用新型的方法时，要考虑基板镀膜的干扰因素。
[0105]呈板形的玻璃基板具有例如1600mm的长度，1200mm的宽度和3.2mm的厚度。优选内侧棍子的宽度为2mm至6mm、尤其是3mm至5mm。尽可能窄的棍子宽度是有利的，这是因为以此方式将由于辊子受损害的区域窄地保持，在该受损害的区域中稍后必须再次除去膜层。就中心辊子对玻璃基板损害的区域，损害区域的宽度由辊子宽度加上双倍的导引公差和基板的尺寸公差I 确定。为了在此区域中使受损坏区域保持得当，与外侧辊子相比，可以选择更小的内侧辊子，也就是中心辊子或者中间辊子的辊子宽度。
[0106]例如内侧辊子宽度为3.0mm，而外侧辊子的支承面宽度与之相反为5.0mm0在此情况下，薄板的导引公差为±0.5mm并且薄板的尺寸公差为±0.5mm的情况下，由此得到在内侧棍子处受损坏的电池带的最大宽度为5mm。
[0107]如果上面已经描述的那样，以如下方式送择转变温度Tp S卩，在转变温度的区间中，使用带有化-个辊子的传送轴，而在转变温度以下，与之相反使用带有n untCT个辊子的传送轴，则必须额外考虑由于额外的辊子对膜层的损害。在Tti= 500°C时，玻璃基板在25°C与500°C之间的膨胀长度dL25—5。。约为5mm，并且在25°C与550°C之间的膨胀长度dL 25—55。约为6_。由外侧辊子损坏的CdTe区域在那里有如下宽度:
[0108]bcdTe_ au P en — b Rol Ie1 au P en+dL25_50o/2+2* (I fuhr_ tol + lM α β , tol)?9.5πιπι
[0109](外侧棍子宽度bRolle, au β en = 5mm)。
[0110]由额外的中同辊子损坏的CdTe区域有如下宽度:
[0111]bcdTe_zwischen — b Rolle, innen+(dL25—550-dL25—500)/4+2* (Ifuhr, t。i+1mq p, t? i) 5.25mm
[0112](中间棍子宽度bRcille,innen= 3mm)。
[0113]【实施例】
[0114]随后描述示例性的设备，该设备适合用于执行依据本实用新型的方法。附图标记参考附图中的相应的元件。
[0115]第一加热腔3、镀膜腔2和第二加热腔3 —个接一个地布置。
[0116]使用了呈平板形的钠钙玻璃制成的、具有550°C的转变温度的基板I。在前面的工作步骤中已经在基板I的下侧上涂覆了作为前电极的TCO层。基板沿传送方向的宽度在25°C的情况下为1200mm。基板I的长度为1600mm在25°C的情况下。基板棱边以C形打磨的方式修圆。基板I进入具有480°C的温度的第一加热腔3。该基板在传送系统30上运动。传送系统30由轴31组成，该轴具有带倾斜的导引轴肩3132的外侧辊子313。在穿过轴的轴线的截面中，每个外侧辊子313的导引轴肩3132的倾斜为139°。导引轴肩3132间距为1205mm。基板在与传送方向平行的棱边处，搁放在外侧辊子313的支承面3131上。支承面3131具有3°的倾斜，以及具有1mm的宽度。基板I居中地由第一内侧辊子314支撑，该第一内侧辊子具有在支承面中的3mm的宽度。从现在开始，将基板I在加热腔3中、在其上侧和其下侧上加热，并且在此缓慢地穿过该腔运动前进速度约:1.5m/min。如果基板I达到转变温度区间，则从该点开始，在轴31上又在第一内侧辊子314与外侧辊子313之间居中地布置有两个第二内侧辊子314。现在导引轴肩3132的间距为1206mm。从现在开始将加热系统34如此地调整，即，基板I在达到加热腔3的端部时，在其下侧上比在其上侧处热6K。此温差导致内应力，该内应力造成基板I的弯拱，该弯拱的曲率中心处在基板I之上。通过借助三个内侧辊子314的支撑，该弯拱不能无阻碍地向下形成。造成了基板I的刚性增强。由于此刚性增强，基板I经过250_的轴间距进入随后的镀膜腔2中而不碰撞到镀膜腔2的传送系统20的第一轴21上。在达到基板I的转变温度区间之后，涂覆腔2的传送系统20与加热腔3的传送系统30对应。将基板I继续沿传送方向运动。基板达到第一装有CdS原料的容器10，在该第一容器中、在680°C的温度的情况下将CdS蒸发。基板I以相对棱边5mm的间距在容器10之上运动过去。容器10沿传送方向的宽度为300mm。因为在此区域中不能布置支撑辊子，所以基板I只基于内应力和弯拱抬起来跨越此间距，该管拱抬起由在基板I的下侧与上侧之间的温差造成。此外在此出现，由于容器10中的高温度，将下侧比上侧此外显著更强地加热。在此，基板I的下侧达到约555°C的温度。在越过第一容器10之后，基板又由带有两个外侧辊子213和三个内侧辊子214的轴21支撑。在三个以250mm的间距布置的这种轴21之后，跟随有另一个带有CdS的镀膜容器10。此镀膜容器同样如两个跟随的装有CdTe的镀膜容器10那样，以所描述的方式被跨过。接下来经镀膜的基板I到达第二加热腔3中。此处将基板缓慢冷却。基板离开具有约500°C温度的第二加热腔。在此第二加热腔之后联接但未详细描述的是其他加热腔，在多个其他加热腔中基板温度继续下降。在向下越过玻璃的转变温度区间之后，将基板I又在带有1205_的导引轴肩3132间距的辊子31上和唯一的内侧辊子314上传送。
