本公开一般涉及蒸镀工艺技术领域，具体涉及一种新型掩膜及蒸镀装置。
背景技术：
蒸镀，是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基板表面析出的过程，将材料加热并镀到基板上称为真空蒸镀，或叫真空镀膜。真空镀膜工艺大量应用于产品的制造过程中，如：有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示器件的空穴注入层、空气传输层、发光层、电子传输层等。
目前的蒸镀工艺过程中成膜范围的界定是通过掩膜来实现，而基板和掩膜的结构为：掩膜和基板接触，基板上方依次是背板和磁板，磁板使掩膜与基板接触更紧密，故在蒸镀旋转时不会发生偏移。但是，此结构仍然存在以下问题：其一：掩膜可能会对基板表面有损伤；其二：基板可能会对掩膜上表面造成污染；其三：掩膜表面不平整可能会导致基板破裂等。
为消弭上述技术问题，专利03104971.0公开有一种技术方案，如图1所示，在该技术方案中，掩膜上表面进行粗糙化处理(如：喷砂、蚀刻等)，要求凹部与凸部高低差在10微米以内，目的是为了在蒸镀工序中控制掩模对基板产生损伤。
此外，专利03120226.8公开有一种技术方案，如图2和图3所示，在该技术方案中，所述图2中，在基板侧衬垫(标号30)为光刻胶材质，经过曝光显影形成；所述图3中，在Mask侧形成凸起衬垫(标号80)，衬垫材质与掩膜相同，且衬垫的高度一致，目的是减小掩模对基板的损伤的可能。
虽然上述两个技术方案分别通过不同的技术手段使得基板图形区域与掩膜之间存在一定间隙，能有效减少掩膜对基板表面损伤的可能，但尽管如此上述两个技术方案本身仍旧还是存在以下问题亟待解决：其一：在基板侧设置类似光刻胶等材质的衬垫容易污染掩膜且不易加工，对后续压合等工艺可能会产生影响；其二：对掩膜侧进行加工可能会使其产生形变影响蒸镀图形；其三：在掩膜侧设置高度相同的衬垫对掩膜平整度要求非常高，且衬垫与基板都是硬接触，在平整度不好的情况下可能会导致基板被压裂。
技术实现要素：
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种相较于现有技术而言，能够不对蒸镀图形产生影响的新型掩膜。
第一方面，一种新型掩膜，包括：掩膜主体和与掩膜主体一体式设计且包围所述掩膜主体的掩膜架，所述掩膜主体上形成有指定图案；所述掩膜架上分布有安装孔且所述安装孔内设有支撑结构。
根据本申请实施例提供的技术方案，设置于安装孔内的支撑件和安装在支撑件自由端的衬垫。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述支撑件具有弹性。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述支撑件为压缩弹簧。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述支撑件为弹性橡胶。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述支撑结构在掩膜架上均匀分布，数量至少8个。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述支撑结构具有相同的高度。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述弹性支撑结构高度范围0-0.5mm。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述支撑结构的材质为不锈钢或因瓦合金，其直径大小为2-20mm。
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种相较于现有技术而言，能够不对蒸镀图形产生影响的蒸镀装置。
第二方面，一种蒸镀装置，其包括第一方面中所述的新型掩膜。
综上所述，本申请提供有一种新型掩膜，通过改进掩膜架的结构，优化了基板与掩膜架的接触方式，相较于现有技术而言，本申请提供的技术方案一方面，能够在基板与掩膜架之间形成间隙，降低掩膜对基板损伤的可能性，另一方面，也能够防止基板对掩膜造成污染。此外，因为本实施例中并没有对掩膜主体进行改动，故对蒸镀的图形不会产生影响。
基于本申请更进一步的改进，支撑结构有两部分组成，即支撑件和衬垫，此二者可固接或可拆卸连接，在长期的使用中，衬垫便于更换。此外，也可以在掩膜架上的不同位置处设置高度相同或者不同高度的支撑件或衬垫。
基于本申请更进一步的改进，支撑件为弹性材质，故其高度可调节，掩膜架上不同位置的支撑结构将呈现不同的高度，在掩膜不平整的情况下，可以通过不同高度的弹性支撑件来进行高度补偿，故而不会因为掩膜平整度问题使基板受力不均，即能够有效避免造成基板破裂。
