技术总结
本发明是一种非挥发性闪存的有效编程方法，其中，非挥发性闪存包含多个记忆胞，且每个记忆胞包含选择晶体管及相对的浮动晶体管，而本发明的方法包括：施加正电压到当作字线用的浮动晶体管的控制闸极，施加零电压到三重P型位阱、深N型位阱、选择晶体管的选择闸极，藉以关闭选择晶体管，最后施加中等正电压到控制晶体管的汲极。由于接面能带到能带穿隧的作用，使得在位线的接面以及三重型位阱之间所产生的电洞‑电子对中的电子会在正电场的牵引下，跳跃到浮动晶体管的浮动闸极中，因而感应较高的记忆胞临限电压，达到编程目的。
技术研发人员：王兴亚;周昇元;林志光
受保护的技术使用者：美商硅成积体电路股份有限公司
文档号码：201510685227
技术研发日：2015.10.22
技术公布日：2017.05.03