技术特征：
技术总结
本发明公开了一种大尺寸、高性能六硼化镧单晶的制备方法，其是结合放电等离子烧结技术与光学区域熔炼技术，首先以较快的生长速率制得区熔多晶体，再以单晶为籽晶，以较慢的生长速率逐步制得直径均匀且尺寸≥10mm的六硼化镧单晶体。本发明制备的六硼化镧单晶体的直径大于现有所有文献的报道，且单晶体的质量高、性能好，为单晶体的进一步工程化应用奠定了基础。
技术研发人员：张久兴;杨新宇;王衍;赵晶晶;李志
受保护的技术使用者：合肥工业大学
技术研发日：2017.12.14
技术公布日：2018.05.18