技术特征：
技术总结
本发明提供一种线性霍尔集成电路在弱磁检测传感器中的应用方法，具体步骤如下：步骤一，设定单片机的对比阀值V阈；步骤二，单片机初始化，读取霍尔IC的静态输出电压VOUT并记为V0；步骤三，单片机每隔时间T检测一遍VOUT，如果VOUT‑V0大于设定阈值V阈，则判定感应到S极有效磁场；如果VOUT‑V0小于‑V阈则判定感应到N极有效磁场；否则继续循环检测。本发明中的传感器结构简单，判断的精确度高、可靠性好，能够检测到现有霍尔开关芯片难以检测到的5‑20GS的弱磁磁场，使得胶磁等成本较低的弱磁材料得到广泛的应用，降低了成本。
技术研发人员：许洪彦
受保护的技术使用者：深圳市晶丰弘实业有限公司
技术研发日：2019.03.26
技术公布日：2019.05.31