m)、钛 / 铜金属膜(Ti under Cu metal film)、铜/铜金属膜或钛钨/金金属膜(T1-W under Au)等，但不以此为限。
[0054]然后，如图3C及图4所示，于步骤S42中，形成光致抗蚀剂层13于籽晶层12的表面上，且进行曝光及光刻工艺以于光致抗蚀剂层13中形成沟槽图案14并暴露部分的籽晶层12，其中该曝光及光刻工艺将光掩模上的图案转移至光致抗蚀剂层13并形成该沟槽图案14。于本实施例中，光致抗蚀剂层13可为湿膜光致抗蚀剂或干膜光致抗蚀剂，其分别可利用例如涂布方式或贴覆方式将光致抗蚀剂层13形成于籽晶层12的表面上。此外，光致抗蚀剂层13所使用的光致抗蚀剂可包括正型光致抗蚀剂或负型光致抗蚀剂，其中正型光致抗蚀剂与负型光致抗蚀剂的应用与原理为现有技术，于此不再赘述。于此步骤中，可利用例如但不限于光掩模图案设计及曝光量、曝光时间等条件的控制，以形成具有特定沟槽宽度及特定沟槽深度的沟槽图案14。于本实施例中，沟槽图案14的特定沟槽宽度可介于1 μ m至20 μ m之间,其中该特定沟槽宽度以介于1 μ m至5 μ m之间为较佳，且以3 μ m以下为更佳。此外，沟槽图案14的特定沟槽深度可介于0.Ιμ??至20μπ?之间，且以介于0.Ιμ??至2μηι之间为较佳。
[0055]之后，如图3D及图4所示，于步骤S43中，以电镀方式将金属导电层15填入沟槽图案14，其中金属导电层15与暴露于沟槽图案14底部的该籽晶层12的部分接触与连接。于本实施例中，采用电镀方式将金属导电层15填入沟槽图案14具有形成速度较快且较易控制金属导电层15厚度等优点，且对于成形的金属导电层15无需进行后续的处理步骤，有利于工艺步骤的简化。于一些实施例中，金属导电层15的材料可选自铜、金、银、铝、钨、铁、镍、铬、钛、钥、铟、锡或其至少任二者以上所组成的复合材料。于一些实施例中，金属导电层15的厚度可介于0.1 μ m至20 μ m之间，且以介于0.1 μ m至2 μ m之间为较佳，并以介于0.Ιμπι至0.5μηι之间为更佳。
[0056]然后，如图3Ε及图4所示，于步骤S44中，将抗氧化层17填入沟槽图案14，且该抗氧化层17形成于金属导电层15上。于一些实施例中，抗氧化层17可为抗氧化金属层，且抗氧化层17可包含酚醛树脂、感光化合物、有机有色高分子染料、无机有色染料以及溶剂，但并不以此为限，其中无机有色染料包含金属成分。抗氧化层17可为但不限于黑色，且可用以保护金属导电层、避免金属导电层氧化及改变金属线路的色泽，以使金属线路的不可视率更为提升。
[0057]然后，如图3F及图4所示，于步骤S45中，移除光致抗蚀剂层13及移除未为该金属导电层15接触与连接的该籽晶层12的部分(即光致抗蚀剂层13原覆盖的该籽晶层12的部分)，以形成金属线路微结构18。于一些实施例中，移除光致抗蚀剂层13的方式可依据光致抗蚀剂层13为湿膜光致抗蚀剂或干膜光致抗蚀剂而分别采用蚀刻方式或剥离方式实现。此外，移除未与金属导电层15接触与连接的籽晶层12的该部分的方式可采用蚀刻方式实现，且不以此为限。于本实施例中，所制作完成的金属线路微结构18其线宽对应于沟槽图案14的该特定沟槽宽度，换言之，金属线路微结构18的线宽也可介于1 μ m至20 μ m之间，其中金属线路微结构18的线宽范围以介于Ιμπι至5μπι之间为较佳，且以3μπι以下为更佳。由于金属线路微结构18的线宽可以通过沟槽图案14的该特定沟槽宽度而控制于1 μ m至5 μ m之间，特别是可控制于3 μ m以下，因此当应用于触控面板的可视触控区域的金属线路(或金属网格)时，可使其更细微化，且可提升金属线路的透光率及不可视率。此夕卜，金属线路微结构18的线宽也可控制介于1 μ m至20 μ m之间，例如介于5 μ m至20 μ m之间，藉此也可应用于触控面板的非触控区域的金属线路，换言之，可作为触控面板边缘区域的金属引线线路。此外，金属线路微结构18的高度也可对应于沟槽图案14的深度而可介于0.Ιμπι至20 μπι之间，藉此可依据阻抗值的要求而调整金属线路微结构18的高度以控制所形成的金属线路的稳定性。
