高熵陶瓷粉体及其制备方法和高熵陶瓷块体与流程

技术总结
本发明涉及高性能陶瓷技术领域，尤其涉及一种高熵陶瓷粉体及其制备方法和高熵陶瓷块体。本发明采用共沉淀法制备高熵陶瓷粉体和块体，所需实验设备简单，操作容易，便于规模生产，同时能够显著降低高熵陶瓷的烧结温度，在1000～1400℃温度范围内实现陶瓷的快速烧结，获得具有钙钛矿结构的高熵陶瓷。

技术研发人员：苗洋;杨文静;郭猛;张丰年;高峰
受保护的技术使用者：太原理工大学
技术研发日：2019.11.28
技术公布日：2020.02.28