Cr:YAG烧结体的制作方法

文档序号:22766619发布日期:2020-10-31 11:38阅读:322来源:国知局
Cr:YAG烧结体的制作方法

本发明涉及cr:yag(钇铝石榴石)烧结体及其制造方法。



背景技术:

yag(钇铝石榴石)为包含钇和铝的复合氧化物(y3also12)的石榴石结构的晶体。以往已知:1)通过在yag中添加稀土元素中的从原子序数57的ce至原子序数70的yb的元素而使构成yag的“y元素”进行置换固溶;或者2)通过在yag中添加过渡金属中的从原子序数22的ti至原子序数28的ni的元素而使构成yag的“al元素”进行置换固溶,由此置换后的元素成为发光中心并且具有强荧光,并且使用其制作了荧光体、激光介质等。

作为经常使用的材料,有添加了nd(钕)的nd:yag,其是以1064nm的波长发生激光振荡的材料。另外,有将nd:yag和添加了四价cr原子(以下记载为cr4+)的yag组合而成的材料,虽然其吸收波长1064nm的光,但是通过调节浓度以使得以一定程度的光量吸收达到饱和(可饱和吸收体),最初,cr4+:yag吸收光,抑制nd:yag的激光振荡并蓄积激发量,在此期间,当cr4+:yag吸收达到饱和时,一下子产生从在nd:yag中所蓄积的激发状态的激光振荡,从而产生强脉冲激光,然后cr4+:yag中的吸收状态缓和并返回初始状态,通过反复进行这样的过程,能够形成周期性地产生强脉冲光的、被称为被动调q振荡的状态。

像这样基于nd:yag与cr:yag的组合的激光器自动地产生强脉冲光,因此被用于各种用途(例如专利文献1)中。另外,近年来,使用与制作以往的陶瓷时同样的成型、烧结的方法来制作尽可能抑制了存在于晶界处的孔隙(空隙)的多晶yag,已知该多晶yag显示出略差于单晶但优异的透射特性。在此,作为涉及多晶yag烧结体的发明,例如可以列举专利文献2、3。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2017-201662号公报

专利文献2:日本专利第4237707号

专利文献3:日本专利第5019380号



技术实现要素:

发明所要解决的问题

本发明的实施方式的课题在于提供一种透光性优异并且cr4+转化率高的cr:yag烧结体及其制造方法。

用于解决问题的手段

本发明的实施方式的cr:yag烧结体的主旨在于,所述cr:yag烧结体含有al、y、cr、ca、mg、si和o,并且该烧结体中的成分含量满足下述1)~3)的条件式。其中,在条件式中,各元素符号表示成分含量(原子ppm)。

1)|(y+ca)/(al+cr+si+mg)-0.6|<0.001

2)0原子ppm≤(ca+mg)-(cr+si)≤50原子ppm

3)50原子ppm≤si≤500原子ppm

发明效果

根据本发明的实施方式,能够制造透光性优异并且cr4+转化率高的cr:yag烧结体。

附图说明

图1为表示对于实施例1和cr3+:yag的k吸收边的xanes测定结果的图。

图2为表示将图1中的5990ev附近进一步放大后的图。

图3为用于确认被动调q功能的激光装置的结构图。

图4为表示实施例1的被动调q功能的确认结果的图。

具体实施方式

在cr:yag中,cr原子进入yag中置换了al原子的位点,但由于al为三价,因此容易形成同样三价的cr原子(以下记载为cr3+)。cr4+的浓度不足时,难以发生被动调q,因此期望提高cr4+的比率。为了使cr3+成为cr4+,可以考虑添加二价的原子并利用该二价的原子置换三价的y原子和三价的al原子,从而进行价数补偿。但是,并非只要是二价的元素就全都能够实现该价数补偿,目前已知的仅为ca和mg。

但是,仅通过将ca、mg添加到yag烧结体中无法得到足够的烧结性,增加添加量时,反而存在烧结性变差、无法得到透光性的问题。本发明人对能够显著提高烧结性的各种添加元素中的si进行了研究,结果得到了如下发现:由于si为四价,因此添加si时,朝阻碍转化为cr4+的方向起作用,但是通过适当调节si的量,能够在不阻碍转化为cr4+的情况下显著地提高烧结性。

