过切割固体硅117或217来机械地去除该部分的固体硅117或217。
[0061]在具体实施方案中，用于纯化硅的方法101或201可以进行一次。在可替代的实施方案中，用于纯化硅的方法101或201可以进行两次或更多次(例如2、3或4次)。
[0062]以下提供的具体的范围、数值和实施方案仅用于举例说明目的，并不另外限制所公开主题的范围，所述公开主题的范围由权利要求限定。以下所述的具体的范围、数值和实施方案包括每个公开的范围、数值和实施方案的所有组合和子组合，无论是否如此明确地说明。
[0063]具体范围、数值和实施方案
[0064]在具体实施方案中，组合物中不存在氯化钙。在另外的具体实施方案中，组合物中存在氯化钙。在另外的具体实施方案中，氯化钙以组合物的至多约6.00重量％存在。在另外的具体实施方案中，氯化钙以组合物的约4.00重量％至约6.00重量％存在。在另外的具体实施方案中，氯化钙以组合物的约5.00重量％存在，误差±20%。在另外的具体实施方案中，氯化钙以组合物的约5.00重量％存在，误差±10%。
[0065]在具体实施方案中，二氧化硅以组合物的约35重量％至约80重量％存在。在另外的具体实施方案中，二氧化硅以组合物的约35重量％至约50重量％存在。在另外的具体实施方案中，二氧化硅以组合物的约42.70重量％存在，误差±10%。在另外的具体实施方案中，二氧化硅以组合物的约42.70重量％存在，误差±5%。
[0066]在具体实施方案中，碳酸钠以组合物的约45重量％至约55重量％存在。在另外的具体实施方案中，碳酸钠以组合物的约50.60重量％存在，误差±10%。在另外的具体实施方案中，碳酸钠以组合物的约50.60重量％存在，误差±5%。
[0067]在具体实施方案中，不存在氧化钙。在可替代的具体实施方案中，存在氧化钙。在另外的具体实施方案中，氧化钙以组合物的约1.50重量％至约1.90重量％存在。在另外的具体实施方案中，氧化钙以组合物的约1.50重量％至约1.90重量％存在。在另外的具体实施方案中，氧化钙以组合物的约1.70重量％存在，误差±10%。在另外的具体实施方案中，氧化钙以组合物的约1.70重量％存在，误差±5%。
[0068]在具体实施方案中，组合物中不存在氟化钙。在另外的具体实施方案中，氟化钙以组合物的约4.00重量％至约6.00重量％存在。在另外的具体实施方案中，氟化钙以组合物的至多约6.00重量％存在。在另外的具体实施方案中，氟化钙以组合物的约5.00重量％存在，误差±20%。在另外的具体实施方案中，氟化钙以组合物的约5.00重量％存在，误差±10%。
[0069]在具体实施方案中，该方法为用于纯化硅的方法。在另外的具体实施方案中，该方法从铝中至少部分地纯化硅。在另外的具体实施方案中，该方法从铝中纯化硅。在另外的具体实施方案中，该方法提供铝减少了至少约98重量％的硅。在另外的具体实施方案中，该方法提供铝减少了至少约99.5重量％的硅。在另外的具体实施方案中，该方法提供铝减少了至少约99.8重量％的硅。在另外的具体实施方案中，该方法提供包含小于约20ppmw铝的纯化硅。在另外的具体实施方案中，该方法提供包含小于约1ppmw铝的纯化硅。在另外的具体实施方案中，该方法提供包含小于约5ppmw铝的纯化硅。
[0070]在具体实施方案中，该方法从硼中纯化硅。在另外的具体实施方案中，该方法提供硼减少了至少约20重量％的硅。在另外的具体实施方案中，该方法提供硼减少了至少约30重量％的硅。在另外的具体实施方案中，该方法提供硼减少了至少约40重量％的硅。在另外的具体实施方案中，该方法提供包含小于约0.40ppmw硼的纯化硅。在另外的具体实施方案中，该方法提供包含小于约0.30ppmw硼的纯化硅。在另外的具体实施方案中，该方法提供包含小于约0.20ppmw硼的纯化娃。
[0071]在具体实施方案中，该方法采用冶金级(MG)硅，例如形成熔融液体的硅包括冶金级(MG)硅。在另外的具体实施方案中，该方法采用高级冶金级(UMG)硅，例如形成熔融液体的硅包括高级冶金级(UMG)硅。在另外的具体实施方案中，该方法采用太阳能级(SOG)硅，例如形成熔融液体的硅包括太阳能级(SOG)硅。在另外的具体实施方案中，该方法采用等级或品质低于冶金级(MG)娃的娃。
[0072]在另外的具体实施方案中，该方法采用等级或品质低于约98重量％纯的硅。在另外的具体实施方案中，该方法采用等级或品质低于约95重量％纯的硅。在另外的具体实施方案中，该方法采用等级或品质低于约90重量％纯的硅。在另外的具体实施方案中，该方法采用等级或品质低于约85重量％纯的硅。在另外的具体实施方案中，该方法采用等级或品质低于约80重量％纯的硅。在另外的具体实施方案中，该方法采用等级或品质低于约75重量％纯的硅。在另外的具体实施方案中，该方法采用等级或品质低于约70重量％纯的硅。在另外的具体实施方案中，该方法采用等级或品质低于约65重量％纯的硅。在另外的具体实施方案中，该方法采用等级或品质低于约60重量％纯的硅。
[0073]在具体实施方案中，形成熔融液体的硅包括从硅纯化过程中回收利用的硅。
