技术总结
本发明涉及测量氯硅烷中痕量磷杂质含量的样品预处理装置及方法，装置依次设置有氮气供应装置、加热蒸发装置、水解装置、过滤装置、溶解装置和收集装置：氮气供应装置中设置有氮气钢瓶和节流阀，加热蒸发装置设置有加热蒸发器和加热套，水解装置设置有水解反应器和锥形气体分布器，过滤装置设置有布氏漏斗和抽滤瓶，溶解装置设置有溶解器和磁力搅拌器，收集装置设置有容量瓶，待处理四氯化硅液经四氯化硅入口进入并有节流阀控制流量。与利用ICP‑MS方法相比，本发明工艺设备简单，仅通过简易装置和紫外分光光度计即可实现四氯化硅中痕量磷杂质的检测，大大缩短送样及预约ICP‑MS等仪器时间，对于高校等研究院所，检测便利性优势明显。
技术研发人员：黄国强;刘帅峰;张卿成
受保护的技术使用者：天津大学
文档号码：201611039284
技术研发日：2016.11.21
技术公布日：2017.05.10