鉴于上述发现,本发明的实施方式的cr:yag烧结体的特征在于,所述cr:yag烧结体含有al、y、cr、ca、mg、si和o,并且该烧结体中的成分含量满足下述1)~3)的条件式。其中,式中,各元素符号表示成分含量(原子ppm)。

1)|(y+ca)/(al+cr+si+mg)-0.6|<0.001

2)0原子ppm≤(ca+mg)-(cr+si)≤50原子ppm

3)50原子ppm≤si≤500原子ppm

关于条件式1),yag(组成式:y3al5o12)偏离y:al=3∶5的组成比时,有时al2o3、yalo3等其它结构的组织析出从而使透光性降低,在这样的情况下,在被动调q中有时激光振荡停止。因此,要求包含与“y原子”置换的ca、与“al原子”置换的cr、mg、si在内的烧结体的组成比为(y+ca):(al+cr+mg+si)=3∶5,即使产生组成偏差,只要在|(y+ca)/(al+cr+si+mg)-0.6|<0.001的范围内,就能够得到足够的透光性。

本发明的实施方式的cr:yag烧结体基本上为四价的cr置换yag,并且为了cr的价数补偿而包含二价的ca和mg,为了提高烧结性而还包含si。ca具有促进cr4+转化的作用,但是有时使烧结性变差。另外,mg也能够微弱地促进cr4+转化,但是无法充分提高烧结性。此外,对于si而言,通过添加si能够提高烧结性,但是由于价数为四价,因此会阻碍cr4+转化。

在考虑到上述各添加元素的作用和效果时,通过满足上述2)的条件式,能够在利用ca和mg促进cr4+转化的同时,利用si抑制由ca引起的烧结性的降低,另外,能够在利用si提高烧结性的同时,利用ca、mg抑制由si引起的cr4+转化的阻碍。另一方面,通过添加50原子ppm以上的si,能够得到提高烧结性的效果,但是si含量大于500原子ppm时,烧结性变差,因此si含量如上述3)的条件式所示。

在本发明的实施方式中,cr:yag烧结体的波长1300nm的光的透射率优选为80%以上。透光性差时,有时激光被遮蔽从而激光振荡停止。烧结性与透光性存在相关性,在充分进行了烧结的情况下,残留在内部且使光散射的气孔(孔)变少,能够得到透射性优异的烧结体。需要说明的是,在透射率的测定中,透射率根据厚度而变化,因此将烧结体的厚度设定为1cm。

另外,在本发明的实施方式中,转化率cr4+/(cr3++cr4+)优选为0.25以上。这是因为,cr4+的浓度低时,不发生被动调q,虽然发生激光振荡,但是不发生脉冲振荡。需要说明的是,如后述所详细说明的,从cr3+到cr4+的价数转变的评价可以使用x射线近边吸收光谱(xanes)通过与作为参考试样的cr3+:yag烧结体的比较来进行。

接着,对本发明的实施方式的多晶yag烧结体的制造方法的一例进行说明。

(关于原料粉末)

准备y2o3粉末、al2o3粉末、cr2o3粉末、mgo粉末和caco3粉末作为原料,以达到规定的摩尔比的方式进行称量。这些原料粉末优选使用平均粒径为0.3μm~10μm的原料粉末,另外,对于y2o3粉末、al2o3粉末而言,优选使用纯度4n以上的原料粉末,对于cr2o3粉末、mgo粉末、caco3粉末而言,优选使用纯度2n以上的原料粉末。

(关于混合)

将上述y2o3粉末、al2o3粉末、cr2o3粉末、mgo粉末和caco3粉末投入混合粉碎机中,利用以水为溶剂、以氧化铝为介质的球磨机进行4小时~6小时的湿式混合。此时,为了抑制由原料粉末的聚集而导致的混合不均,优选添加适量的分散剂。在混合后,向从混合粉碎机中取出的浆料中添加si(oc2h5)4和乳酸铝并进行搅拌。通过该si(oc2h5)4的添加量能够调节最终的yag烧结体中的si含量。

(关于造粒、成型)

