所述最大值和最小值之间的差值为第一差值；
[0088]获取目标图形的子目标图形各片段的第一最小光强集合中的最大值，获取目标图形中的子目标图形各片段的第一最小光强集合中的最小值，获取所述最大值和最小值之间的差值为第二差值；
[0089]获取目标图形的子目标图形各片段的第一斜率集合中的最大值，获取目标图形中子目标图形各片段的第一斜率中的最小值，获取所述最大值和最小值之间的差值为第三差值；
[0090]将所述第一差值、第二差值和第三差值N等分，获取N等分的第一差值、第二差值以及第三差值；依据所述第一最大光强的最大值和最小值、第一最小光强的最大值和最小值、第一斜率的最大值和最小值、N等分的第一差值、N等分的第二差值和N等分的第三差值，在所述坐标系内建立NXNXN的立方体，所述立方体具有NXNXN各单元格。
[0091]能够以第一光强参数和第二光强参数在坐标系内的位置，获取子目标图形各片段中的标记片段的原因在于:第一光强参数和第二光强参数之间绝对匹配(即第一光强参数和第二光强参数在坐标系中处于同一位置)的情况较少,若第一光强参数与第二光强参数之间的区别值在预定值内，可说明所述第一光强参数对应的子目标图形片段的曝光能力较优，所述子目标图形片段在标准光学邻近校正模型作用范围内；当采用第一光强参数中的参数建立坐标系时，若坐标系建立合理，则可认为在同一单兀格内的第一光强参数和与之对应的第二光强参数的区别值在预定值内，因此，所述第一光强参数对应的子目标图形片段位于标准光学邻近校正模型的作用范围内；而第一光强参数和与之对应的第二光强参数在不同单元格内时，所述第一光强参数对应的片段为标记片段。
[0092]若建立的单元格的数量过少,每个单元格包含的光强参数的范围值过大,则会造成获取标记片段结果的误差大，本来未在标准光学邻近校正模型作用范围内的第一光强参数被误认为处于标准光学邻近校正模型作用范围内，导致所述第一光强参数对应的片段未被标记为标记片段，最终在晶圆上形成的片段与所述片段之间的差异性大，造成最终形成的图形的精确性差；若建立的单元格的数量过多，每个单元格包含的光强参数的范围值很小，则会造成分配第一光强参数和第二光强参数以置于单元格内所需的时间过长，不利于提高效率。
[0093]综合以上考虑，本发明实施例在坐标系内建立1000至27000个单元格，具体的，在坐标系内建立10X10X10至30X30X30个单元格。
[0094]作为一个实施例，在坐标系内建立20X20X20个单元格时，建立单元格的方法为:获取第一最大光强的最大值和最小值之间的差值为第一差值，获取第一最小光强的最大值和最小值之间的差值为第二差值，获取第一斜率的最大值和最小值之间的差值为第三差值；将所述第一差值、第二差值和第三差值20等分，获取20等分的第一差值、第二差值以及第三差值；依据所述第一最大光强的最大值和最小值、第一最小光强的最大值和最小值、第一斜率的最大值和最小值、20等分的第一差值、20等分的第二差值和20等分的第三差值，在所述坐标系内建立20 X 20 X 20的立方体，所述立方体具有20 X 20 X 20个单元格。
[0095]请参考图7，图7为选取部分单元格以及位于单元格内的第一光强参数和第二光强参数的位置关系示意图。
[0096]基于第一光强参数中的三个参数建立坐标系，在所述坐标系内建立多个单元格
300,第二光强参数310位于单兀格300内，第一光强参数包括标记片段的第一光强参数320、以及未被标记的片段的第一光强参数330。
[0097]请结合参考图5至图7，子目标图形200的A点所在片段与子掩模图形210的Al点所在片段相对应，当A点所在片段的第一光强参数和Al点所在片段的第二光强参数310位于同一单兀格300内时,所述第一光强参数为未标记的第一光强参数330,所述未标记的第一光强参数330对应的A点所在片段在标准光学邻近校正模型的作用范围内；子目标图形200的B点所在片段与子掩膜图形210的BI点所在片段相对应，当B点所在片段的第一光强参数与BI点所在片段的第二光强参数不在同一单元格300内时，所述第一光强参数为标记的第一光强参数320，所述标记的第一光强参数320对应的BI点所在片段为标记片段，所述标记片段在标准光学邻近校正模型的作用范围外，由前述分析可知，具有标记片段的子目标图形200为需要移除的图形。
