外，利用同样的方法进行实 验，得到化合物3。进行质谱分析，结果，相对于化合物3的分子量519, m/e = 519。
[0264] 合成例4 (化合物4的合成）
合成例1中，代替原料化合物（A)，使用利用已知的方法合成的上述原料化合物（C)，除 此之外，利用同样的方法进行实验，得到化合物4。进行质谱分析，结果，相对于化合物4的 分子量 443，m/e = 443。
[0265] 合成例5 (化合物5的合成）
[化学式89]
合成例4中，代替原料化合物（C)，使用利用已知的方法合成的上述原料化合物（D)，除 此之外，利用同样的方法进行实验，得到化合物5。进行质谱分析，结果，相对于化合物5的 分子量 519，m/e = 519。
[0266] 合成例6 (化合物6的合成）
合成例3中，代替原料化合物（B)，使用利用已知的方法合成的上述原料化合物（E)，除 此之外，利用同样的方法进行实验，得到化合物6。进行质谱分析，结果，相对于化合物6的 分子量 593，m/e = 593。
[0267] 合成例7 (化合物7的合成）
合成例6中，代替原料化合物（E)，使用利用已知的方法合成的上述原料化合物（F)，除 此之外，利用同样的方法进行实验，得到化合物7。进行质谱分析，结果，相对于化合物7的 分子量 669，m/e = 669。
[0268] 合成例8 (化合物8的合成）
[化学式92]
合成例7中，代替原料化合物（F)，使用利用已知的方法合成的上述原料化合物（G)，除 此之外，利用同样的方法进行实验，得到化合物8。进行质谱分析，结果，相对于化合物8的 分子量 669，m/e = 669。
[0269] 合成例9 (化合物9的合成）
合成例1中，使用利用已知的方法从原料化合物（A)合成的上述原料化合物（H)2等量 代替原料化合物（A)，并且使用利用已知的方法合成的3,8-二溴荧蒽代替3-荧蒽硼酸，除 此之外，利用同样的方法进行实验，得到化合物9。进行质谱分析，结果，相对于化合物9的 分子量 684, m/e = 684。
[0270] 合成例10 (化合物10的合成）
合成例1中，使用原料化合物（A)和利用已知的合成法(例如，参照国际公开第 2008/078824号p. 68参照）得到的化合物（I)，除此之外，利用同样的方法得到化合物10。 进行质谱分析，结果，相对于化合物10的分子量444, m/e = 444。
[0271] 实施例1 (有机EL元件的制造和评价） 将25mmX75mmX厚度I. Imm的带有ITO透明电极的玻璃基板（^才7亍4 y夕株式会 社制）在异丙醇中进行5分钟超声波洗涤，然后，进行30分钟UV臭氧洗涤。使ITO透明电 极的厚度为IOOnm0
[0272] 将洗涤后的带有透明电极线的玻璃基板装载于真空蒸镀装置的基板架，首先，在 形成有透明电极线的面上，以覆盖上述透明电极的方式蒸镀下述受主材料（K-1 )，形成膜厚 5nm的受主层的膜。在该受主层上，蒸镀下述芳族胺化合物HT-1，形成膜厚220nm的第一空 穴传输层的膜。在进行了第一空穴传输层的成膜后，蒸镀下述化合物HT-2,形成膜厚IOnm 的第二空穴传输层的膜。
[0273] 接下来，在该第二空穴传输层上，共蒸镀合成例1中得到的化合物1 (主体材料)和 下述化合物RD-I (掺杂剂材料)，形成膜厚40nm的共蒸镀膜。化合物RD-I的浓度为5. 0质 量％。该共蒸镀膜作为发光层发挥功能。
[0274] 而后，在该发光层上，二元蒸镀下述化合物ET-I (50质量％)和作为还原性掺杂剂 的Liq (8-羟基喹啉锂）（50质量％)，形成膜厚36nm的ET-I膜，形成电子传输层。
[0275] 接下来，在该ET-I膜上，以0. 1埃/min的成膜速度蒸镀LiF，形成膜厚Inm的LiF 膜，形成电子注入性电极(阴极)。
[0276] 而且，在该LiF膜上，蒸镀金属Al，形成膜厚80nm的金属Al膜，形成金属Al阴极， 制造有机EL元件。
[0277] (有机EL元件的评价） 通过直流电流驱动使制造的有机EL元件发光，求出电流密度10mA/cm2时的驱动电压 (V)，进行外部量子效率（EQE)的评价。结果示于表1。
[0278] [化学式％]
[0279] 比较例1~2 (有机EL元件的制造） 实施例1中，使用表1中记载的化合物代替化合物1而形成发光层，除此之外，与实施 例1同样地操作，制作有机EL元件。驱动电压和外部量子效率（EQE)的测定结果示于表1。
[0282] 对于使用了 2个咔唑基取代荧蒽骨架、并且在咔唑基的9位取代的比较化合物I 的比较例1而言，与实施例1相比，驱动电压大幅上升，而且外部量子效率也大幅降低。
[0283] 与使用了荧蒽骨架为1个的化合物1的实施例1相比，使用了荧蒽骨架为2个的 比较化合物2的比较例2中，驱动电压也大幅上升，而且外部量子效率也大幅降低。
