1.一种半导体激光装置，具备：
导电性的冷却板，其在内部具有彼此独立的供水路径和排水路径；
绝缘片，其设置在所述冷却板之上，具有与所述供水路径连接的第1贯通孔和与所述排水路径连接的第2贯通孔；
导电性的第1冷却块，其设置在所述绝缘片之上，在内部具有与所述第1贯通孔以及所述第2贯通孔连接的第1管；和
第1半导体激光元件，其设置在所述第1冷却块之上，
所述第1半导体激光元件具有第1电极以及与所述第1电极相反一侧的第2电极，
所述第1电极与所述第1冷却块电连接，
所述冷却板处于浮动电位。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，
所述半导体激光装置还具备第1导电板，该第1导电板设置于所述第1电极与所述第1冷却块之间，对所述第1电极以及所述第1冷却块的热膨胀系数进行调整。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其中，
所述第1电极为正电极，所述第2电极为负电极。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光装置，其中，
在所述供水路径、所述排水路径和所述第1管中流动冷却水，
所述冷却水是导电率小于10μS/cm的离子交换水。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体激光装置，其中，
所述供水路径和所述排水路径在所述冷却板的外部，经由循环装置而连接。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体激光装置，其中，
所述冷却板的主要材料是不锈钢。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体激光装置，其中，
所述第1冷却块的主要材料是铜。
8.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，
所述半导体激光装置还具备：
导电性的第2冷却块，其设置在所述绝缘片之上；和
第2半导体激光元件，其设置在所述第2冷却块之上，
所述绝缘片具有与所述供水路径连接的第3贯通孔和与所述排水路径连接的第4贯通孔，
所述第2冷却块在内部具有与所述第3贯通孔以及所述第4贯通孔连接的第2管，
所述第2半导体激光元件具有第3电极以及与所述第3电极相反一侧的第4电极，
所述第3电极与所述第2冷却块电连接，
所述第2冷却块和所述第2电极电连接。