技术总结
本发明的主要目的为提供一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构，在N型单晶硅片的N面上间隔地排列制造出高浓度的N+结，具有自调制效应，形成良好的软恢复特性；此材料片通过硅氧化方式将N面粘附一片单晶片，在加工过程中不易碎片；此结构的制造成本低于外延片的成本。使用本发明的含阴极辅助的快恢复二极管材料片，与传统的外延片加工相比，具有良好的快速、软恢复特性，成本更低。
技术研发人员：王国峰;
受保护的技术使用者：上海芯石微电子有限公司;
技术研发日：2016.05.13
技术公布日：2016.07.13