一种压阻式MEMS温度传感器的制作方法

技术特征：

1.一种压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：所述压阻式MEMS温度传感器采用双层膜结构，上层为热膨胀系数较大的金属铝膜，下层为SOI器件层的半导体硅，硅的表面进行离子注入，在半导体硅的表面设置四个扩散电阻，组成惠斯通电桥。

2.根据权利要求1所述的压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：将惠斯通电桥的四个电阻布置在不同的四个悬臂梁的相同位置，引线将四个电阻连接成惠斯通电桥。

3.根据权利要求2所述的压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：其采用悬臂梁式结构。

4.根据权利要求3所述的压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：所述电阻的位置在距离悬臂梁固定端20μm处。

5.根据权利要求4所述的压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：所述悬臂梁的长度L为500μm，宽度为50μm，铝层厚度为1.5μm，硅层厚度为8μm。

6.根据权利要求1-5任意一种所述的压阻式MEMS温度传感器，其特征在于：所述的压阻式MEMS温度传感器用于开关柜温度监测。