1.一种磁性随机存取存储器，其特征在于，包括多行存储单元，每一行包括多个存储单元，每一行的所有存储单元的源选择线相互连接后接地；每一行所有存储单元的字选择线相互连接并接入wl编码器；相邻两行存储单元之间通过交叉结构连接；最后一行存储单元通过最后一个交叉结构接解码器。
2.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其特征在于，所述解码器与敏感放大器连接。
3.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其特征在于，所述交叉结构由demuxs构成。
4.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其特征在于，所述存储单元包括mtj和cmos管，所述mtj与cmos管的漏极连接；所述cmos管的源极接源选择线；所述cmos管的漏极接字选择线。
5.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其特征在于，最后一个交叉结构通过n条位线与所述解码器连接；n为每一行中存储单元的数量。
6.根据权利要求4所述的磁性随机存取存储器，其特征在于，对于相邻的两条位线，若两条位线上的电流差大于设定的阈值t，则比较两个位线上并联电流的大小，并记录两条位线上存储单元的序列组合；否则将两条位线上的mtj重新组合，将阻值大的mtj归到一条位线上，阻值小的归到另外一条位线上；比较重组后的位线并联电流，记录其上的存储单元的序列组合，最终将每对相邻位线上存储单元的序列组合作为激励，对应的并联电流比较结果作为响应位。
7.根据权利要求4所述的磁性随机存取存储器，其特征在于，以所有存储单元位置及各存储单元对应电流作为输入，初始化时，排列位线上左右可能的mtj并联配置组合并记录到集合bl，计算bl中各并联配置对应的位线并联电流并记录到集合ibl，计算ibl中任意一对位线并联电流差，并按电流差值从大到小的顺序排列；取差值最大的k组，该k组对应的位线对mtj并联组合配置作为激励，而将位线对并联电流对比结果作为响应；k为所需要的响应位数。
8.根据权利要求7所述的磁性随机存取存储器，其特征在于，使用1:4demux实现所述交叉结构。
9.一种基于sttmarm的可重构puf方法，该可重构puf包括多行存储单元，每一行包括多个存储单元，每一行的所有存储单元的源选择线相互连接后接地；每一行所有存储单元的字选择线相互连接并接入wl编码器；相邻两行存储单元之间通过交叉结构连接；最后一行存储单元通过最后一个交叉结构接解码器；其特征在于，以所有存储单元位置及各存储单元对应电流作为输入，初始化时，排列位线上左右可能的mtj并联配置组合并记录到集合bl，计算bl中各并联配置对应的位线并联电流并记录到集合ibl，计算ibl中任意一对位线并联电流差，并按电流差值从大到小的顺序排列；取差值最大的k组，该k组对应的位线对mtj并联组合配置作为激励，而将位线对并联电流对比结果作为响应；k为所需要的响应位数。