技术特征：
技术总结
本申请涉及微机电系统(MEMS)元件的用于改善可靠性的介电包覆。在所描述的示例中，一种形成微机电器件的方法包括：在衬底上形成(102)包括导电层的第一金属层；在第一金属层上形成(104)第一介电层，其中第一介电层包括一个或多个单独的介电层；在第一介电层上形成(106)牺牲层；在牺牲层上形成(108)第二介电层；在第二介电层上形成(110)第二金属层；以及移除(112)牺牲层以便在第二介电层与第一介电层之间形成间隔。移除牺牲层使得第二介电层能够在至少一个方向上相对于第一介电层移动。
技术研发人员：S·J·雅各布斯;M·N·斯樱;K·J·泰勒
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：2017.12.28
技术公布日：2018.07.10