接着,将搅拌后的浆料干燥,然后利用筛强制过筛,或者进行喷雾干燥而制作造粒粉,将其放入模具(例如,φ150mm×40mm)中,进行冷压,然后在150mpa~200mpa下进行cip成型。

(关于预加热)

接着,在大气炉中,为了除去水分而将该成型体在100℃~300℃下加热4小时~6小时,然后为了除去有机成分等而将该成型体在800℃~1000℃下加热1小时~3小时。

(关于烧结、hip)

接着,将该成型体在1700℃~1900℃下烧结10小时~20小时。此时,在含有氮气的气氛中进行烧结时,由于氮气残留在烧结体中而导致密度降低,因此优选在真空、还原性气氛或者不含有氮气的氧气气氛中进行烧结。然后,在ar等惰性气氛下、在1600℃~1800℃、100mpa~200mpa下进行hip(热等静压)1小时~4小时。

(关于退火)

然后,在大气炉中将上述得到的烧结体在1300℃~1500℃下加热5小时~15小时。通过以上操作,能够得到所期望的cr:yag烧结体。

包含实施例、比较例在内的本发明的实施方式的cr:yag烧结体的评价方法等可以如下所述进行。

(关于成分组成)

关于烧结体中所含的成分组成,通过利用icp(电感耦合等离子体)发射光谱分析法等进行研究来进行分析。

(关于透光性)

关于透光性,研究没有由cr产生的吸收的波长1300nm的光的透射率。如果在cr4+:yag中没有光散射,则波长1300nm下的透射率包含因界面反射引起的损失在内应该达到约84%,因此,如果每1cm烧结体厚度的波长1300nm的光的透射率为80%以上,则判断为良好。

(cr的价数评价)

从cr3+向cr4+的价数转变的评价使用x射线近边吸收光谱(xanes)并通过与作为参考试样的cr3+:yag烧结体进行比较来进行。需要说明的是,如前所述,在yag中cr与“al原子”置换而存在,但是在yag中al原子具有在周围具有8个氧的八配位和在周围具有4个氧的四配位的状态。三价的cr与八配位的al原子进行置换,四价的cr与四配位的al原子进行置换。在对该cr原子照射具有5980ev~6040ev的能量的x射线时,观测到cr原子的k吸收边(从1s轨道向4p轨道的跃迁)。对该区域详细进行研究时,有时在5990ev附近出现独立的峰。这是伴随从1s轨道向3d轨道的跃迁的峰,原本是禁戒跃迁,但是通过利用晶体场形成3d轨道与4p轨道的杂化轨道而成为允许的跃迁,被称为边前峰(pre-edgepeak)。对于以八配位存在的三价的cr而言不出现该峰,对于以四配位存在的四价的cr而言出现该峰。因此,通过测定该峰的强度,能够评价yag中的四价cr原子的转化率(cr4+/(cr3++cr4+))。

(关于参考试样cr3+:yag)

以分别为34.48摩尔%、62.36摩尔%、0.06摩尔%、0.10摩尔%的方式称量y2o3粉末、al2o3粉末、cr2o3粉末、si(oc2h5)4。通过像这样不添加mgo粉末、caco3粉末而不进行价数补偿,cr必然为三价。接着,与下述实施例1同样地由原料粉末制作浆料,然后添加si(oc2h5)4和乳酸铝而制作造粒粉,然后进行成型、加热、烧制等,从而制作了参考试样用cr3+:yag烧结体。

(被动调q的运行试验)

为了确认所制作的cr4+:yag是否发挥被动调q的功能,利用图3中示出的装置进行试验。使来自产生808nm的激光的激光二极管13的光通过介质镜11(透射100%的808nm的光,反射100%的1064nm的光),并入射至1原子%nd:gdvo4晶体10。以夹着该晶体10的方式配置介质镜11和介质镜12(反射97%的1064nm的光),在其前方配置检测1064nm的光的光检测器14。然后,利用介质镜11和介质镜12使从晶体10发射的1064nm的光折回而进行激光振荡。

[实施例]

以下,基于实施例和比较例进行说明。需要说明的是,本实施例仅是一个例子,不受该例任何制限。即,本发明仅受权利要求书限制,包含本发明所含的实施例以外的各种变形。

(实施例1)

