声表面波传感器的制作方法

文档序号:11131649阅读:来源:国知局
技术总结
本发明提供一种声表面波传感器,所述传感器由Si衬底、SiO2缓冲层、换能器IDT、ZnO薄膜组成多层结构,所述多层结构从上之下依次为ZnO薄膜、换能器IDT、SiO2缓冲层及Si衬底,所述换能器IDT为同心环形结构。本发明能够有效减少声表面波向自由空间的衍射现象,减少压电基片各向异性对声电转换的影响,从而提高声电转换效率;同时可以用于生物检测的液相检测环境。

技术研发人员:徐静波;张海英
受保护的技术使用者:中国科学院微电子研究所
文档号码:201610727889
技术研发日:2016.08.25
技术公布日:2017.02.15

当前第3页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1