1.一种半导体存储器装置，包括：
存储器单元阵列，包括多个存储器单元和一个或多个标志存储器单元，每个标志存储器单元经由字线联接到存储器单元组；以及
控制器，与所述存储器单元阵列通信，并且所述控制器：
从与所述多个存储器单元联接的字线中选择与来自所述多个存储器单元的、用于编程的目标存储器单元集联接的字线；
将幅值递增的一系列编程脉冲和编程验证脉冲施加到所选择的字线，所述编程脉冲升高所述目标存储器单元集的阈值电压，所述编程验证脉冲验证所述目标存储器单元集的阈值电压是否已经升高到目标阈值电压电平以上；
将控制电压施加到所述目标存储器单元集以使所述目标存储器单元集处于施加所述编程脉冲的状况中；并且
当确定对所述目标存储器单元集的编程操作的状态时，将所述控制电压施加到所述一个或多个标志存储器单元以使所述一个或多个标志存储器单元处于以下状况中：施加所述编程脉冲中的至少一个以对所述一个或多个标志存储器单元进行编程，所述一个或多个标志存储器单元指示对所述目标存储器单元集的编程操作的状态。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中确定对所述目标存储器单元集的编程操作的状态包括：验证所述目标存储器单元集的阈值电压已经升高到所述目标阈值电压电平以上。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中所述控制器进一步：在电力中断之后的读取操作期间，将从所述目标存储器单元集读出的数据作为错误数据处理。
4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中所述控制器进一步：在电力中断之后的读取操作期间，当通过错误校正引擎成功读取了数据时，将从所述目标存储器单元集读出的数据复制到其它存储器单元。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中确定对所述目标存储器单元集的编程操作的状态包括：验证所述目标存储器单元集的阈值电压未能达到所述目标阈值电压电平。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中所述控制器进一步：在电力中断之后的读取操作期间，当确定所述一个或多个标志存储器单元被编程时，将从所述目标存储器单元集读出的数据作为错误数据处理。
7.根据权利要5所述的半导体存储器装置，其中所述控制器进一步：当确定所述一个或多个标志存储器单元被编程时，将所述目标存储器单元集指定为失败的存储器单元。
8.根据权利要1所述的半导体存储器装置，其中使用所述一系列编程脉冲中的至少一个对所述一个或多个标志存储器单元进行编程。
9.根据权利要1所述的半导体存储器装置，其中除了施加所述一系列编程脉冲之外，还使用一个或多个编程脉冲对所述一个或多个标志存储器单元进行编程。
10.一种半导体存储器装置，包括：
存储器单元阵列，包括：多个存储器单元，存储数据；以及一个或多个标志存储器单元，指示对所述多个存储器单元的编程操作的状态；以及
控制器，与所述存储器单元阵列通信，并且所述控制器：
确定对所述多个存储器单元的编程操作的状态是否存储在与所述多个存储器单元相关联的所述一个或多个标志存储器单元中；
读取所述多个存储器单元以确定通过错误校正引擎是否成功读取了数据；并且
基于关于对所述多个存储器单元的编程操作的状态是否存储在所述一个或多个标志存储器单元中的确定以及关于通过所述错误校正引擎是否成功读取了数据的确定，确定对所述多个存储器单元的编程操作是否已经被验证为完成以及是否将所述多个存储器单元指定为失败的存储器单元。
11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中所述控制器进一步：当确定对所述多个存储器单元的编程操作已经被验证为完成并且通过所述错误校正引擎成功读取了数据时，将从所述多个存储器单元读出的数据作为有效数据处理。
12.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中所述控制器进一步：当确定对所述多个存储器单元的编程操作尚未被验证为完成并且通过所述错误校正引擎成功读取了数据时，将从所述多个存储器单元读出的数据作为错误数据处理。
13.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中所述控制器进一步：当确定对所述多个存储器单元的编程操作尚未被验证为完成并且通过所述错误校正引擎成功读取了数据时，将所述多个存储器单元指定为失败的存储器单元。
14.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中所述控制器进一步：当确定对所述多个存储器单元的编程操作已经被验证为完成并且通过所述错误校正引擎未成功读取数据时，将从所述多个存储器单元读出的数据作为错误数据处理。
15.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中所述控制器进一步：当确定对所述多个存储器单元的编程操作尚未被验证为完成并且通过所述错误校正引擎未成功读取数据时，将从所述多个存储器单元读出的数据作为错误数据处理。
16.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中所述控制器进一步：当确定对所述多个存储器单元的编程操作尚未被验证为完成并且通过所述错误校正引擎未成功读取所述数据时，将所述多个存储器单元指定为失败的存储器单元。
17.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中所述标志存储器单元包括：第一标志存储器单元，指示对所述多个存储器单元的编程操作已经被验证为完成；以及第二标志存储器单元，指示对所述多个存储器单元的编程操作尚未被验证为完成。
18.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，其中当确定所述第一标志存储器单元指示对所述多个存储器单元的编程操作已经被验证为完成并且所述第二标志存储器单元指示对所述多个存储器单元的编程操作尚未被验证为完成时，将所述多个存储器单元指定为失败的存储器单元。
19.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，其中当确定所述第一标志存储器单元和所述第二标志存储器单元两者都未指示任何内容并且通过所述错误校正引擎未成功读取数据时，将从所述多个存储器单元读出的数据作为错误数据处理。
20.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，其中当确定所述第一标志存储器单元和所述第二标志存储器单元两者都未指示任何内容并且通过所述错误校正引擎成功读取了数据时，将从所述多个存储器单元读出的数据复制到其它存储器单元。