方法等。另外，作为支撑的材料，例如使用玻璃、金 属、娃或树脂等。运些可W单独使用，也可W适时组合两种W上的材料使用。而且，也可W 将脱模剂等涂布于支撑材料500,在其上粘贴透明树脂基板100进行固定。在一种或多种实 施方式中，将本发明的聚酷胺溶液涂布在支撑材料500上，通过干燥等形成聚酷胺膜100。 阳136] 2.阻气层制作工序
[0137]在阻气层制作工序中，在透明树脂基板100上制作阻气层101。制作的方法没有特 别的限定，能够使用公知的方法。 阳13引3.薄膜晶体管制作工序
[0139] 在薄膜晶体管制作工序中，在阻气层上制作薄膜晶体管B。制作的方法没有特别的 限定，能够使用公知的方法。
[0140] 4.有机化层制作工序 阳141] 有机化层制作工序包括第一工序和第二工序。在第一工序中，形成平坦化层301。 作为形成平坦化层301的方法，对感光性透明树脂可W列举旋涂法、狭缝涂布法、喷墨法 等。此时，为了在第二工序中形成连接部300,需要预先在平坦化层301设置开口部。平坦 化层的膜厚通常为100皿~2μm左右，但是并不限定于此。 阳142]在第二工序中，首先同时形成连接部300和下部电极302。作为形成运些的方法， 可W列举瓣射法、真空蒸锻法、离子锻法等。运些电极的膜厚，通常为50皿~200皿左右， 但是，并不限定于此。此后，形成空穴输送层303、发光层304、电子输送层305、W及作为有 机化元件1的阴极的上部电极306。作为形成运些的方法，能够使用真空蒸锻法或涂布法 等、适合所使用的材料和叠层结构的方法。另外，有机化元件1的有机层的结构，不限于本 实施例的记载，也可W取舍选择其他空穴注入层、电子输送层、空穴阻挡层、电子阻挡层等、 公知的有机层。 阳143] 5.封装工序
[0144] 在封装工序中，有机化层C通过封装部件307从上部电极306上被封装。作为封 装部件307,能够由玻璃、树脂、陶瓷、金属、金属化合物或者它们的复合体等形成，能够适时 选择最佳的材料。 阳145] 6.剥离工序 阳146]在剥离工序中，将制作的有机化元件1从支撑材料500剥离。作为实现剥离工序 的方法，可W列举例如物理性地从支撑材料500剥离的方法。此时，也可W在支撑材料500 上设置剥离层，也可W在支撑材料500与显示元件之间插入金属线（wire)进行剥离。另外， 作为其它方法，可W列举：并非仅在支撑材料500的端部设置剥离层，而是在元件制作后从 端部切断内侧，取出元件的方法；在支撑材料500与元件之间设置由娃层等形成的层，通过 照射激光进行剥离的方法；对支撑材料500加热，将支撑材料500与透明基板分离的方法； 利用溶剂除去支撑材料500的方法等。运些方法可W单独使用，也可W组合任意的多种方 法使用。在一种或多种实施方式中，聚酷胺膜与支撑材料之间的粘接能够利用硅烷偶联剂 进行控制，由此有机化元件1能够物理性地剥离，而不使用上述复杂工序。
[0147] [显示装置、光学装置、照明装置]
[0148] 本发明在其方式中，设及使用了本发明的显示器用元件、光学用元件或照明用元 件的显示装置、光学装置或照明装置，另外也设及了它们的制造方法。并不限定于运些，作 为上述显示装置，可W列举摄像元件等，作为光学装置，可W列举光/电复合电路等，作为 照明装置，可W列举TFT-LCD、0化照明等。 阳1例[传感器元件]
[0150] 在本发明中/M专感器元件"是能够用于输入设备的传感器元件。作为"传感器元 件"，在未被限定的一种或多种实施方式中，可W列举能够接收电磁波的传感器元件、能够 检测出磁场的传感器元件，在一种或多种实施方式中，可W列举摄像元件、放射线传感器元 件、光传感器元件或磁传感器元件。作为上述放射线传感器元件，在一种或多种实施方式 中，可W列举X射线传感器元件。本发明中的传感器元件，在一种或多种实施方式中，包括 使用本发明的聚酷胺溶液制得的传感器元件、和/或、使用本发明的叠层复合材料制得的 传感器元件、和/或、通过本发明中的元件的制造方法制得的传感器元件。另外，本发明中 的传感器元件的形成，在一种或多种实施方式中，包括形成光电转换元件及其驱动元件。 阳151][输入设备] 阳152] 在本发明中，作为使用"传感器元件"的输入设备，在一种或多种实施方式中，可W列举光学的、摄像或磁性的输入设备。作为该输入设备，在未被限定的一种或多种实施方式 中，可W列举放射线的摄像装置、可见光的摄像装置、磁性传感器设置。作为上述放射线的 摄像装置，在一种或多种实施方式中，可W列举X射线的摄像装置。另外，本发明中的输入 设备，在未被限定的一种或多种实施方式中，也可W具有作为显示器功能等的输出设备的 功能。因此，本发明在其它方式中，设及使用了通过本方式的制造方法制得的传感器元件的 输入设备、及其制造方法。 阳153] <传感器元件的未被限定的一种实施方式>
[0154] W下利用图3对能够利用本方式的制造方法制造的传感器元件的一种实施方式 进行说明。