[0058]图5A至图5E显示本案第三较佳实施例的金属线路微结构制法的结构流程示意图；以及图6为本案第三较佳实施例的金属线路微结构制法的步骤流程图。本案的金属线路微结构制法包括下述步骤，首先，如图5A及图6所示，于步骤S60中，提供基板31，其中该基板31为透明基板、柔性基板或柔性透明基板，且基板31的厚度可介于但不限于20 μ m至800 μ m之间。
[0059]于一些实施例中，基板31的材料可选自聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalatem,PET)、聚謎亚酷胺(Polyetherimide,PEI)、聚苯讽(Polyphenylensulfon,PPSU)、聚酷亚胺(Polyimide, PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、环烯径类共聚物(Cyclicolefin copolymer, C0C)、液晶高分子聚合物(LiquidCrystal Polymer, LCP)、玻璃或其组合等，且不以此为限。于本实施例中，该基板31以柔性透明基板为较佳，且其材料以聚对苯二甲酸乙二酯为较佳，其具有耐冲击、不易破碎、透光率较高等特性。
[0060]接着，如图5B及图6所示,于步骤S61中，形成一籽晶层32(seed layer)于基板31的一表面。于一些实施例中，可利用沉积法形成金属膜于基板31的表面上以作为籽晶层32，其中沉积法包括但不限于溅镀法或蒸镀法，且以溅镀法为较佳。籽晶层32具有良好的导电性及与基板31的附着性，其可作为连结非金属材质的基板31与后续电镀金属导电层的界面，作为后续电镀步骤的起始层，可提升微结构的强度及导电性。此外，籽晶层32的厚度可介于5nm至100nm之间，但不以此为限，其厚度可视实际应用需求而调整。于一些实施例中，籽晶层32为金属或金属合金,较佳可选自铬/金金属膜(Cr under Au metal film)、钛 / 金金属膜(Ti under Au metal film)、钛 / 铜金属膜(Ti under Cu metal film)、铜/铜金属膜或钛钨/金金属膜(T1-W under Au)等，但不以此为限。
[0061]然后，如图5C及图6所示，于步骤S62中，形成光致抗蚀剂层33于籽晶层32的表面上，且进行曝光及光刻工艺以于光致抗蚀剂层33中形成第一沟槽图案34及第二沟槽图案35并暴露部分的籽晶层32，其中该曝光及光刻工艺将光掩模上的图案转移至光致抗蚀剂层33并形成该第一沟槽图案34及该第二沟槽图案35。于本实施例中，光致抗蚀剂层33可为湿膜光致抗蚀剂或干膜光致抗蚀剂，其分别可利用例如涂布方式或贴覆方式将光致抗蚀剂层33形成于籽晶层32的表面上。此外，光致抗蚀剂层33所使用的光致抗蚀剂可包括正型光致抗蚀剂或负型光致抗蚀剂，其中正型光致抗蚀剂与负型光致抗蚀剂的应用与原理为现有技术，于此不再赘述。于此步骤中，可利用例如但不限于光掩模图案设计及曝光量、曝光时间等条件的控制，以形成具有第一特定沟槽宽度W1的第一沟槽图案34、第二特定沟槽宽度W2的第二沟槽图案35及特定沟槽深度，且第二特定沟槽宽度W2大于第一特定沟槽宽度W1。于本实施例中，第一特定沟槽宽度W1及第二特定沟槽宽度W2可介于1 μ m至20 μ m之间，其中该第一特定沟槽宽度W1以介于1 μ m至5 μ m之间为较佳，且以3 μ m以下为更佳。该第二特定沟槽宽度W2以介于5 μ m至20 μ m之间为较佳。此外，特定沟槽深度可介于0.1 μ m至20 μ m之间，且以介于0.Ιμπι至2μηι之间为较佳。
[0062]之后，如图?及图6所示，于步骤S63中，以电镀方式分别将金属导电层36及37填入第一沟槽图案34及第二沟槽图案35，其中金属导电层36及37与暴露于第一沟槽图案34及第二沟槽图案35底部的该籽晶层32的部分接触与连接。于本实施例中，采用电镀方式分别将金属导电层36及37填入第一沟槽图案34及第二沟槽图案35具有形成速度较快且较易控制金属导电层36及