1.一种激光退火装置，其特征在于，具备：
激光源；
激光照射光学系统，将从所述激光源射出的激光照射至处理对象基板的处理区域；
照明光源，射出可见光区的照明光；
照明光学系统，将从所述照明光源射出的光照射至所述处理区域；及
光谱检测部，检测出在由所述激光进行了退火处理的所述处理区域反射的可见光区的光，并输出其光谱特征。
2.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，
所述激光照射光学系统具备微透镜阵列，所述微透镜阵列将所述激光同时且独立地聚光至多个所述处理装置区域。
3.根据权利要求2所述的激光退火装置，其特征在于，
所述光谱检测部检测出在经由所述微透镜阵列而被照射所述激光的所有的所述处理区域反射的可见光区的光。
4.根据权利要求2所述的激光退火装置，其特征在于，
所述光谱检测部从经由所述微透镜阵列而被照射所述激光的所有的所述处理区域反射的可见光区的光中，选择性地检测出在特定的处理区域反射的光。
5.根据权利要求4所述的激光退火装置，其特征在于，
在所述光谱检测部的前方设置有：成像光学系统，使所述处理区域的像成像至所述光谱检测部的前方位置；以及选择光透射部，在所述前方位置仅使在所述特定的处理区域反射的光透射。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的激光退火装置，其特征在于，
具备对所述处理对象基板上的所述处理区域的位置进行扫描的处理区域扫描部。
7.一种激光退火方法，其特征在于，具有：
处理工序，对处理对象基板的处理区域照射激光而实施退火处理；及
确认工序，对所述处理区域照射可见光区的照明光，在所述退火处理之后立刻检测出在所述处理区域反射的可见光区的光并输出其光谱特征，并通过其光谱特征来确认是否适当地进行了所述处理区域的退火处理。
8.根据权利要求7所述的激光退火方法，其特征在于，
退火处理的对象为通过真空成膜而形成的半导体膜。
9.根据权利要求8所述的激光退火方法，其特征在于，
所述半导体膜为通过气相生长法而形成的非晶硅。
10.根据权利要求8所述的激光退火方法，其特征在于，
所述半导体膜为通过溅射法而形成的金属氧化物半导体。
11.根据权利要求7所述的激光退火方法，其特征在于，
退火处理的对象为通过涂布而形成的半导体膜。
12.根据权利要求11所述的激光退火方法，其特征在于，
激光退火的对象为通过涂布而形成的包括硅微粒的薄膜。
13.根据权利要求11所述的激光退火方法，其特征在于，
激光退火的对象为通过涂布而形成的包括金属氧化物的薄膜。