[0K5] 图3是表示一种实施方式的传感器元件1的截面示意图。传感器元件1具有多个 像素。该传感器元件10,在基板2的表面形成包括多个光电二极管11A(光电转换元件）和 作为该光电二极管11A的驱动元件的薄膜晶体管（TFT:ThinFilm化ansistoiOllB的像素 电路。该基板2为通过本方式的制造方法的工序（A)在支撑材料（未图示）上形成的聚酷 胺膜。并且，在本发明的制造方法的工序度）中，形成光电二极管11A(光电转换元件）和 作为该光电二极管11A的驱动元件的薄膜晶体管11B。
[0156] 栅极绝缘膜21设置在基板2上，例如利用由氧化娃（Si〇2)膜、氧氮化娃（SiON) 膜W及氮化娃膜（SiN)中的一种形成的单层膜或由它们中的两种W上形成的叠层膜构成。 第一层间绝缘膜12A设置在栅极绝缘膜21上，例如由氧化娃膜或氮化娃膜等绝缘膜形成。 该第一层间绝缘膜12A还起到作为后述的覆盖薄膜晶体管11B上的保护膜（纯化膜）的功 能。 阳巧7](光电二极管11A)
[0158] 光电二极管11A经由栅极绝缘膜21和第一层间绝缘膜12A设置在基板2上的选择 性的区域。具体而言，光电二极管11A中，在第一层间绝缘膜12A上依次叠层下部电极24、n型半导体层25N、i型半导体层25I、p型半导体层25P和上部电极26。上部电极26例如为 用于将光电转换时的基准电位（偏置电位）向上述的光电转换层供给的电极，与作为基准 电位供给用的电源配线的配线层27连接。该上部电极26例如由口0(lndiumTinOxide) 等透明导电膜构成。 阳159](薄膜晶体管11B) 阳160] 薄膜晶体管11B例如由场效应晶体管（阳T:FieldEffectTransistor)构成。在 该薄膜晶体管11B中，在基板2上形成有例如由铁灯i)、Al、Mo、鹤（W)、铭（化）等形成的栅 电极20,在该栅电极20上形成有上述的栅极绝缘膜21。另外，在栅极绝缘膜21上形成有 半导体层22,该半导体层22具有沟道区域。在该半导体层22上形成有源电极23S和漏电 极23D。具体而言，在此，漏电极23D与光电二极管11A中的下部电极24连接，源电极23S 与中继电极（relayelectrode) 28连接。 阳161] 在传感器元件1中，在运样的光电二极管11A和薄膜晶体管11B的上层还依次设 置有第二层间绝缘膜12B、第一平坦化膜13A、保护膜14和第二平坦化膜13B。另外，在该第 一平坦化膜13A上，与光电二极管11A的形成区域附近对应，形成有开口部3。 阳162] 在传感器元件1上，例如，能够通过形成波长转换部件，制作放射线摄像装置。
[0163] 关于上述的实施方式，本发明还公开了W下的组合物、制造方法或用途。
[0164]< 1 >一种聚酷胺的制造方法，包括下述工序（a)~（C)，
[01化]工序（a):将二胺溶解于非酷胺系有机溶剂中，
[0166] 工序化）：将二酷氯添加到工序（a)中得到的溶液中，使二胺和二酷氯反应，得到 聚酷胺，
[0167] 工序（C):在工序化）中，在添加至少一部分的二酷氯后或与添加同时，添加能够 捕集盐酸的捕集试剂，
[0168] < 2 >-种聚酷胺的制造方法，包括下述工序（a')~（C')，
[0169] 工序（a'):将二胺溶解于含有10质量％ ^下的酷胺系有机溶剂的非酷胺系有机 溶剂中，
[0170] 工序化：将二酷氯添加到工序（a')中得到的溶液中，使二胺和二酷氯反应， 得到聚酷胺， 阳171] 工序（C'):在工序化'）之前、与工序化'）的开始同时、W及工序化'）期 间中的至少任一时刻，添加能够捕集盐酸的捕集试剂。 阳172] < 3 >如< 1 >或< 2 >所述的制造方法，其中，非酷胺系有机溶剂为非质子性溶 剂。 阳17引 < 4 >如< 1 >至< 3 >中任一项所述的制造方法，其中，非酷胺系有机溶剂为 丫-下内醋、α-甲基-丫-下内醋或它们的混合物。
[0174] <5>如<1>至<4>中任一项所述的制造方法，其中，聚酷胺W溶解于溶剂的 聚酷胺溶液的形式而得到。 阳17引 <6>如< 1 >至< 5 >中任一项所述的制造方法，其中，捕集试剂为氧化丙締。 阳176] < 7 >如< 1 >至<6>中任一项所述的制造方法，其中，二酷氯选自下述化合物 W及它们的组合， 阳 177]
阳17引[在上述式中，P= 4、q=3，而、1?2、1?3、34、35选自氨、面素、烷基、取代烷基、硝基、氯 基、硫代烷基、烷氧基、取代烷氧基、芳基、取代芳基、烷基醋、取代烷基醋W及它们的组合， Gi选自共价键、CH2基、C(CH3)基、C(CF3)2基、C(CX3)2基（其中，X为面素）、C0基、0原子、 S原子、S02基、Si(CH3)2基、9, 9-巧基、取代9, 9-巧基W及0Z0基，Z为芳基或取代芳基。] 阳179] <8>如< 1 >至< 7 >中任一项所述的制造方法，其中，二酷氯选自对苯二甲酯 氯、间苯二甲酯氯、2,6-糞二酷氯、4, 4'-联苯基二酷氯、四氨对苯二甲酯氯W及它们的组 合。
[0180] < 9 >如< 1 >至<8