基于石墨衬底的倒装三结太阳电池及其制备方法与流程

技术特征：

1.基于石墨衬底的倒装三结太阳电池，包括支撑衬底、背面电极、正面电极和外延结构，其特征在于，外延结构包括依次倒装生长的GaInP顶电池、第一隧穿结、In_xGa_1-xAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、In_yGa_1-yAs底电池。

2.根据权利要求1所述的基于石墨衬底的倒装三结太阳电池，其特征在于GaInP顶电池之下设置有第一欧姆接触层，In_yGa_1-yAs底电池之上设置有第二欧姆接触层。

3.根据权利要求1所述的基于石墨衬底的倒装三结太阳电池，其特征在于所述GaInP顶电池和In_xGa_1-xAs中电池与外延衬底晶格匹配，其中0≤x＜0.1；所述In_xGa_1-xAs中电池与In_yGa_1-yAs底电池通过所述缓冲层进行过渡，其中0<y＜0.5。

4.根据权利要求1所述的基于石墨衬底的倒装三结太阳电池，其特征在于所述缓冲层采用梯度组分渐变的In_zAl_1-zAs，其中0≤z＜0.5。

5.基于石墨衬底的倒装三结太阳电池制备方法，其特征在于该电池的制备工艺包括如下步骤：

（1）将石墨衬底进行机械抛光；

（2）在石墨衬底抛光面上利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）的方法，依次沉积Ge层、GaAs层，作为倒装三结太阳电池的外延衬底；

（3）采用MOCVD依次外延生长第一欧姆接触层、GaInP顶电池、第一隧穿结、In_xGa_1-xAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、In_yGa_1-yAs底电池，第二欧姆接触层；

（4）在上述外延片第二欧姆接触层表面蒸镀背面电极并将其键合至一支撑衬底，去除外延衬底，制备正面电极，获得目标电池。

6.根据权利要求5所述的基于石墨衬底的倒装三结太阳电池制备方法，其特征在于所述Ge层厚度为0.1-2 μm；所述GaAs层厚度为0.5-3 μm。