1.一种用于涂覆可移动基板的沉积源(100)，包含：
源外壳(120)，所述源外壳以可以在沉积期间移动基板(20)经过所述源外壳的敞开的前侧(122)的方式而附接到工艺腔室；
气体入口(130)，所述气体入口用于将工艺气体引入到所述源外壳(120)的涂覆处理区域(125)中；
抽空出口(140)，所述抽空出口用于将所述工艺气体从所述源外壳(120)的泵送区域(126)去除；以及
抽空分割单元(150)，所述抽空分割单元布置在所述涂覆处理区域(125)与所述泵送区域(126)之间，所述抽空分割单元具有至少一个开口(152)，所述至少一个开口界定从所述涂覆处理区域(125)到所述泵送区域(126)中的工艺气流路径(155)。
2.根据权利要求1所述的沉积源，其特征在于，所述抽空分割单元(150)具有界定所述工艺气流路径的至少一组多个开口(152)。
3.根据权利要求2所述的沉积源，其特征在于，所述至少一组多个开口(152)以线性布置并排地布置。
4.根据权利要求3所述的沉积源，其特征在于，所述泵送区域(126)内的所述工艺气流路径的主方向(Y)垂直于所述线性布置的延伸方向。
5.根据权利要求2到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，所述抽空分割单元(150)在所述涂覆处理区域(125)的第一横向侧上具有第一组多个开口，并且在第二横向侧上具有第二组多个开口，所述第二横向侧在基板移动方向(S)上与所述第一横向侧相反。
6.根据权利要求5所述的沉积源，其特征在于，在截面中，所述第一组多个开口与所述抽空出口之间的第一距离对应于所述第二组多个开口与所述抽空出口之间的距离。
7.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，所述涂覆处理区域(125)内的所述工艺气流路径的第一主方向(X)是与所述泵送区域内的所述工艺气流路径的第二主方向(Y)相反的方向。
8.根据权利要求7所述的沉积源，其特征在于，所述涂覆处理区域(125)内的所述工艺气流路径的第一主方向(X)是垂直于所述开口(152)内的所述工艺气流路径的第三主方向(Z)的方向。
9.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，所述气体入口(130)和/或所述抽空出口(140)布置在与所述敞开的前侧(122)相对的所述源外壳(120)的后侧。
10.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，所述抽空分割单元(150)包括至少一个气体遮蔽板(158、159)。
11.根据权利要求10所述的沉积源，其特征在于，第一气体遮蔽板(158)经布置以沿所述涂覆处理区域的第一侧线性地延伸，并且第二气体遮蔽板(159)经布置以沿所述涂覆处理区域的第二侧线性地延伸。
12.根据权利要求11所述的沉积源，其特征在于，每一个气体遮蔽板在所述涂覆处理区域与所述泵送区域之间提供至少一个开口。
13.根据权利要求11所述的沉积源，其特征在于，每一个气体遮蔽板在所述涂覆处理区域与所述泵送区域之间提供多个开口(152)。
14.根据权利要求10所述的沉积源，其特征在于，所述至少一个气体遮蔽板(158、159)具有抵靠所述源外壳的接触表面(129)的凹口的前边缘(157)，其中所述工艺气流路径(155)形成在所述凹口的前边缘(157)与所述接触表面(129)之间。
15.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，所述气体入口(130)被提供为布置在与所述敞开的前侧(122)相对的涂覆处理区域(125)中的喷淋头组合件(132)。
16.根据权利要求15所述的沉积源，其特征在于，所述喷淋头组合件的至少部分将所述涂覆处理区域与所述泵送区域分离。
17.根据权利要求15所述的沉积源，其特征在于，所述喷淋头组合件的至少部分在所述喷淋头组合件与所述源外壳的后外壁之间延伸。
18.根据权利要求15所述的沉积源，其特征在于，两个气体遮蔽板固定至所述喷淋头组合件的两个相对侧。
19.根据权利要求15所述的沉积源，其特征在于，所述抽空分割单元(150)固定至所述喷淋头组合件(132)的至少第一侧且至少部分地朝所述源外壳的所述敞开的前侧(122)延伸，从而横向地约束所述涂覆处理区域(125)。
20.根据权利要求15所述的沉积源，其特征在于，所述至少一个气体遮蔽板与所述喷淋头组合件的至少部分一体地形成。
21.根据权利要求15所述的沉积源，其特征在于，提供调节元件以用于调节所述喷淋头组合件的主表面与所述抽空分割单元的所述至少一个开口之间的距离。
22.根据权利要求15所述的沉积源，其特征在于，所述喷淋头组合件包括喷淋头回火件。
23.根据权利要求15所述的沉积源，其特征在于，所述喷淋头回火件包括附接到所述喷淋头组合件的主表面的一个或多个回火通道或回火线圈。
24.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，所述抽空分割单元至少部分地从所述源外壳的后侧朝所述源外壳的所述敞开的前侧延伸，从而横向地约束所述涂覆处理区域。