如表1所示分别称量规定量的平均粒径为1μm的y2o3粉末、al2o3粉末、cr2o3粉末、mgo粉末、caco3粉末作为原料,将这些原料粉末投入混合粉碎机中,利用以水为溶剂、以氧化铝为介质的球磨机进行5小时湿式混合,从而得到了浆料。

向该浆料中添加si(oc2h5)4和乳酸铝并进行搅拌,然后使其干燥,然后通过喷雾干燥而得到了平均粒径为20μm~30μm的造粒粉。

接着,将该造粒粉放入模具(φ150mm×40mm)中并进行冷压,然后在176mpa下进行cip成型。接着,在大气炉中将其在100℃下加热5小时,然后在900℃下加热2小时。

接着,在真空加热炉中对该成型体在1800℃下进行15小时烧制,然后在1700℃下、147mpa、ar气氛中进行3小时的hip。然后,在大气炉中、在1400℃下加热10小时,从而制作了φ150mm×40mm的cr4+:yag烧结体。

对通过以上步骤得到的烧结体进行成分分析,结果如表1所示,满足上述1)~3)的条件。对该烧结体测定波长1300nm的光的透射率,结果在厚度为1cm时显示出84%的优异的透光性。

接着,将对于实施例1的yag烧结体和作为参考试样的cr3+:yag的k吸收边的xanes测定结果示于图1中。如图1所示,在实施例1中出现了位于5990ev附近的边前峰,但是在cr3+:yag中未出现位于5990ev附近的边前峰。图2中示出进一步放大5990ev附近后的图。另外,在图2中一并示出了作为全部由四价cr构成的晶体的铬酸四叔丁酯(cr(ot-bu)4)的xanes测定光谱的结果。由于该铬酸四叔丁酯的峰强度为全部为四价cr的情况下的强度,因此通过与铬酸四叔丁酯的峰强度的峰强度比而求出cr4+/(cr3++cr4+)。由该强度比求出的值cr4+/(cr3++cr4+)=0.29。

接着,为了确认所制作的cr:yag是否发挥被动调q的功能,使用图3中示出的装置进行了试验。将其结果示于图4中。图4的(31)为未插入cr:yag20的状态的图,可知:无论何时,都检测到恒定的光强度信号。另一方面,图4的(32)~(35)示出将实施例1中制作的cr:yag20插入nd:gdvo4晶体10与介质镜12之间,改变来自激光二极管13的激发光强度,并改变振荡输出功率时的结果。如图4所示,光强度信号为脉冲形,观察到振荡输出功率越高,则脉冲周期越窄,确认发生了由cr4+:yag引起的被动调q。图4的(36)示出此时的一个脉冲的形状。脉冲宽度为约80纳秒。

(实施例2~8)

除了如表1所示改变原料粉末的称量比以外,通过与实施例1同样的方法制作了cr:yag烧结体。进行所得到的cr:yag烧结体的成分分析,结果如表1所示,均满足上述1)~3)的条件。另外,对各cr:yag烧结体与实施例1同样地测定波长1300nm的光的透射率,结果均在厚度为1cm时显示出80%以上的优异的透光性。此外,对该cr:yag烧结体与实施例1同样地利用xanes进行价数评价,结果转化率cr4+/(cr3++cr4+)为至少0.25以上。另外,对于各cr:yag烧结体,使用图3中示出的装置进行与实施例1同样的试验,结果均确认到由被动调q引起的脉冲振荡。

(比较例1)

除了如表1所示改变原料粉末的称量比以外,通过与实施例1同样的方法制作了cr:yag烧结体。对该cr:yag烧结体进行成分分析,结果如表1所示,未满足上述1)的条件。对该cr:yag烧结体测定波长1300nm的光的透射率,结果观察到在厚度为1cm时透光性降低为75%。对该烧结体使用图3中示出的装置进行与实施例1同样的试验,结果激光振荡停止。认为这是由于透光性差,因此激光被遮蔽。

(比较例2)