此外，本申请还提供了一种能够应用所述新型掩膜的蒸镀装置，相较于现有技术而言，经过改进的蒸镀装置最大限度地减少对掩膜的污染，并且能够最大限度地降低基板产生破片或者裂纹的几率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是现有技术中掩膜上表面粗糙化处理的结构示意图；
图2是现有技术中基板侧衬垫的结构示意图；
图3是现有技术中掩膜侧形成凸起衬垫的结构示意图；
图4是本申请一种新型掩膜的结构示意图；
图5是本申请一种新型掩膜的结构示意图；
图6是本申请一种新型掩膜的结构示意图(弹性支撑结构，压缩)；
图7是本申请一种新型掩膜的结构示意图(弹性支撑结构，伸展)。
图中：1、掩膜主体；2、掩膜架；3、支撑结构；4、衬垫；5、支撑件；6、基板；7、背板；8、磁板。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
实施例一：
请参阅图4所公开的一种新型掩膜。
所述新型掩膜，包括：掩膜主体1和与掩膜主体1一体式设计且包围所述掩膜主体1的掩膜架2，所述掩膜主体1上形成有指定图案；所述掩膜架2上分布有安装孔且所述安装孔内设有支撑结构3。
所述新型掩膜，包括：掩膜主体1和与掩膜主体1一体式设计且包围所述掩膜主体1的掩膜架2，本实施例中掩膜的主体结构。
其中：
所述掩膜主体1，其上形成有指定图案。
所述掩膜架2，其上分布有安装孔且所述安装孔内设有支撑结构3。
所述支撑结构3，其顶部与所述基板接触，优化了基板与掩膜架的接触方式，一方面，能够在基板与掩膜架之间形成间隙，降低掩膜对基板损伤的可能性，另一方面，也能够防止基板对掩膜造成污染。此外，因为本实施例中并没有对掩膜主体进行改动，故对蒸镀的图形不会产生影响。
优选地，所述支撑结构的材质为不锈钢(如：SUS304，SUS420，SUS301等)或因瓦合金(INVAR36)。
优选地，所述支撑结构的直径大小为2-20mm。
为能够与基板适应性配接，所述支撑结构3高度的具体调整方式依赖于掩膜支架，即：将安装有支撑结构3的掩膜架搭接在掩膜支架上，通过伺服控制来调整掩膜支架的高度、倾斜度，进而来调整掩膜架的高度、倾斜度。
在实际使用中，调整基板与掩膜间距的具体方式为根据工艺要求来调整阴影效应的参数。一般来讲，基板与掩膜的间距越小，阴影效应越小，但掩膜污染基板的可能性就越大，所以需要根据要求的阴影效应参数，来调整合适高度。
实施例二：
请参阅图5所公开的一种新型掩膜。
与实施例一不同的是，本实施例中，所述支撑结构3包括：设置于安装孔内的支撑件5和安装在支撑件5自由端的衬垫4。
基于上述设计，支撑结构3由两部分组成，即支撑件5和衬垫4，所述支撑件5，设置在所述安装孔内，用于支撑衬垫4；所述衬垫4，其安装在支撑件5的自由端，与基板6直接接触。
基于上述设计，支撑结构3的支撑件5和衬垫4可固接或可拆卸连接均可，在长期的使用中，衬垫可更换。
基于上述设计，也可以在掩膜架上的不同位置处设置高度相同或者不同高度的支撑件5或衬垫4。
在基板侧平整度较高的情况下，优选地，所述支撑结构3具有相同的高度。
此外，基于支撑结构的分离设计，支撑件5与衬垫4的材质可以相同、也可以不相同。
实施例三：
请参阅图6和图7所公开的一种新型掩膜。
与实施例二不同的是，本实施例中，所述支撑件5具有弹性。
图6中，弹性的支撑件处于被压缩的状态，此时，基板与掩膜架之间间距较小。
图7中，弹性的支撑件处于伸展状态，此时，基板与掩膜架之间间距较大。
基于上述设计，为能够与基板适应性配接，所述支撑结构3高度的具体调整方式仍旧依赖于掩膜支架。
但与实施例二和实施例一不同的是，本实施例中，掩膜架上不同位置的支撑结构3将呈现不同的高度，在掩膜不平整的情况下，可以通过不同高度的弹性支撑件来进行高度补偿，故而不会因为掩膜平整度问题使基板受力不均，即能够有效避免造成基板破裂。
优选地，所述支撑件5为压缩弹簧。
优选地，所述支撑件5为弹性橡胶。
当然，支撑件的弹性不限于上述两种实现结构，还包括其他能够实现上述功能的任意结构。
在上述任一优选的实施中，所述支撑结构3在掩膜架2上均匀分布，数量至少8个。支撑结构3，本实施例中的关键部件，基于此设计，其能够保证基板受力均匀，不因掩膜或者基板侧平整度问题导致基板产生破片或者裂纹。
在上述任一优选的实施中，所述支撑结构3高度范围0-0.5mm。
实施例四：
一种蒸镀装置，其包括使用实施例一所述的新型掩膜。
基于实施例一中技术方案的改进，本实施例二将其所得的新型掩膜应用至现有的蒸镀装置中，相较于现有技术而言，经过改进的蒸镀装置最大限度地减少对掩膜的污染，并且能够最大限度地降低基板产生破片或者裂纹的几率。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。