[0098]依据上述对A点、Al点、B点以及BI点所在片段的光强参数在单元格内位置的分析方法，对目标图形的子目标图形各片段均进行上述分析，获取子目标图形各片段中的标记片段。
[0099]步骤S104、移除目标图形中具有标记片段的子目标图形，将目标图形分解为第一子图形和第二子图形，其中，第一子图形为具有标记片段的子目标图形的组合。
[0100]由于标记片段在光学邻近校正模型的作用范围外，即使经过光学邻近校正，所述具有标记片段的子目标图形写入掩膜版中，经过光学曝光系统进行曝光处理，最终形成的图形与具有标记片段的子目标图形之间的差异性大。因此，需要对所述具有标记片段的子目标图形进行分解，将目标图形分解为第一子图形和第二子图形，其中，第一子图形为具有标记片段的子目标图形的组合，使得对第一子图形进行模拟曝光后，获得所述具有标记片段的子目标图形的光强参数，将获取的光强参数与光学邻近校正模型的光强参数进行对比分析，所述对比分析可参数步骤S102至步骤S103提供的步骤，在此不再赘述。
[0101]需要说明的是，由于所述具有标记片段的子目标图形的周围图形密度或形状发生了改变，使得获取的光强参数与步骤S102中获取的第一光强参数不同，使得具有标记片段的子目标图形的光强参数得到优化，从而使获取的光强参数与光学邻近校正模型的第二光强参数之间的区别值小于预定值，使具有标记片段的子目标图形处于标准光学邻近校正模型作用范围内。
[0102]在将目标图形分解为第一子图形和第二子图形后，第二子图形为不具有标记片段的子目标图形的组合，由前述分析可知，所述第二子图形的曝光能力(光强参数)在标准光学邻近校正模型的作用范围内，采用第二子图形为掩膜进行曝光后形成的图形质量好且具有较高的准确性；而将具有标记片段的子目标图形组合形成第一子图形后，改变具有标记片段的子目标图形的光强参数，使得所述具有标记片段的子目标图形各片段均在标准光学邻近校正模型的作用范围内，采用第一子图形为掩膜进行曝光、显影后最终形成的图形精确度高，进而使得在待形成目标图形的晶圆上形成的图形符合目标图形，在待形成目标图形的晶圆最终形成的图形具有高精确性，最终形成的图形质量高
[0103]而采用节距的方法进行图形分解后，进行图形分解后的子目标图形被写入不同的掩膜版中；当目标图形的子目标图形的节距分布并不理想时，导致不同的掩膜版中子目标图形的图形密度区别较大；图形密度的不同会导致各子目标图形在曝光时的曝光量区别较大，曝光量与曝光能力有关，进而造成子目标图形的曝光能力区别较大，当部分子目标图形在经过光学曝光系统进行曝光，以及显影处理后形成的图形与子目标图形一致，而其他子目标图形在经过曝光显影处理后形成的图形与子目标图形差别较大，导致最后在晶圆上形成的图形质量低。
[0104]综上，本发明提供的光学邻近校正方法的技术方案具有以下优点:
[0105]首先，提供目标图形和标准光学邻近校正模型，目标图形包括分为若干片段的多个子目标图形，标准光学邻近校正模型包括掩膜图形，其中，掩模图形包括与子目标图形相对应的子掩膜图形，且与子目标图形相对应的子掩膜图形相应的分为若干片段；获取子目标图形各片段的第一光强参数；获取子掩膜图形各片段的第二光强参数；基于所述第一光强参数和第二光强参数之间的区别，获取子目标图形各片段中的标记片段，所述具有标记片段的子目标图形在标准光学邻近校正模型作用范围外，所述具有标记片段的子目标图形在经过光学邻近校正后，其曝光能力仍然可能存在不足；移除具有标记片段的子目标图形后形成第一子图形，使得具有标记片段的子目标图形的曝光能力得到改善，从而使以第一子图形和第二子图形为掩膜进行曝光显影处理后，在晶圆上形成的图形与目标图形之间的差别减小，使得在晶圆上形成的图形准确性高且质量良好。
[0106]其次，选取第一光强参数中的至少两个参数建立坐标系，将与所述参数相对应的第二光强参数置于坐标系中；基于第一光强参数在坐标系内建立多个单兀格，若子目标图形一片段的第一光强参数以及与之对应的第二光强参数处于不同单元格中，则所述片段为标记片段。本发明实施例通过建立坐标系以及单元格的方式，减小了获取标记片段所耗费的时间，提闻了获取标记片段的效率，有利于提闻半导体生广效率。
[0107]相应的，本发明实施例还提供一种双重图形曝光的方法，请参考图8，图8本发明实施例提供的双重图形曝光方法的流程示意图:
[0108]步骤S201、提供目标图形以及待形成目标图形的晶圆，所