光学薄膜用共聚物的制作方法_5

文档序号:9925214阅读:来源:国知局
-b X (d+e+f+g)/100e
[0141] (2)马来酸酢的聚合率
[0142] 对于各个聚合液样品,使用W下的装置测定马来酸酢单体。
[0143] 装置名:液相色谱化C-10、株式会社岛津制作所制)
[0144] 检测器及分析波长:UV 230nm
[0145] 色谱柱:反相系色谱柱(YMC-PACK ODS-A A-312(150mmX6mm 如m)、YMC公司制)
[0146] 流动相:出0/CH30H 50/50(体积比)(P册.3出P〇4)
[0147] 流量:1ml/分钟
[0148] 注入量:2化1
[0149] 步骤:用50mlS角烧瓶称量试样约0.2g,添加1,2-二氯乙烧5ml并溶解。接着加入 正己烧5ml,用振荡器振荡10~15分钟,使聚合物析出,用0.45皿膜滤器过滤上清液。向IOml 的计量试管中分别添加上清液和纯水各3ml并振荡1小时,放置30分钟后,用上述装置测定 下层液。需要说明的是,定量方法使用马来酸酢标准液根据绝对标准曲线法算出。
[0150] 根据测定得到的分析值,用W下的数学式算出聚合率。
[01曰1]未反应的马来酸酢单体量=c(ppm)
[0152] 苯乙締单体投入总量=d(质量份)
[0153] 丙締腊单体投入总量=e(质量份)
[0154] 马来酸酢单体投入总量=f (质量份)
[015日]聚合溶剂投入总量=g(质量份)
[0156] ?马来酸酢单体聚合率(%) = 100-cX(d+e+f+g)/100f
[0157] ~薄膜物性评价~
[015引[实施例1~8、比较例1~7]
[0159] 对于共聚物A-I~A-14、AS-C-800,各自如下所述地制备薄膜。
[0160] 在静置状态下达到等级1000 W下的洁净环境的洁净工作台内,利用在40mm?单轴 挤出机中具备齿轮累、聚合物过滤器"Denafilter、网孔化m"(长懒产业株式会社制造)、 300mm宽度单层T模头W及牵引卷取装置"Touch Roll Flexible Type" (Research Laboratoiy of Plastics Technology Co.,Ltd制造)的薄膜制膜机,成形为宽250mm、厚度 100±5wii的薄膜。进而,使用得到的薄膜进行薄膜物性测定。将测定结果示于表3、表4。需要 说明的是,所使用的共聚物的粒料预先在9(TC下干燥2小时后供给到上述挤出机中,并且上 述T模头溫度设为260°C。
[01化](1)薄膜强度
[0166] 自未拉伸薄膜切出试验片,按照W下条件进行落球冲击试验,测定50%破坏能量。
[0167] 试验片:长50mm X宽50mm X膜厚100 ± 5皿的未拉伸薄膜20张
[0168] 重键:直径11mm、重5.45g的铁球
[0169] 固定状态:用内径34mm的环夹住薄膜,用夹具固定住上下左右4处
[0170] 根据JIS K7211 Wlcm间隔测定50%破坏高度,算出50%破坏能量。需要说明的是, 由于不足5cm时无法对应测定夹具,因此对于在5cm处断裂的样品全部记为"<3(mjr。将 50%破坏能量为5(mJ似上的样品记为合格。
[0171] (2)薄膜透明性
[0172] 根据ASTM D1003测定未拉伸薄膜的雾度,将2.0% W下记为合格。
[0173] (3)光学特性<面内相位差Re(590)、厚度相位差化h>
[0174] 使用未拉伸薄膜,用DSC装置(Robot DSC6200、Se化O Instruments Inc.制)测定 玻璃化转变溫度,按照W下条件进行拉伸。
[0175] 装置名:双轴拉伸试验装置化X10-B、株式会社东洋精机制作所制)
[0176] 试验片:从未拉伸薄膜切出90mm X 90mm X膜厚100 ± 5皿
[0177] 拉伸溫度:玻璃化转变溫度 [017引拉伸速度:25mm/分钟
[0179] 拉伸方法:自由宽度单轴拉伸2.0倍拉伸
[0180] 对于未拉伸薄膜和进行了自由宽度单轴拉伸的薄膜,使用W下装置测定面内相位 差Re (590)及厚度相位差化h。关于拉伸薄膜,将面内相位差Re (590)为300nm W上、厚度相位 差化h低于Onm(负)的薄膜记为合格。其中,对于薄膜强度不足而在拉伸时断裂的薄膜,由于 不能测定而记为不合格。
[0181 ]装置名:双折射测定装置化0BRA-WR、王子计测机器株式会社制)
[0182] 测定波长:590nm
[0183] (4)耐热性
[0184] 将(3)中拉伸得到的薄膜在恒溫槽中放置24小时后,测定面内相位差Re(590),将 开始降低10%^上的溫度记为36(590)降低开始溫度。将1?6(590)降低开始溫度为110°(:^ 上的薄膜记为合格。需要说明的是,恒溫槽的设定溫度W 5 °C间隔来进行。另外,对于(3)中 断裂的薄膜,由于未进行测定而记为"X"。
[0185] 本发明的光学薄膜用共聚物的实施例均为薄膜强度、薄膜透明性、光学特性、负的 相位差表现性及耐热性优异,而在不符合本发明条件的共聚物的比较例中,薄膜强度、薄膜 透明性、光学特性、负的相位差表现性及耐热性中的至少一种物性差。
