实现对所述显示面板100的触控。所述触控层设于所述阵列基板10上朝向所述彩膜基板30的一侧,或者设于所述彩膜基板30上朝向所述阵列基板10的一侧。本实施中,所述触控层设于所述阵列基板10上朝向所述彩膜基板30的一侧。所述显示面板100还可包括显示区101及围绕所述显示区101的非显示区102,所述非显示区102包围所述显示区101并与所述显示区101进行连接。在所述显示区101内能够进行画面显示及触控操作,所述非显示区102不能进行画面显示及触控操作。

所述第一屏蔽层40层叠并覆盖于所述彩膜基板10背离所述阵列基板30的一侧。本发明中,所述第一屏蔽层40为导电pvc、导电pedot等高分子导电材料。所述高分子导电材料具有较高阻抗的屏蔽材料,因此,通过所述第一屏蔽层40能够实现在屏蔽外界信号干扰的同时,不会屏蔽触控信号。本实施例中,所述第一屏蔽层40为导电pedot,其方阻约为107ω。

所述第二屏蔽层50层叠于所述第一屏蔽层40上背离所述彩膜基板10一侧的边缘,且所述第二屏蔽层50位于所述非显示区102内。因此,所述第二屏蔽层50不会对所述显示区101内产生的触控信号进行屏蔽。并且,所述第一屏蔽层40与所述第二屏蔽层50直接接触,从而实现所述第一屏蔽层40与所述第二屏蔽层50的电连接。并且,本发明中,所述第一屏蔽层40与所述第二屏蔽层50接地,进而能够通过所述第一屏蔽层40与所述第二屏蔽层50将所述显示面板100上的静电进行排除。本发明中所述阵列基板30上设有接地点31,通过导电银浆点32连接所述第一屏蔽层40或所述第二屏蔽层50与所述接地点31,即所述导电银浆点32一端与所述第一屏蔽层40或所述第二屏蔽层50电连接,另一端与所述接地点31电连接,从而实现所述所述第一屏蔽层40与所述第二屏蔽层50的接地。可以理解的是,本发明中所述接地点31及所述导电银浆点32可以为多个,从而尽快的将所述显示面板100上的静电导出,进一步提高所述显示面板100的抗esd能力。本实施例中,所述接地点31及所述导电银浆点32为两个,两个所述接地点31与两个所述导电银浆点32一一对应电连接。本发明中,所述第二屏蔽层50为ito、石墨烯或金属材料等低阻抗屏蔽材料,其阻抗较所述第一屏蔽层40低,其中,所述第一屏蔽层40贴近所述彩膜基板30。由于所述第二屏蔽层50为ito、石墨烯或金属材料等低阻抗屏蔽材料,因此,其导电速度较快,从而能够快速的将所述显示面板100上的静电排除,提高所述显示面板100的抗esd能力。并且,由于所述第二屏蔽层50仅位于所述非显示区102内,因此,不会对所述显示区101内产生的触控信号进行屏蔽,从而实现在实现所述显示面板100较强的抗esd能力的同时,不会屏蔽触控信号并屏蔽外界信号干扰。

请参阅图4,本发明提供另一种显示面板200。所述显示面板200与所述显示面板100的区别在于:所述第二屏蔽层50覆盖于所述彩膜基板10上背离所述阵列基板30的一面,并围绕所述彩膜基板10的边缘设置。所述第一屏蔽层40层叠于所述第二屏蔽层50上背离所述彩膜基板10的一面上,并覆盖所述第二屏蔽层50及未被所述第二屏蔽层50覆盖的所述彩膜基板10。

本发明还提供所述显示面板的制作方法。请参阅图5,本实施例提供所述显示面板100的制作方法,包括步骤:

501、请参阅图6,提供一液晶盒,所述液晶盒包括阵列基板10、彩膜基板20及位于所述阵列基板10与所述彩膜基板20之间的液晶层30。

所述阵列基板10、彩膜基板30通过胶框实现对合,即所述阵列基板10与所述彩膜基板30平行且相对,平行且相对的所述阵列基板10与所述彩膜基板30的边缘通过胶框33固定连接,所述阵列基板10、所述彩膜基板30及所述胶框33围成一空腔,所述液晶层20填充于所述空腔内,即形成包含所述阵列基板10、及所述彩膜基板30及所述液晶层20的液晶盒。

502、请参阅图7,在所述彩膜基板30背离所述阵列基板10的一面上形成第一屏蔽层40。

通过喷涂或者印刷等方式在所述彩膜基板30背离所述阵列基板10的一面上形成所述第一屏蔽层40。所述第一屏蔽层40覆盖所述彩膜基板30。

503、请参阅图8,在所述第一屏蔽层40上沉积第二屏蔽材料层51。

通过溅镀或者气相沉积(cvd)等方式在所述第一屏蔽层40上沉积所述第二屏蔽材料层51。所述第二屏蔽材料层51覆盖所述第一屏蔽层40远离所述彩膜基板30的一面。

504、请参阅图9,图案化所述第二屏蔽材料层51,得到第二屏蔽层50。

在所述第二屏蔽材料层51上通过喷涂或者印刷等方式形成光阻材料层,并将所述光阻材料层通过曝光显影等工艺得到具有镂空图案的光阻层。通过蚀刻工艺蚀刻掉未被所述光阻层遮挡的所述第二屏蔽材料层51,即得到所述第二屏蔽层50。所述第二屏蔽层50层叠于所述第一屏蔽层40上背离所述彩膜基板10一面的边缘位置。并且,所述第一屏蔽层40与所述第二屏蔽层50直接接触,因此所述第一屏蔽层40与所述第二屏蔽层50电连接。

505、将所述第一屏蔽层40与所述第二屏蔽层50接地。

本发明中,所述阵列基板30上设有接地点31。从所述第一屏蔽层40或所述第二屏蔽层50点导电银浆点32,并使所述导电银浆点32从所述第一屏蔽层40或所述第二屏蔽层50延伸至所述接地点31,使所述导电银浆点32一端连接所述第一屏蔽层40或所述第二屏蔽层50,另一端连接所述接地点31。由于所述第一屏蔽层40与所述第二屏蔽层50电连接,因此,无论所述第一屏蔽层40或所述第二屏蔽层50与所述导电银浆点32连接,均可实现所述第一屏蔽层40或所述第二屏蔽层50的接地。

本发明另一实施例提供所述显示面板200的制作方法,其与所述显示面板100的制作方法的区别在于步骤502至步骤504的差别。本实施例中,先在所述彩膜基板上形成所述第二屏蔽层50,再在所述第二屏蔽层50上形成所述第一屏蔽层40。具体的,本实施例的步骤502为:在所述彩膜基板10背离所述阵列基板20的一面上沉积所述第二屏蔽材料层51。本实施例的步骤503为:图案化所述第二屏蔽材料层51,得到第二屏蔽层50。本步骤的步骤504为:在所述第二屏蔽层上沉积第一屏蔽材料层。

本发明还提供一种显示器,所述显示器包括显示器本体及上述的显示面板100或所述显示面板200。

以上所述为本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

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