[0284] 对于得到上述那样的结果的原因推测如下。即，对于比较化合物1这样的具有2个 咔唑骨架、并且在该咔唑的9位键合荧蒽的化合物（比较化合物1)而言，存在电离电势（Ip) 变深(变大）的倾向（比较化合物1的电离电势~6. OeV)，因此推测：空穴注入性降低，载流 子平衡扰乱，驱动电压上升，发光效率降低。另外，对于具有2个荧蒽骨架的化合物（比较化 合物2)而言，与上述化合物1这样的荧蒽骨架为1个的化合物相比，存在电离电势变深(变 大)，并且电子亲和力（Af )变浅(变小）的倾向，因此推测：空穴注入性降低，并且，电子注入 性也降低，因此，驱动电压上升，发光效率降低。
[0285] 附图标记说明 1有机电致发光元件 2基板 3阳极 4阴极 5磷光发光层 6空穴传输层 7电子传输层 10有机薄膜层
【主权项】
1. 下述式（1)表示的化合物， [化学式1][式（1)中，χ?~X1°各自独立地表示C-R(R表示氨原子、取代基或与L键合的单键） 或氮原子； L表示单键、取代或未取代的成环碳数6~30的亚芳基、取代或未取代的成环原子数 5~30的亚杂芳基、或该亚芳基与该亚杂芳基W2~4个键合而成的2价的基团； Ri~RS各自独立地表示氨原子、氣原子、取代或未取代的碳数1~20的烷基、取代或未 取代的成环碳数3~20的环烷基、取代或未取代的碳数1~20的烷氧基、取代或未取代的 成环碳数6~30的芳基氧基、取代或未取代的碳数1~20的烷基硫基、取代或未取代的成 环碳数6~30的芳基硫基、一Si(R?)3表示的甲娃烷基[R?为氨原子、碳数1~30的烧 基或成环碳数6~60的芳香族控基；3个R?分别可W相同也可W不同；]、取代或未取代 的碳数2~30的烷基氨基、取代或未取代的成环碳数6~60的芳基氨基、取代或未取代的 成环碳数6~30的芳基、或取代或未取代的选自化咯基、巧喃基、嚷吩基、化晚基、咪挫并化 晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、Ξ嗦基、咪挫基、嗯挫基、嚷挫基、化挫基、异嗯挫基、异嚷挫 基、嗯二挫基、嚷二挫基、Ξ挫基、四挫基、吗I噪基、异吗I噪基、苯并巧喃基、异苯并巧喃基、苯 并嚷吩基、异苯并嚷吩基、吗I噪嗦基、哇嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、增嘟基、献嗦基、哇挫嘟基、 哇喔嘟基、苯并咪挫基、苯并嗯挫基、苯并嚷挫基、吗I挫基、苯并异嗯挫基、苯并异嚷挫基、二 苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、吩嚷嗦基、吩嗯嗦基和咕吨 基中的杂芳基、或与L键合的单键； R9表示氨原子、取代或未取代的碳数1~20的烷基、取代或未取代的成环碳数3~20 的环烷基、取代或未取代的成环碳数6~30的芳基、取代或未取代的成环原子数5~30的 杂芳基； η表示1~4的整数；η为2~4的整数时，存在有多个的由括号所包围的基团分别可W相同也可W不同；其中，通式（1)表示的化合物所具有的巧蔥结构为1个]。2. 根据权利要求1所述的化合物，其中，式（1)中，选自X1~X1°中的至少1个为氮原 子。3. 根据权利要求1所述的化合物，其中，X8表示C-R，该R为与L键合的单键。4. 根据权利要求1所述的化合物，其中，X2表示C-R，该R为与L键合的单键。5. 根据权利要求1所述的化合物，其由下述式（Γ)表示， [化学式2](式（1'）中， L表示单键、取代或未取代的成环碳数6~30的亚芳基、取代或未取代的成环原子数 5~30的亚杂芳基、或该亚芳基与该亚杂芳基W2~4个键合而成的2价的基团； Ri~RS各自独立地表示氨原子、氣原子、取代或未取代的碳数1~20的烷基、取代或未 取代的成环碳数3~20的环烷基、取代或未取代的碳数1~20的烷氧基、取代或未取代的 成环碳数6~30的芳基氧基、取代或未取代的碳数1~20的烷基硫基、取代或未取代的成 环碳数6~30的芳基硫基、一Si(R?)3表示的甲娃烷基[R?为氨原子、碳数1~30的烧 基或成环碳数6~60的芳香族控基；3个R?