[0186] ~对相位差薄膜的适应性评价~
[0187] [实施例9]
[0188] 使用实施例1中得到的共聚物A-I,用实施例1记载的薄膜制膜机制作厚度0.25mm 的未拉伸薄膜。将得到的未拉伸薄膜裁切为边长120mm的正方形,利用双轴拉伸试验装置 化X10-B、株式会社东洋精机制作所制)在溫度125°C、拉伸速度25mm/分钟的条件下得到在 长度方向2.5倍拉伸、宽度方向1.0倍的固定端单轴拉伸的厚度0.10mm的薄膜A1。
[0189] 接着,使用降冰片締系树脂(ZE0肥X 690R、Zeon Corporation制),同样地制作厚 度0.16mm的未拉伸薄膜,将得到的未拉伸薄膜裁切为边长120mm的正方形,利用双轴拉伸试 验装置化X10-B、株式会社东洋精机制作所制)在溫度136°C、拉伸速度25mm/分钟的条件下 得到在长度方向2.0倍的自由端单轴拉伸的厚度0.1 Omm的薄膜Bl。
[0190] 使用双折射测定装置"王子计测株式会社审化0BRA-WR",测定薄膜A巧日薄膜Bl的面 内相位差Re(590)、化系数、3维折射率。将结果示于表5。
[0191] 进而,对于使薄膜Al与薄膜Bl W慢轴垂直的方式层叠而成的层叠薄膜,使用双折 射测定装置化0BRA-WR、王子计测机器株式会社制)测定波长45化m、590皿、750nm下的各个 面内相位差Re(450)、Re(590)、Re(750)和化系数。将结果示于表5。
[0192] [表 5]
[0194]使用本发明的光学薄膜用共聚物时,能够制作满足使液晶装置的视角提高的相位 差薄膜的特性、即面内相位差(Re)为60~3(K)nm、化系数为0.4~0.6的关系的光学薄膜。进 而,能够制作满足从颜色补偿的观点出发为理想的逆波长色散特性、即Re(450)<Re(590)< Re(750)的关系的光学薄膜。
[01巧]产业上的可利用性
[0196]根据本发明,能够提供光学薄膜用共聚物,其可W得到显示负的取向双折射性、透 明性、耐热性、薄膜强度及光学特性优异、且适用于光学薄膜的美观的薄膜。
【主权项】
1. 一种光学薄膜用共聚物,其包含芳香族乙烯基单体单元65~90质量%、氰化乙烯基 单体单元5~25质量%、不饱和二羧酸酐单体单元5~20质量%,所述光学薄膜用共聚物的 重均分子量(Mw)为12万~25万,基于ASTM D1003测定的2mm厚度的雾度为1%以下。2. 根据权利要求1所述的光学薄膜用共聚物,其中,芳香族乙烯基单体单元为70~80质 量%、氰化乙烯基单体单元为10~20质量%、不饱和二羧酸酐单体单元为10~15质量%。3. 根据权利要求1或2所述的光学薄膜用共聚物,其中,芳香族乙烯基单体单元为苯乙 稀单元。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的光学薄膜用共聚物,其中,氰化乙烯基单体单元 为丙稀腈单元。5. 根据权利要求1~4中任一项所述的光学薄膜用共聚物,其中,不饱和二羧酸酐单体 单元为马来酸酐单元。6. 根据权利要求1~5中任一项所述的光学薄膜用共聚物,其特征在于,用于偏光膜保 护薄膜、相位差薄膜或防反射薄膜。7. 根据权利要求1~6中任一项所述的光学薄膜用共聚物,其特征在于,其用于将薄膜A 与薄膜B层叠并形成有nX>nz>ny的折射率分布的光学薄膜,是在薄膜A中使用的热塑性树 月旨,所述薄膜A是将显示负的取向双折射性的热塑性树脂薄膜拉伸而得到的,所述薄膜B是 将显示正的取向双折射性的热塑性树脂薄膜拉伸而得到的。8. 根据权利要求7所述的光学薄膜用共聚物,其特征在于,薄膜A是将通过熔融挤出而 制造的薄膜拉伸而成的。9. 根据权利要求7或8所述的光学薄膜用共聚物,其特征在于,Nz系数为0.4~0.6。10. 根据权利要求7~9中任一项所述的光学薄膜用共聚物,其特征在于,通过使薄膜A 与薄膜B以慢轴垂直的方式层叠,从而使波长450nm、590nm以及750nm下的面内相位差Re (450)、Re(590)以及 Re(750)满足 Re(450)〈Re(590)〈Re(750)的关系。
【专利摘要】本发明提供一种显示负的取向双折射性、且透明性、耐热性、薄膜强度以及光学特性优异的光学薄膜用共聚物。一种光学薄膜用共聚物,其包含芳香族乙烯基单体单元65~90质量%、氰化乙烯基单体单元5~25质量%、不饱和二羧酸酐单体单元5~20质量%,重均分子量(Mw)为12万~25万,基于ASTM D1003测定的2mm厚度的雾度为1%以下。
【IPC分类】C08J5/18, G02B5/30
【公开号】CN105705971
【申请号】CN201480060075
【发明人】松本真典, 野口哲央
【申请人】电化株式会社
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2014年8月29日
【公告号】WO2015033877A1
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