是使用比薄膜化处理液稀的含有碱性 化合物的pH为5~10的水溶液。通过胶束除去液10,将不被薄膜化处理液1溶化的抗蚀剂层 的成分的胶束再分散而溶解除去。作为在胶束除去液1 〇中使用的水，可以使用自来水、工业 用水、纯水等，但特别优选的是使用纯水。在胶束除去液10的pH不到5的情况下，有抗蚀剂层 的成分凝聚而成为不溶性的淤渣、附着在薄膜化后的抗蚀剂层表面上的情况。另一方面，在 胶束除去液10的pH超过10的情况下，有抗蚀剂层过度地溶解扩散、薄膜化的抗蚀剂层的厚 度变得不均匀而形成膜厚不均的情况。
[0072]作为用于监控胶束除去液10的pH的pH传感器28及33,能够使用pH玻璃电极。通过 使用具备与pH玻璃电极的温度特性相对应的温度补偿功能(对pH玻璃电极的温度产生的性 质的变化进行修正的功能)和与水溶液的温度特性相对应的温度换算功能（换算成一定的 温度下的pH的功能）的pH传感器进行测定，能够调查规定的温度中的水溶液的pH。
[0073] 为了调整胶束除去液10的pH而添加的酸性溶液30适于使用将硫酸、磷酸、盐酸等 稀释成含有量为〇. 〇 1~1. 〇质量％的溶液。
[0074] 胶束除去液喷雾22的条件(温度、喷雾压、供给流量)可以匹配于薄膜化处理的抗 蚀剂层的溶解速度而适当调整。具体而言，处理温度优选的是10~50°C，更优选的是15~35 °C。此外，喷雾压优选的是设为0.01~0.5MPa，更优选的是0.1~0.3MPa。胶束除去液10的供 给流量优选的是抗蚀剂层每lcm 2为0.030~1. OL/min，更优选的是0.050~1. OL/min，更加 优选的是0.10~l.OL/min。若供给流量处于该范围，则在薄膜化后的抗蚀剂层表面上不会 残留胶束成分，容易大致均匀地将胶束溶解除去。当抗蚀剂层每lcm 2的供给流量不到 0.030L/min时，有发生胶束的溶解不良的情况。另一方面，如果供给流量超过1. OL/min，则 为了供给而需要的栗等的部件变得巨大，有需要庞大的装置的情况。进而，在超过1.OL/min 的供给量下，有带来胶束的溶解除去的效果不再变化的情况。为了在抗蚀剂层表面上高效 率地形成液流，可以从喷雾的方向为相对于与抗蚀剂层表面垂直的方向倾斜的方向喷射。
[0075] 运送辊（图7所示的浸渍槽的运送辊8、浸渍槽的入口辊对4的辊、浸渍槽的出口辊 对5的辊、薄膜化处理单元11与胶束除去处理单元12之间的边界部的运送辊对6中的运送 辊、胶束除去处理单元的运送辊9)除了能够运送基板3之外，优选与抗蚀剂层表面密接。作 为运送辊，优选使用表面没有凹凸的笔直型的辊。作为运送辊的种类，列举出橡胶辊、海绵 辊、金属辊、树脂辊等。其中，优选具有良好的橡胶弹性(密封性、恢复性）、比重较小、轻量、 是低硬度到中硬度、因向抗蚀剂层的接触带来的冲击较小、对作为高浓度的碱性水溶液的 薄膜化处理液的耐药性也良好的烯烃系热塑性弹性体的辊。作为烯烃系热塑性弹性体，可 以举出THERMORUN(注册商标）。浸渍槽的出口辊对5用于浸渍槽2中的薄膜化处理液的液面 维持及刮去覆盖在抗蚀剂层表面上的薄膜化处理液的液膜的乳液。此外，边界部的运送辊 对6用于抑制薄膜化处理液带入胶束除去处理单元12和胶束除去液10向薄膜化处理单元11 的逆流。运送辊的设置位置及根数只要能够运送基板3即可，能够适当设定设置位置及根 数。
[0076] 【实施例】
[0077] 以下，根据实施例进一步详细说明本实用新型，但本实用新型不限定于该实施例。
[0078] (实施例1)
[0079] 在覆铜层叠板(面积340mmX400mm、铜箱厚度18μηι、基材厚度0.8mm)上，使用减去 法制作出具有配线宽度50μπι、配线宽度间隔50μπι的连接焊盘的回路基板。接着，使用真空层 压装置，使厚度30μπι的焊料抗蚀剂薄膜(太阳油墨制造(株）（TAIYO INKMFG. CO. LTD.) 制、商品名:PFR-800 AUS 410)真空热压接在上述回路基板上(层压装置温度75°C、吸引时 间30秒、加压时间10秒）。从而形成从绝缘性基板表面到抗蚀剂层表面的膜厚为38μπι的抗蚀 剂层，得到了基板3。
[0080]然后，将焊料抗蚀剂的载体膜剥离后，通过具备浸渍槽2的薄膜化处理单元11和通 过胶束除去液10将胶束除去的胶束除去处理单元12(图6)的抗蚀剂层的薄膜化装置，将抗 蚀剂层薄膜化。
[0081 ]作为薄膜化处理液1使用10质量％的偏硅酸钠水溶液(液温度25°C)，以运送速度 为3. Om/min、基板3彼此的间隔为50mm，连续地处理20片基板3。基板3从薄膜化处理单元11 的浸渍槽的出口辊对5通过边界部的运送辊对6，在胶束除去处理单元12中，不溶化的胶束 被除去，在水洗处理、干燥处理后得到了薄膜化的抗蚀剂层。
[0082]利用光学显微镜观察第20片的基板3上的抗蚀剂层的薄膜化处理表面，确认是没 有处理不均的平滑的薄膜化处理面。
[0083](实施例2)