分别可W相同也可W不同；]、取代或未取代 的碳数2~30的烷基氨基、取代或未取代的成环碳数6~60的芳基氨基、取代或未取代的 成环碳数6~30的芳基、或取代或未取代的选自化咯基、巧喃基、嚷吩基、化晚基、咪挫并化 晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、Ξ嗦基、咪挫基、嗯挫基、嚷挫基、化挫基、异嗯挫基、异嚷挫 基、嗯二挫基、嚷二挫基、Ξ挫基、四挫基、吗I噪基、异吗I噪基、苯并巧喃基、异苯并巧喃基、苯 并嚷吩基、异苯并嚷吩基、吗I噪嗦基、哇嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、增嘟基、献嗦基、哇挫嘟基、 哇喔嘟基、苯并咪挫基、苯并嗯挫基、苯并嚷挫基、吗I挫基、苯并异嗯挫基、苯并异嚷挫基、二 苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、吩嚷嗦基、吩嗯嗦基和咕吨 基中的杂芳基、或与L键合的单键； R9表示氨原子、取代或未取代的碳数1~20的烷基、取代或未取代的成环碳数3~20 的环烷基、取代或未取代的成环碳数6~30的芳基、取代或未取代的成环原子数5~30的 杂芳基； η表示1~4的整数；η为2~4的整数时，存在有多个的由括号所包围的基团分别可W相同也可W不同；其中，通式（1'）表示的化合物所具有的巧蔥结构为1个)。6. 根据权利要求5所述的化合物，其由下述式（Γ- 1)表示， [化学式3](式（1' 一 1)中，L、r1~R9和η与上述定义相同）。7. 根据权利要求5所述的化合物，其由下述式（Γ- 2)表示， [化学式4](式（Γ-2)中，L、Ri~R9和η与上述定义相同）。8. 根据权利要求1~7中任一项所述的化合物，其中，上述η为1或2。9. 根据权利要求1~8中任一项所述的化合物，其中，R3为与L键合的单键。10. 根据权利要求1~8中任一项所述的化合物，其中，R2为与L键合的单键。11. 根据权利要求1~10中任一项所述的化合物，其中，R9为取代或未取代的成环碳 数6~30的芳基。12. 根据权利要求1~11中任一项所述的化合物，其中，R9为取代或未取代的苯基、取 代或未取代的联苯基、取代或未取代的Ξ联苯基、取代或未取代的糞基、取代或未取代的蔥 基或取代或未取代的巧基。13. 根据权利要求1~11中任一项所述的化合物，其中，R9为取代或未取代的成环原 子数5~30的杂芳基。14. 根据权利要求1~13中任一项所述的化合物，其中，L为单键或取代或未取代的成 环碳数6~30的亚芳基。15. 根据权利要求1~13中任一项所述的化合物，其中，L为单键、或取代或未取代的 亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚Ξ联苯基、取代或未取代的亚糞基、 取代或未取代的亚蔥基或取代或未取代的亚巧基。16. 有机电致发光元件用材料，其是包含权利要求1~15中任一项所述的化合物。17. 有机电致发光元件，其中，在阴极与阳极之间具有包含发光层的多层有机薄膜层， 上述有机薄膜层中的至少1层包含权利要求1~15中任一项所述的化合物。18. 根据权利要求17所述的有机电致发光元件，其中，上述发光层含有上述化合物。19. 根据权利要求18所述的有机电致发光元件，其中，上述发光层还含有憐光材料。20. 根据权利要求19所述的有机电致发光元件，其中，上述憐光材料为选自银（Ir)、饿 (Os)和销（Pt)中的金属原子的邻位金属化络合物。21. 根据权利要求17~20中任一项所述的有机电致发光元件，其中，在阴极与发光层 之间具有电子注入层，该电子注入层包含含氮环衍生物。22. 根据权利要求17~21中任一项所述的有机电致发光元件，其中，在阳极与发光层 之间具有空穴传输层，该空穴传输层包含芳香族胺化合物。23. 根据权利要求22所述的有机电致发光元件，其中，上述空穴传输层包括2层。24. 根据权利要求22或23所述的有机电致发光元件，其在阳极与空穴传输层之间具有 受主层，所述受主层含有受主材料。25. 根据权利要求17~24中任一项所述的有机电致发光元件，其中，在阴极与有机薄 膜层的界面含有还原性渗杂剂。26. 电子设备，其具有权利要求17~25中任一项所述的有机电致发光元件。
【专利摘要】本发明提供式（1）表示的具有荧蒽骨架的化合物；有机电致发光元件，其在阴极与阳极之间具有多层有机薄膜层，所述多层有机薄膜层包含发光层，上述有机薄膜层中的至少1层包含该化合物；以及电子设备，其具有该有机电致发光元件。上述有机电致发光元件可利用更低的电压驱动，发光效率高。［式（1）中，X1~X10？L？R1~R9？n分别如说明书中所记载。］
【IPC分类】C07D209/86, C07D401/04, C09K11/06, H01L51/50
【公开号】CN105408311
【申请号】CN201480043471
【发明人】羽毛田匡, 河村昌宏, 水木由美子, 伊藤裕胜, 羽山友治
【申请人】出光兴产株式会社
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2014年10月1日
【公告号】WO2015050173A1