1.一种具有纳米多孔结构的气敏传感器元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
s1、将聚合物覆膜自组装在覆盖在微加热平台的芯片上的叉指电极上，得到所述叉指电极经过覆膜的模板基础层；
s2、对所述模板基础层采用纳米压印方法得到规整的纳米模板结构，所述纳米模板结构具有纳米多孔阵列结构层，所述纳米模板结构上残留有残余模板剂；
s3、去除所述纳米模板结构上的纳米压印残留层以使所述叉指电极层裸露在空气层且成为气敏材料成膜载体；
s4、在所述气敏材料成膜载体上制备金属离子掺杂氧化物薄膜作为气体敏感材料层；
s5、对所述芯片去除所述残余模板剂，得到具有纳米多孔结构的气敏传感器元件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s1中，所述聚合物覆膜通过lb膜法、溶液蒸发法、旋涂法或者浸涂法中的一种进行自组装。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述旋涂法包括以下步骤：
将热塑性聚合物溶解在溶剂中，得到聚合物溶液；
采用旋涂法将所述聚合物溶液旋涂至所述微加热平台，得到所述聚合物薄膜；
静置后将涂有所述聚合物薄膜的所述叉指电极加热。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s2包括以下步骤：
在预设压力下将多孔阳极氧化铝模板的多孔结构复制在所述聚合物薄膜上；
进行保压操作，得到所述纳米多孔阵列结构层；
对所述多孔阳极氧化铝模板进行降温；
对所述多孔阳极氧化铝模板和所述芯片进行脱模。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述的对所述多孔阳极氧化铝模板进行降温的步骤中，采用所述多孔阳极氧化铝模板的冷凝水系统进行降温。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述的对所述多孔阳极氧化铝模板和所述芯片进行脱模的步骤中，脱模角度为10°-45°。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s3中通过等离子干法刻蚀法去除所述纳米压印残留层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s4中通过磁控溅射方法、溶胶凝胶方法、原子层淀积方法、脉冲激光沉积和化学气相沉积中的一种制备得到所述金属离子掺杂氧化物薄膜。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述磁控溅射方法包括以下步骤：
在所述气敏材料成膜载体上沉积ag掺杂的sno2薄膜，厚度为10nm-400nm，掺杂浓度为1at％-10at％。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s5中，通过超声清洗去除所述残余模板剂。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s5中包括：
s51、去除所述残余模板剂；
s52、对去除所述残余模板剂的所述芯片进行高温烧结。
12.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述多孔阳极氧化铝模板采用经过多步骤扩孔和氧化而得到的v形多孔阳极氧化铝模板，所述多孔阳极氧化铝模板的深宽比为2:1。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s2中的纳米压印方法包括热压印和冷压印。