1.一种将数据写入一闪存单元的方法，其特征在于，所述方法包含有：
执行多次写入并且设定一最高写入次数，其中在达到最高写入次数之前，维持所述闪存单元内的电荷不变，或将所述电荷注入闪存单元内；
于所述多次写入中的第n次写入所述闪存单元时，判断要被写入所述闪存单元的一第n数据位的一数据极性；
依据所述第n数据位的所述数据极性来决定是否对所述闪存单元的一浮栅注入一第n电荷量；
于所述多次写入中的第n+1次写入所述闪存单元时，判断要被写入所述闪存单元的一第n+1数据位的所述数据极性；以及
依据所述第n+1数据位的所述数据极性来决定是否对所述闪存单元的所述浮栅注入一第n+1电荷量；
于写入次数达到所述最高写入次数时对所述闪存单元执行电荷抹除操作；
其中所述第n+1电荷量不同于所述第n电荷量，以及n为不小于1的正整数；以及于第n次写入所述闪存单元时，若所述第n数据位的所述数据极性为一第一极性，则不对所述浮栅注入所述第n电荷量，若所述第n数据位的所述数据极性为一第二极性，则对所述浮栅注入所述第n电荷量；以及于第n+1次写入所述闪存单元时，若所述第n+1数据位的所述数据极性为所述第一极性，则不对所述浮栅注入所述第n+1电荷量，若所述第n+1数据位的所述数据极性为所述第二极性，则对所述浮栅注入所述第n+1电荷量，其中所述第一极性不同于所述第二极性。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第n+1电荷量至少大于所述第n电荷量的两倍。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一极性是位1，而所述第二极性是位0；或所述第一极性是位0，而所述第二极性是位1。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述第n数据位的所述数据极性为所述第一极性，所述方法另包含有：
决定出一第n个临界电压；
其中当所述第n临界电压耦接至所述闪存单元的一控制栅时，所述第n临界电压会使得没有注入所述第n电荷量的所述闪存单元导通。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，若所述第n+1数据位的所述数据极性为所述第一极性，所述方法另包含有：
决定出一第n+1个临界电压；
其中当所述第n+1临界电压耦接至所述闪存单元的所述控制栅时，所述第n+1临界电压会使得没有注入所述第n+1电荷量的所述闪存单元导通，以及所述第n+1个临界电压至少高于所述第n个临界电压的一倍。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，若所述第n+1数据位的所述数据极性为所述第二极性，所述方法另包含有：
决定出一第n+1个临界电压；
其中当所述第n+1临界电压耦接至所述闪存单元的所述控制栅时，所述第n+1临界电压不会使得注入所述第n+1电荷量的所述闪存单元导通，以及所述第n+1个临界电压至少高于所述第n个临界电压的一倍。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述第n数据位的所述数据极性为所述第二极性，所述方法另包含有：
决定出一第n个临界电压；
其中当所述第n临界电压耦接至所述闪存单元的一控制栅时，所述第n临界电压不会使得注入所述第n电荷量的所述闪存单元导通。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，若所述第n+1数据位的所述数据极性为所述第一极性，所述方法另包含有：
决定出一第n+1个临界电压；
其中当所述第n+1临界电压耦接至所述闪存单元的所述控制栅时，所述第n+1临界电压会使得没有注入所述第n+1电荷量的所述闪存单元导通，以及所述第n+1个临界电压至少高于所述第n个临界电压的一倍。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，若所述第n+1数据位的所述数据极性为所述第二极性，所述方法另包含有：
决定出一第n+1个临界电压；