[0117]以上详细描述了本实用新型的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本实用新型的构思做出诸多修改和变化。凡本技术领域中技术人员依本实用新型的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
【主权项】
1.一种用于基板镀膜的设备，所述设备具有至少如下元件: 至少一个构造为真空腔的加热腔(3)，所述加热腔在内部腔中具有至少两个能彼此独立地控制或调节的加热系统(33、34)，其中，至少一个加热系统(34)加热基板的上侧，并且至少一个加热系统(33)加热所述基板的下侧，并且所述加热系统(33、34)如此地调整，即所述加热系统以如下方式加热所述基板(I)，即使得所述下侧比所述上侧具有更高的温度； 至少一个构造为真空腔的并且沿传送方向在所述加热腔(3)之后布置的、带有至少一个能加热的带镀膜材料的蒸发坩塌的镀膜腔(2);及 用于所述基板(I)的穿过所述加热腔(3)的传送系统(30)和用于所述基板(I)的穿过涂层腔(2)地延伸的传送系统(20)，其中，两个传送系统(20、30)均具有多个、平行的、轴向间隔的、沿传送方向一个接一个的、并且垂直于所述传送方向布置的轴(21、31)，其中，每个轴具有外侧辊子(213、313)，在所述外侧辊子之间各布置有至少一个内侧辊子(214、314)。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，每个加热腔(3)和每个镀膜腔(2)具有到所述腔(2、3)中的基板输入端和从所述腔(2、3)中出来的基板输出端，穿过所述基板输入端所述基板(I)从前腔有序地传送进来，穿过所述基板输处端所述基板(I)有序地传送出去布置到在后面的腔中。3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，所述外侧辊子(213、313)具有呈圆锥形的用于所述基板(I)的支承面(2131、3131)，所述支承面具有向最近的轴端部(211、311)去地增加的直径，并且所述支承面(2131、3131)具有从1°至5°。4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述外侧辊子(213、313)具有倾斜的导引轴肩(2132、3132)，所述导引轴肩具有从130°至150°的倾斜，并且所述导引轴肩(2132、3132)高出于所述外侧辊子(213、313)的所述支承面(2131、3131)至少5mm。5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，那些在其处所述基板(I)的下侧温度处在所述基板(I)的转变温度的区间中的轴(21、31)比那些在其处所述基板(I)的下侧温度处在所述转变温度之下的轴(21、31)具有更大的导引轴肩(2132、3132)间距。6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，那些在其处所述基板(I)的下侧温度处在所述基板(I)的所述转变温度的区间中的轴(21、31)比那些在其处所述基板(I)的下侧温度处在所述转变温度之下的轴(21、31)具有更多的内侧辊子(214、314)。7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，那些在其处所述基板(I)的下侧温度向下超越所述转变温度的轴(21、31)在两个外侧辊子(213、313)之间具有第一内侧辊子(214、314)，并且那些在其处所述基板(I)的下侧温度达到转变温度的区间的轴(21、31)具有至少一个其他内侧辊子(214、314)。8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，所述第一内侧辊子(214、314)在所述轴(21,31)上尽可能居中地布置在所述两个外侧辊子(213、313)之间。9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，其他内侧辊子.(214、314)各在尽可能居中的内侧辊子(214、314)与所述外侧辊子(213、313)之间的约半程处布置。10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述传送系统(30)的内侧辊子(214、314)沿传送方向看对齐地布置。
【专利摘要】提供了一种用于基板镀膜的设备，尤其是用于太阳能电池制造用玻璃基板的镀膜。描述了如下设备，该设备适用于实施所述方法，并且该设备具有带独立的加热系统以及传送系统的加热腔和镀膜腔。
【IPC分类】C23C14/24, C23C14/50
【公开号】CN204849002
【申请号】CN201520156572
【发明人】彭寿, 迈克尔·哈尔, 王伟, 希尔玛·里赫特, 斯特凡·伯瑟特, 拉尔夫·施托伊登, 斯特芬·格奥尔格, 塞巴斯蒂安·蒂特尔, 维纳·沙德
【申请人】中国建材国际工程集团有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年3月19日