技术总结
本发明公开了一种热电堆红外探测器制备过程释放薄膜的工艺，在需要释放的区域预先制作一层容易腐蚀的金属层，依次生成氮化硅层、多晶硅层、电极及二氧化硅层，然后把易腐蚀的金属层快速腐蚀掉，再用气体腐蚀方法把下面Si层腐蚀一定深度形成悬浮窗空腔，如此可使热电堆所在的薄膜层完全干净释放出来，做成一致性非常好热电堆单元，成品率极大提高，而且工艺简单、工作效率高。工作效率高。工作效率高。
技术研发人员：汪民 许玉方 李朗 汪洋
受保护的技术使用者：广州德芯半导体科技有限公司
技术研发日：2020.09.29
技术公布日：2021/1/23