其中当所述第n+1临界电压耦接至所述闪存单元的所述控制栅时，所述第n+1临界电压不会使得注入所述第n+1电荷量的所述闪存单元导通，以及所述第n+1个临界电压至少高于所述第n个临界电压的一倍。
10.一种控制装置，用来将数据写入一闪存单元，其特征在于，所述控制装置包含有：
一判断电路，用来于第n次写入所述闪存单元时，判断要被写入所述闪存单元的一第n数据位的一数据极性；以及
一写入电路，用来依据所述第n数据位的所述数据极性来决定是否对所述闪存单元的一浮栅注入一第n电荷量，其中所述写入电路执行多次写入，其中在达到一最高写入次数之前，判断电路维持所述闪存单元内的电荷不变，或将所述电荷注入闪存单元内，并且于写入次数达到所述最高写入次数时对所述闪存单元执行电荷抹除操作；
其中所述判断电路另用来于第n+1次写入所述闪存单元时，判断要被写入所述闪存单元的一第n+1数据位的所述数据极性，所述写入电路另用来依据所述第n+1数据位的所述数据极性来决定是否对所述闪存单元的所述浮栅注入一第n+1电荷量，所述第n+1电荷量不同于所述第n电荷量，以及n为不小于1的正整数；以及于第n次写入所述闪存单元时，若所述判断电路判断出所述第n数据位的所述数据极性为一第一极性，则所述写入电路不对所述浮栅注入所述第n电荷量，若所述判断电路判断出所述第n数据位的所述数据极性为一第二极性，则所述写入电路对所述浮栅注入所述第n电荷量；以及于第n+1次写入所述闪存单元时，若所述判断电路判断出所述第n+1数据位的所述数据极性为所述第一极性，则所述写入电路不对所述浮栅注入所述第n+1电荷量，若所述判断电路判断出所述第n+1数据位的所述数据极性为所述第二极性，则所述写入电路对所述浮栅注入所述第n+1电荷量，其中所述第一极性不同于所述第二极性。
11.如权利要求10所述的控制装置，其特征在于，所述第n+1电荷量至少大于所述第n电荷量的两倍。
12.如权利要求10所述的控制装置，其特征在于，所述第一极性是位1，而所述第二极性是位0；或所述第一极性是位0，而所述第二极性是位1。
13.如权利要求10所述的控制装置，其特征在于，若所述第n数据位的所述数据极性为所述第一极性，所述控制装置另包含有：
一设定电路，用来决定出一第n个临界电压；
其中当所述第n临界电压耦接至所述闪存单元的一控制栅时，所述第n临界电压会使得没有注入所述第n电荷量的所述闪存单元导通。
14.如权利要求13所述的控制装置，其特征在于，若所述第n+1数据位的所述数据极性为所述第一极性，所述设定电路决定出一第n+1个临界电压；其中当所述第n+1临界电压耦接至所述闪存单元的所述控制栅时，所述第n+1临界电压会使得没有注入所述第n+1电荷量的所述闪存单元导通，以及所述第n+1个临界电压至少高于所述第n个临界电压的一倍。
15.如权利要求13所述的控制装置，其特征在于，若所述第n+1数据位的所述数据极性为所述第二极性，所述设定电路决定出一第n+1个临界电压；其中当所述第n+1临界电压耦接至所述闪存单元的所述控制栅时，所述第n+1临界电压不会使得注入所述第n+1电荷量的所述闪存单元导通，以及所述第n+1个临界电压至少高于所述第n个临界电压的一倍。
16.如权利要求10所述的控制装置，其特征在于，若所述第n数据位的所述数据极性为所述第二极性，所述控制装置另包含有：
一设定电路，决定出一第n个临界电压；
其中当所述第n临界电压耦接至所述闪存单元的一控制栅时，所述第n临界电压不会使得注入所述第n电荷量的所述闪存单元导通。
17.如权利要求16所述的控制装置，其特征在于，若所述第n+1数据位的所述数据极性为所述第一极性，所述设定电路决定出一第n+1个临界电压；其中当所述第n+1临界电压耦接至所述闪存单元的所述控制栅时，所述第n+1临界电压会使得没有注入所述第n+1电荷量的所述闪存单元导通，以及所述第n+1个临界电压至少高于所述第n个临界电压的一倍。
18.如权利要求16所述的控制装置，其特征在于，若所述第n+1数据位的所述数据极性为所述第二极性，所述设定电路决定出一第n+1个临界电压；其中当所述第n+1临界电压耦接至所述闪存单元的所述控制栅时，所述第n+1临界电压不会使得注入所述第n+1电荷量的所述闪存单元导通，以及所述第n+1个临界电压至少高于所述第n个临界电压的一倍。