1.一种用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法，其特征在于，用丙基三乙氧基硅烷与正硅酸乙酯来制备SiO2增透膜。
2.根据权利要求1所述的用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法，其特征在于，具体步骤如下：
（1）溶胶的制备：将正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、无水乙醇、氨水按质量比为11.0-15.6：1-8：130-200：3.6-6.6混合加入到密闭的玻璃容器中，在25-50 ℃磁力搅拌0.5-12 h，20-40 ℃恒温陈化3-30天；
（2）采用浸渍-提拉法在基片上镀膜，所得的膜层即为一定折射率的SiO2增透膜。
3.根据权利要求2所述的用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法，其特征在于，正硅酸乙酯：丙基三乙氧基硅烷：无水乙醇：氨水质量比为14.2：1.88：130：3.6。
4.根据权利要求2所述的用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法，其特征在于，搅拌的温度为25℃，时间为2 h。
5.根据权利要求2所述的用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法，其特征在于，混合溶胶的恒温陈化时间为5天，恒温温度为20℃。
6.根据权利要求2所述的用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法，其特征在于，步骤（2）中镀膜的速度为50-200 mm/min。