技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于交叉点阵列的阻变存储器的写入方法，属于信息存储领域。本发明方法通过动态地选择最短的电压降路径来提升有效电压，降低写入延迟；通过一种区域划分方式来缩小各个区域内的写入延迟差异，以减小各个区域的写入延迟，同时保证了单元级并行度；通过一种编址与寻址方式来在物理地址和单元位置之间建立映射，使得写入延迟随着物理地址递增，有利于地址映射、内存分配与编译优化，并提供了一种并行寻址电路系统来加速寻址过程；通过一种特定的电压偏置模式来在既不同行也不同列的单元之间重叠SET和RESET过程，开发了交叉点阵列中的行级并行。本发明方法能够降低阻变存储器的写入延迟，提升写入带宽，减少写入能耗。
技术研发人员：冯丹;童薇;刘景宁;汪承宁;张扬;李艺林
受保护的技术使用者：华中科技大学
技术研发日：2017.11.03
技术公布日：2018.05.18