[0084]除了使用胶束除去处理单元12(图4)以外，与实施例1同样地将抗蚀剂层薄膜化。 [0085]利用光学显微镜观察第20片的基板3上的抗蚀剂层的薄膜化处理表面，确认是没 有除了不均的平滑的薄膜化处理面。
[0086](实施例3)
[0087]除了使用胶束除去处理单元12(图5)以外，与实施例1同样地将抗蚀剂层薄膜化。 [0088]利用光学显微镜观察第20片的基板3上的抗蚀剂层的薄膜化处理表面，确认是没 有处理不均的平滑的薄膜化处理面。
[0089] (比较例1)
[0090] 除了使用胶束除去处理单元12(图1)以外，与实施例1同样地将抗蚀剂层薄膜化。 [0091]利用光学显微镜观察第20片的基板3上的抗蚀剂层的薄膜化处理表面，发生了原 因被认为是被高pH的胶束除去液薄膜化处理了的处理不均。
[0092](比较例2)
[0093]除了使用胶束除去处理单元12(图2)以外，与实施例1同样地将抗蚀剂层薄膜化。 [0094]利用光学显微镜观察第20片的基板3上的抗蚀剂层的薄膜化处理表面，发生了原 因被认为是被高pH的胶束除去液薄膜化处理了的处理不均。
[0095](比较例3)
[0096]除了使用胶束除去处理单元12(图3)以外，与实施例1同样地将抗蚀剂层薄膜化。 [0097]利用光学显微镜观察第20片的基板3上的抗蚀剂层的薄膜化处理表面，发生了原 因被认为是被高pH的胶束除去液薄膜化处理了的处理不均。
[0098]将在各实施例及比较例中，用pH传感器(控制、监视用)28测定的开始了第1片的基 板3的薄膜化处理时的初期pH、第20片的基板3的薄膜化处理结束时的结束pH，连续处理中 的最大pH的值示于表1。此外，将从第1片的基板3的顶端通过边界部的运送辊对6到pH传感 器(控制、监视用)28中确认到pH的上升的时间（时间滞后)示于表1。
[0099] 【衷1】
[0100]
[0101] 在比较例1~3中，由于从胶束除去液10从基板3上流下到监控pH的路径长，时间滞 后大，所以pH调整用的0.5质量％硫酸溶液的添加迟缓，连续处理中的最大pH的值增高。此 外，由于从添加了硫酸溶液后到感知到pH的降低的时间长，过剩地添加了硫酸溶液，所以在 第20片的基板3的薄膜化处理结束时的结束pH降低。
[0102] 相对于此，在实施例1~3中，用胶束除去液10从基板3上流下到监控pH的时间滞后 小，连续处理中的最大pH的值未过度上升。进而，随着pH的上升迅速地添加了0.5质量％硫 酸溶液，能够降低上升的PH，消除了硫酸溶液的过剩的添加，能够近乎于实时地进行pH控 制。这样一来，在第20片的基板3的薄膜化处理结束时的结束pH未过度降低。
[0103] 本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置能够用于在印刷配线板及引线框架的回路 基板的制作、或具备倒装片(flip chip)连接用的连接焊盘的组装基板的制作中形成抗蚀 剂图案的用途。
【主权项】
1. 一种抗蚀剂层的薄膜化装置，具备:通过薄膜化处理液使形成在基板上的抗蚀剂层 中的成分胶束化的薄膜化处理单元，和通过胶束除去液将胶束除去的胶束除去处理单元， 其特征在于， 胶束除去处理单元具有胶束除去液喷雾栗及pH传感器， 通过该胶束除去液喷雾栗，向基板上的抗蚀剂层供给胶束除去液， 该pH传感器设置在能够监控从基板上流下后的胶束除去液的pH的位置。2. 如权利要求1所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于， 胶束除去处理单元具有酸性溶液供给机构， 通过该酸性溶液供给机构，在胶束除去液被胶束除去液喷雾栗吸入前，向胶束除去液 添加 pH调整用酸性溶液。3. 如权利要求1所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于， 胶束除去处理单元具有胶束除去液循环机构及酸性溶液供给机构， 通过该酸性溶液供给机构，向通过胶束除去液循环机构发生的循环液流中添加 pH调整 用酸性溶液。
【专利摘要】本实用新型的课题在于提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，即使从薄膜化处理单元向胶束除去处理单元带入的薄膜化处理液量增多，也能够防止胶束除去液的pH过度上升，解决抗蚀剂层的薄膜化处理量不均匀的问题。抗蚀剂层的薄膜化装置具备：通过薄膜化处理液使形成在基板上的抗蚀剂层中的成分胶束化的薄膜化处理单元，和通过胶束除去液将胶束除去的胶束除去处理单元，其特征在于，胶束除去处理单元具有胶束除去液喷雾泵及pH传感器，通过该胶束除去液喷雾泵，向基板上的抗蚀剂层供给胶束除去液，该pH传感器配置在能够监控从基板上流下后的胶束除去液的pH的位置。
【IPC分类】G03F7/38
【公开号】CN205263469
【申请号】CN201521089940
【发明人】丰田裕二, 后闲宽彦, 中川邦弘
【申请人】三菱制纸株式会社
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年12月24日