25.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，所述泵送区域的至少部分形成在气体遮蔽板与所述涂覆处理腔室的外侧壁之间。
26.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，所述源外壳具有基本上矩形的形状。
27.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，所述源外壳的宽度在1m与2m之间的范围内，和/或其中所述源外壳的长度在0.2m与0.5m之间的范围内。
28.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，所述沉积源配置成用于CVD操作。
29.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，所述沉积源配置成用于PECVD操作和/或HWCVD操作。
30.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，所述抽空分割单元具有大于10个且小于100的开口。
31.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，所述抽空分割单元具有大于20个且小于50的开口。
32.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，提供两个气体遮蔽板，所述两个气体遮蔽板平行于所述源外壳的外侧壁延伸。
33.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，所述沉积源设有机械弹簧和/或设有机电驱动器以用于张紧至少丝线组合件的加热丝。
34.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，所述沉积源设有包含金属或由金属构成的喷淋头组合件。
35.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，所述沉积源设有包含CuF或由CuF构成的喷淋头组合件。
36.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，使源外壳的敞开的前侧弯曲以允许移动弯曲的基板经过所述敞开的前侧。
37.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，所述源外壳包含主体和固定到所述主体前方的框架，其中使所述框架的前侧弯曲以允许移动弯曲的基板经过源外壳的所述敞开的前侧。
38.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的沉积源，其特征在于，包含一条或多条加热丝(162)的丝线组合件(160)布置在所述涂覆处理区域中。
39.根据权利要求38所述的沉积源，其特征在于，所述丝线组合件(160)布置在喷淋头组合件与所述敞开的前侧之间。
40.一种用于涂覆可移动基板的沉积设备，包含：
连接到工艺腔室的源外壳(120)，
其中，所述工艺腔室设有基板支撑件，所述基板支撑件包含基板引导表面，所述基板引导表面用于移动基板(20)经过所述源外壳(120)的敞开的前侧(122)；
气体入口(130)，所述气体入口用于将工艺气体引入到所述源外壳的涂覆处理区域(125)中；
抽空出口(140)，所述抽空出口用于将所述工艺气体从所述源外壳的泵送区域(126)去除；以及
抽空分割单元(150)，所述抽空分割单元布置在所述涂覆处理区域与所述泵送区域之间，所述抽空分割单元具有至少一个开口、特别是多个开口(152)，所述一个开口、特别是多个开口界定从所述涂覆处理区域(125)到所述泵送区域(126)中的工艺气流路径(155)。
41.根据权利要求40所述的沉积设备，进一步包含连接到真空出口的抽空单元。
42.根据权利要求41所述的沉积设备，其特征在于，所述抽空单元是真空泵。
43.根据权利要求40到42中的任一权利要求所述的沉积设备，进一步包含第二沉积源、第三沉积源或进一步的沉积源，并且源外壳连续地固定到所述涂覆腔室。
44.根据权利要求40到42中的任一权利要求所述的沉积设备，其特征在于，所述基板支撑件包括可旋转的涂覆滚筒。
45.根据权利要求40到42中的任一权利要求所述的沉积设备，其特征在于，所述源外壳的敞开的前侧的曲率适合于所述涂覆滚筒的基板引导表面的曲率。
46.根据权利要求40到42中的任一权利要求所述的沉积设备，进一步包含一个或多个间隙闸门，用于确保工艺腔室的内部部分之间的真空分离。
47.根据权利要求40到42中的任一权利要求所述的沉积设备，进一步包含待涂覆的基板，所述待涂覆的基板经由涂覆滚筒的基板引导表面从所述工艺腔室内的第一滚轮朝第二滚轮延伸。
48.根据权利要求40到42中的任一权利要求所述的沉积设备，进一步包含作为柔性基板提供的基板，例如，作为卷材、箔或条带提供的基板。
49.根据权利要求40到42中的任一权利要求所述的沉积设备，进一步包含用于抽空所述工艺腔室的一个或多个真空泵。