1.一种半导体的制造方法，其特征在于，
在与SiC基板的<-1100>方向垂直的方向上，形成周期性的纹理，在所述SiC基板的基底面和所形成的纹理的面所成的角小于偏离角的所述SiC基板上，进行外延成膜。
2.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，
所述纹理是使在表面上具有表面涂层的加工工具和所述SiC基板接触并使所述加工工具在所述SiC基板的<-1100>方向上往返运动而形成的。
3.根据权利要求2所述的半导体的制造方法，其特征在于，
所述表面涂层是Pt、Ir、Re、Pd、Rh、Os、Au以及Ag中的某一种。
4.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，
所述SiC基板的基底面和所述所形成的纹理的面所成的角是3°以内。
5.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，
所述纹理的与所述SiC基板的<-1100>方向垂直的方向上的间距是200nm以下。
6.一种SiC基板，其特征在于，
在与SiC基板的<-1100>方向垂直的方向上，形成有周期性的纹理，所述SiC基板的基底面和所形成的纹理的面所成的角小于偏离角。
7.根据权利要求6所述的SiC基板，其特征在于，
所述SiC基板的基底面和所述所形成的纹理的面所成的角是3°以内。
8.根据权利要求6所述的SiC基板，其特征在于，
所述纹理的与所述SiC基板的<-1100>方向垂直的方向上的间距是200nm以下。
9.根据权利要求6所述的SiC基板，其特征在于，
如果将所述纹理的2个面所成的谷角设为Ψ、将从所述SiC基板的表面至基底面的角度设为偏离角θ、以及将从所述SiC基板的表面起的倾斜角设为φ，则所述谷角Ψ满足
Ψ＝90°+|θ-φ|。