[0074]在具体实施方案中，该方法采用可以包括冶金级(MG)硅的硅201。在另外的具体实施方案中，硅201可以包括高级冶金级(MG)硅。
[0075]在具体实施方案中，由硅和熔剂形成熔融液体，使得最初形成硅的熔融液体，然后将熔剂添加到所述熔融液体。在另外的具体实施方案中，由硅和熔剂形成熔融液体，使得最初使固体硅与熔剂接触，然后将其一起加热以形成所述熔融液体。
[0076]在具体实施方案中，可以以约25:1至约5:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。在另外的具体实施方案中，可以以约20:1至约7:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。在另外的具体实施方案中，可以以约15:1至约10:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。
[0077]在具体实施方案中，可以以至少约5:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。在另外的具体实施方案中，可以以至少约10:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。在另外的具体实施方案中，可以以至少约15:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。在另外的具体实施方案中，可以以至少约20:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。在另外的具体实施方案中，可以以至少约25:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。
[0078]在具体实施方案中，可以以至多约25:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。在另外的具体实施方案中，可以以至多约20:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。在另外的具体实施方案中，可以以至多约15:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。在另外的具体实施方案中，可以以至多约10:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。在另外的具体实施方案中，可以以至多约5:1的硅与熔剂的重量比来采用硅和熔剂。
[0079]在具体实施方案中，在至少约1420°C的温度下形成熔融液体。在另外的具体实施方案中，在至少约1450°C的温度下形成熔融液体。在另外的具体实施方案中，在至少约1500°C的温度下形成熔融液体。在另外的具体实施方案中，在至少约1550°C的温度下形成熔融液体。
[0080]在具体实施方案中，在高于固相线温度的温度下形成熔融液体。在另外的具体实施方案中，在高于液相线温度的温度下形成熔融液体。
[0081]在具体实施方案中，熔渣包含熔剂与来自硅的杂质的产物。在另外的具体实施方案中，熔渣包含熔剂与来自硅的杂质的反应产物。在另外的具体实施方案中，熔渣包含来自娃的杂质。
[0082]在具体实施方案中，熔渣形成在熔融液体的表面上。在另外的具体实施方案中，熔渣形成在熔融液体的表面上，然后将其从熔融液体中去除。
[0083]在具体实施方案中，该方法还包括定向凝固纯化的熔融液体以形成固体硅。在另外的具体实施方案中，通过冷却纯化的熔融液体来进行定向凝固。在另外的具体实施方案中，通过将纯化的熔融液体冷却至低于纯化的熔融液体的液相线温度的温度来进行定向凝固。在另外的具体实施方案中，将纯化的熔融液体冷却至高于纯化的熔融液体的固相线温度并低于纯化的熔融液体的液相线温度。
[0084]在具体实施方案中，保持纯化的熔融液体的顶部部分高于熔点，同时将纯化的熔融液体的底部部分冷却至低于熔点。在另外的具体实施方案中，加热纯化的熔融液体的顶部部分，同时冷却纯化的熔融液体的底部部分。
[0085]在具体实施方案中，通过冷却在定向凝固模具的底部部分处的纯化的熔融液体来进行定向凝固。在另外的具体实施方案中，通过冷却在定向凝固模具的底部部分处的纯化的熔融液体，并通过加热在定向凝固模具的顶部部分处的纯化的熔融液体来进行定向凝固。在另外的具体实施方案中，通过以小于约75°C /小时的速率冷却在定向凝固模具的底部部分处的纯化的熔融液体来进行定向凝固。
[0086]在具体实施方案中，通过将纯化的熔融液体冷却至比纯化的熔融液体的固相线温度高约125°C以内，从而进行定向凝固。在另外的具体实施方案中，通过将纯化的熔融液体冷却至比纯化的熔融液体的熔点高约125°C以内，从而进行定向凝固。在另外的具体实施方案中，通过在至少约18小时的时间段内冷却纯化的熔融液体来进行定向凝固。
[0087]在具体实施方案中，熔剂存在于用于形成包含硅的熔融液体的容器的