1.一种存储器器件，包括：
n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)；
硅-氧化物-氮化物-氧化物硅(SONOS)晶体管，其耦合到所述nMOSFET；以及
被隔离的扇区p-阱(SPW)，其耦合到所述nMOSFET和所述SONOS晶体管。
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中：
所述nMOSFET包括第一源极、第一栅极和第一漏极；并且
所述SONOS晶体管包括第二源极、第二栅极和耦合到所述第一源极的第二漏极。
3.根据权利要求2所述的存储器器件，还包括：
水平字线(WL)，其耦合到所述第一栅极；
水平SONOS字线(WLS)，其耦合到所述第二栅极；
竖直局部源线(SL)，其耦合到所述第二源极；以及
竖直局部位线(BL)，其耦合到所述第一漏极，所述BL被配置为在读取操作期间向所述第一漏极提供低电压。
4.根据权利要求3所述的存储器器件，还包括：
第一电压输入端，其耦合到所述WL；
第二电压输入端，其耦合到所述WLS；
第三电压输入端，其耦合到所述SL；
第四电压输入端，其耦合到所述被隔离的SPW；以及
电流输出端，其耦合到所述BL。
5.一种非易失性(NV)存储器，包括：
存储器器件的阵列，其被分为多个成对的扇区；
全局位线(GBL)，其耦合到所述多个扇区中的每一个，所述GBL被配置为在擦除操作和编程操作期间向每个各自的扇区提供高电压；以及
多个读出放大器，每个读出放大器被耦合到对应的一对扇区之间。
6.根据权利要求5所述的NV存储器，其中每个存储器器件包括：
n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)；
硅-氧化物-氮化物-氧化物硅(SONOS)晶体管，其耦合到所述nMOSFET；以及
被隔离的p-阱(SPW)，其耦合到所述nMOSFET和所述SONOS晶体管。
7.根据权利要求6所述的NV存储器，其中：
所述nMOSFET包括第一源极、第一栅极和第一漏极；以及
所述SONOS晶体管包括第二源极、第二栅极和耦合到所述第一源极的第二漏极。
8.根据权利要求7所述的NV存储器，其中每个存储器器件还包括：
第一字线(WL)，其耦合到所述第一栅极；
第二字线(WLS)，其耦合到所述第二栅极；
局部源线(SL)，其耦合到所述第二源极；以及
局部位线(BL)，其耦合到所述第一漏极，所述BL被配置为在读取操作期间向所述第一漏极提供低电压。
9.根据权利要求8所述的NV存储器，其中每个存储器器件还包括：
第一电压输入端，其耦合到所述WL；
第二电压输入端，其耦合到所述WLS；
第三电压输入端，其耦合到所述SL；
第四电压输入端，其耦合到所述被隔离的(SPW)；以及
电流输出端，其耦合到所述BL。
10.根据权利要求8所述的NV存储器，还包括被耦合在每个成对的扇区之间的多个读出放大器，所述多个读出放大器耦合到在所述成对的扇区中的每个BL。
11.根据权利要求7所述的NV存储器，其中每个读出放大器包括：
第一多路复用器(MUX)，其耦合到第一扇区中的每个存储器器件的第二源极；
第二MUX，其耦合到第二扇区中的每个存储器器件的第二源极；以及
读出放大器，其包括耦合到所述第一MUX的第一输入端、耦合到所述第二MUX的第二输入端以及耦合到所述电压输出端的输出端。
12.根据权利要求5所述的NV存储器，包括在四个成对的扇区至六十四个成对的扇区的范围内的多个成对的扇区。
13.根据权利要求12所述的NV存储器，其中所述成对的扇区中的至少一个对是所述闪速存储器的管理存储器扇区。
14.根据权利要求5所述的NV存储器，其中每个扇区包括：
多行所述存储器器件；以及
多列所述存储器器件。
15.根据权利要求14所述的NV存储器，其中：
所述多行所述存储器器件包括在2行所述存储器器件至1024行所述存储器器件的范围内的多行所述存储器器件；并且
所述多列所述存储器器件包括在八列所述存储器器件至16384列所述存储器器件的范围内的多列所述存储器器件。
16.根据权利要求15所述的NV存储器，其中每个扇区包括256行所述存储器器件和4096列所述存储器器件。
17.一种用于操作闪速存储器系统的方法，所述闪速存储器系统包括\t被分为多个成对的扇区的存储器器件的阵列、耦合到多个扇区中的每一个的全局位线(GBL)、和耦合到每个存储器器件的局部位线(BL)，所述方法包括：
在擦除操作和编程操作期间，向任何扇区或全部扇区中的BL提供高电压，所述高电压由所述GBL提供；以及
在读取操作期间从读出放大器向任何扇区或全部扇区的BL提供低电压。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括在读取操作期间防止高电压被所述GBL提供至每个扇区。
19.根据权利要求17所述的方法，其中提供所述高电压包括经由所述GBL向所选择的扇区提供第一电压以及经由所述GBL向不选择的扇区提供第二电压，其中：
在擦除操作期间所述第一电压大于所述第二电压；并且
在编程操作期间所述第二电压大于所述第一电压。
20.根据权利要求19所述的方法，其中：
在擦除操作期间所述第一高电压约为4.3伏特并且所述第二高电压约为1.2伏特；并且
在编程操作期间所述第一高电压约为-3.2伏特并且所述第二高电压约为0伏特。