除了如表1所述改变原料粉末的称量比以外,通过与实施例1同样的方法制作了cr:yag烧结体。对该cr:yag烧结体进行成分分析,结果如表1所示,未满足上述2)的条件。对该cr:yag烧结体进行cr的价数评价,结果为cr4+/(cr3++cr4+)=0.08。对该烧结体使用图3中示出的装置进行与实施例1同样的试验,结果虽然发生激光振荡,但是未发生脉冲振荡,无论何时,都检测到恒定强度的光信号。这是因为cr4+的浓度不足,未发生被动调q。

(比较例3)

如表1所示改变原料粉末的称量比,另外,不添加si(oc2h5)4,除此以外,通过与实施例1同样的方法制作了cr:yag烧结体。对该cr:yag烧结体进行成分分析,结果如表1所示,未满足上述3)的组成条件。对该cr:yag烧结体测定波长1300nm的光的透射率,结果观察到透光性降低为78%。对该烧结体使用图3中示出的装置进行与实施例1同样的试验,结果激光振荡停止。认为这是由于透光性差,因此激光被遮蔽。

(比较例4)

除了如表1所示改变原料粉末的称量比以外,通过与实施例1同样的方法制作了cr:yag烧结体。对该cr:yag烧结体进行成分分析,结果如表1所示,未满足上述2)的条件。对该cr:yag烧结体进行cr的价数评价,结果为cr4+/(cr3++cr4+)=0.01。对该烧结体使用图3中示出的装置进行与实施例1同样的试验,结果虽然发生激光振荡,但是未发生脉冲振荡,无论何时,都检测到恒定强度的光信号。这是因为cr4+的浓度不足,未发生被动调q。

(比较例5)

除了如表1所示改变原料粉末的称量比以外,通过与实施例1同样的方法制作了cr:yag烧结体。对该cr:yag烧结体进行成分分析,结果如表1所示,未满足上述2)的条件。对该cr:yag烧结体进行cr的价数评价,结果为cr4+/(cr3++cr4+)=0.01。对该烧结体使用图3中示出的装置进行与实施例1同样的试验,结果虽然发生激光振荡,但是未发生脉冲振荡,无论何时,都检测到恒定强度的光信号。这是因为cr4+的浓度不足,未发生被动调q。

(比较例6)

除了如表1所示改变原料粉末的称量比以外,通过与实施例1同样的方法制作了cr:yag烧结体。对该cr:yag烧结体进行成分分析,结果如表1所示,未满足上述2)的条件。对该cr:yag烧结体进行cr的价数评价,结果为cr4+/(cr3++cr4+)=0.10。对该烧结体使用图3中示出的装置进行与实施例1同样的试验,结果虽然发生激光振荡,但是未发生脉冲振荡,无论何时,都检测到恒定强度的光信号。这是因为cr4+的浓度不足,未发生被动调q。

(比较例7)

除了如表1所示改变原料粉末的称量比以外,通过与实施例1同样的方法制作了cr:yag烧结体。对该cr:yag烧结体进行成分分析,结果如表1所示,未满足上述1)和2)的条件。对该cr:yag烧结体测定波长1300nm的光的透射率,结果观察到在厚度为1cm时透光性降低为60%。对该烧结体使用图3中示出的装置进行与实施例1同样的试验,结果激光振荡停止。认为这是由于透光性差,因此激光被遮蔽。

(比较例8)

除了如表1所示改变原料粉末的称量比以外,通过与实施例1同样的方法制作了cr:yag烧结体。对该cr:yag烧结体进行成分分析,结果如表1所示,未满足上述2)的条件。对该cr:yag烧结体进行cr的价数评价,结果为cr4+/(cr3++cr4+)=0.31。对该烧结体使用图3中示出的装置进行与实施例1同样的试验,结果虽然发生激光振荡,但是未发生脉冲振荡,无论何时,都检测到恒定强度的光信号。这是因为cr4+的浓度不足,未发生被动调q。

产业实用性

根据本发明,能够制造透光性优异并且cr4+转化率高的cr:yag烧结体。本发明的实施方式的cr:yag烧结体可用于荧光体、激光介质等。

标号说明

101原子%nd:gdvo4晶体

11介质镜

12介质镜

13激光二极管

14光检测器

20cr:yag烧结体

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